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2025-06-13 11:40
出品:新浪財經上市公司研究院
作者:光心
近期,DDR4在華強北市場現貨難求,其價格迎來「火箭式」上漲。
據悉,三星、海力士、美光三大國際DRAM巨頭均計劃削減DDR4產量,研究機構TrendForce預計各供應商DDR4的最后出貨時間大概會在2026年初。
供給收縮的預期之下,DDR4市場已然轉變為賣方市場,美光2025年6月DDR4的官方定價上漲50%,現貨市場上的16GB DDR4價格也飆升至6美元,甚至超過了同規格的DDR5(5.8美元)。
DDR4於2014年問世,至今生命周期已超10年,而其下一代技術DDR5已實現規模化出貨驗證,DDR4的退伍是技術迭代的必然。而長鑫存儲等中國內存廠商的崛起也對三星等傳統巨頭構成了競爭壓力,韓國企業對低收益產品板塊進行收縮,加速向DDR5、HBM等高端存儲業務進行調整,也是價格戰下調節盈利的戰略之舉。
在此背景下,長鑫存儲緊跟DRAM市場的技術迭代趨勢,加速向高端產品轉型。據悉,長鑫存儲或將於2024年第三季度發佈DDR4產品生命周期終止(EOL)通知,最迟於2026年上半年全面停止DDR4供貨。
而搭載長鑫存儲DDR5顆粒的內存條也已於2024年12月上架各電商平臺,據TechInsights等機構評測,長鑫DDR5芯片面積比三星高出約40%,或存在3-4年的代際差距,但產品性能並無顯著差異。
據TrendForce及業內人士預測,2025年長鑫存儲在DRAM市場的市佔率或超過10%。若此預期實現,全球DRAM市場將迎來第四位國際巨頭。
中國創「芯」之路曾遭圍堵 長鑫存儲舉起DRAM大旗
早年,國產DRAM的擔子曾被中芯國際挑在肩上。
2006年,中芯國際便已成為中國內陸最大的DRAM芯片生產企業,彼時其8英寸芯片的月產能已達到2萬片,中國存儲芯片也曾達到30%的市佔率,並且在技術層面幾乎與三星持平。
然而,2006年8月,臺積電起訴中芯國際侵犯專利權,中芯國際無奈捲入漫長的專利糾紛案。
2008年,金融風暴爆發,作為中芯國際技術來源的奇夢達倒閉,失去技術盟友的中芯國際只能放棄DRAM賽道,國產DRAM從此陷入沉寂。
直到2016年5月,已在NOR FLASH領域小有成就的兆易創新,決定向國際巨頭壟斷的DRAM領域進軍,此舉恰與合肥政府打造「IC之都」的戰略願景相符,二者一拍即合,合肥長鑫由此誕生。
長鑫建立之初便力求技術自主,其技術來源除來自兆易創新外,還來自此前「絆倒」中芯國際的奇夢達。DRAM龍頭奇夢達破產后,其專利幾經輾轉最終被長鑫收購,這份重要資產不僅奠定了長鑫研發的技術基礎,也規避了此后與三星、美光等國際龍頭的專利摩擦。
2018年第一季度,長鑫存儲第一座12英寸晶圓廠完成設備安裝。同年,公司研發出國內首個8GB DDR4芯片。
2019年第三季度,長鑫存儲開始量產標準DRAM芯片,包括DDR4/LPDDR4/LPDDR4X等。
2020年,長鑫存儲在全球DRAM市場中還相對式微,市場份額接近於0%。而2023年,該數值達到5%,DRAM市場被三星、海力士、美光「半導體鐵三角」壟斷的格局迎來挑戰。
然而,就在長鑫存儲漸入佳境之際,DRAM市場卻在近期迎來劇變。
中國速度倒逼技術迭代 DDR4或開始退出主流市場
2020年到2024年,長鑫存儲月產能由4萬片提升至20萬片,而在國內土地、電力及其他方面的政策支持下,其擴產成本比韓國低四成左右。
成本優勢助力下,長鑫存儲的產品價格比三星、美光等國際巨頭低10%-15%。
長鑫存儲的長期價格戰攪動了全球市場。據日本經濟新聞報道,2025年2月,作為指標的8GB DDR4大宗交易價格為每張1.70美元左右,容量較小的4GB DDR4在1.30美元左右,均環比下降3%,且已是DRAM價格連續6個月環比下降,創2023年12月以來的價格低點。
在此背景之下,韓國企業加速其「去通用化」戰略,對低收益產品板塊進行收縮,加速向高端存儲器的結構調整。
其中,三星和海力士已明確通知客户將停止DDR4的生產,最終訂購截至日期為2025年6月初,並將12月作為最后出貨日期。而美光則停止服務器用舊版的DDR4模塊供應,僅保留定製化產能。
受此影響,三星8GB DDR4的現貨價格達到4.8美元,遠超3.3美元的平均現貨價格。美光2025年6月DDR4官方定價漲幅也超過50%。
有記者在華強北的存儲現貨市場對多種規格的內存條進行詢價,答覆幾乎都是「無現貨」。有業內人士表示,此次供需矛盾顯然來自供給端,而終端市場向DDR5產品切換存在滯后性,局部供需失衡難以避免。
在此趨勢下,長鑫存儲也並不留戀低端市場,而是同步進行技術與產能切換,尋求轉型。
據媒體報道,長鑫存儲將於2024年第三季度發佈DDR4產品生命周期終止(EOL)通知,最迟於2026年上半年全面停止DDR4供貨。儘管官方尚未正式公告,但據下游渠道反饋,長鑫DDR4供應已明顯收縮,部分規格已趨近斷供,實際退出進程或有可能提前完成。
調研機構TrendForce表示,DDR4生命周期已超10年,需求逐步被DDR5取代,且HBM、DDR5、LPDDR5等產品的盈利能力明顯更強,各供應商DDR4的最后出貨時間大概會在2026年初。
陪伴大家十余年的DDR4終究是走向了自己的黃昏,老將的落沒將為DDR5和HBM等技術新秀釋放資源,以助力各企業搶佔AI時代的又一輪產業機會。
長鑫DDR5代際差距或為3-4年 2025年DRAM產能或緊追美光
2024年12月22日,金百達、光威先后在電商平臺上架了基於長鑫DDR5顆粒的內存條。
根據國外老牌硬件網站Tomshardware給出的尺寸,長鑫DDR5芯片尺寸為8.25x8.25毫米,面積為68.06平方毫米。對比之下,三星DDR5芯片的尺寸為6.46x7.57毫米,面積為48.90平方毫米。也就是説,長鑫DDR5芯片比三星面積高出40%左右。
對比2021年美光、三星、海力士大規模生產的初代DDR5內存芯片,其尺寸跨度為66.26平方毫米到72.21平方毫米之間。如此對比,長鑫存儲的初代DDR5產品與彼時國際巨頭初代產品的面積參數相當,或説明長鑫存儲研發力不輸國際巨頭。
此外,TechInsights等研究機構表示,儘管評估顯示長鑫存儲DDR5技術與韓國頭部企業存在3-4年的代際差距,但其產品性能與頭部企業產品並無顯著差異。
據ChosunBiz預測,2025年,長鑫存儲DRAM產量規模將達到273萬片(以投入晶圓數量為基準),同比增長68%,該增速將大大超出此前預期。
TrendForce預測,到2025年年底,長鑫存儲DRAM市場份額可能增至12%。存儲控制器芯片大廠慧榮科技總經理苟嘉章在接受媒體採訪時表示,中國長鑫存儲市佔率預計2025年達到10%,2026年達到15%。
若以上預期實現,全球DRAM市場將從三巨頭壟斷轉變為四巨頭格局。
責任編輯:公司觀察