最新！30+半導體產業大項目進展信息匯總！

（轉自：第三代半導體產業）

半導體產業網獲悉：近期，格芯、燕東微、海納半導體、先導科技、儲芯科技、創瑞激光、亞曼光電、勝天光電、拓諾稀科技、瀚薪科技、株洲中車、北一半導體、長飛先進、晶旭半導體、惠科、誠鋒科技、耶普（蘇州）塑技、啟明芯、芯谷微電子、中科復材、A-STAR、中科飛測、富樂德、揚傑科技、磊菱半導體、芯德科技、邁為技術等在內眾多企業及產業園區公佈項目進展，詳情如下：

投資160億美元，GlobalFoundries擴大美國芯片製造產能

當地時間6月4日，美國晶圓代工大廠GlobalFoundries（GF，格芯）宣佈計劃投資160億美元，以擴大其在紐約和佛蒙特州工廠的半導體制造和先進封裝能力。GlobalFoundries表示，該投資是對人工智能爆炸式增長的戰略迴應，人工智能正在加速對下一代半導體的需求，這些半導體旨在實現數據中心、通信基礎設施和人工智能設備的功率效率和高帶寬性能。

GlobalFoundries的投資建立在公司現有的美國擴張計劃之上，包括超過 130 億美元用於擴建和現代化其紐約和佛蒙特州的設施，以及為其最近成立的紐約先進封裝和光子學中心提供資金，這是美國第一家專門從事硅光子封裝的設施。格芯承諾額外投入 30 億美元，其中包括專注於封裝創新、硅光子學和下一代 GaN 技術的高級研發計劃。這些投資總計代表着 160 億美元的計劃，旨在加強美國半導體的領導地位，並加速人工智能、航空航天、汽車和高性能通信領域的創新。

燕東微擬募資40億元用於北電集成12英寸產線項目

近日，北京燕東微電子股份有限公司發佈公告稱，其向特定對象發行股票的申請已獲得上海證券交易所審覈通過。此次非公開發行擬向控股股東北京電子控股有限責任公司募集不超過40.2億元人民幣。其中，40億元將專項用於北電集成12英寸集成電路生產線項目。

根據發行方案，本次發行擬募集資金40.2億元，全部由發行人控股股東北京電控認購；發行人子公司燕東科技、北京電控、天津京東方、亦莊國投等七方擬對本次募投項目實施主體北電集成進行增資。其中燕東科技增資49.9億元，增資完成后，燕東科技將控制北電集成。

據瞭解，該12英寸集成電路生產線項目總投資高達330億元，規劃建設月產能5萬片的12英寸芯片生產線。其工藝重點聚焦於28nm至55nm的HV（高壓）、MS（混合信號）、RF-CMOS（射頻CMOS）等特色工藝平臺，產品將廣泛應用於顯示驅動、數模混合芯片以及嵌入式微控制器（MCU）等領域。項目建成后，將顯著提升燕東微在成熟製程領域的製造能力，推動其工藝技術從當前的65nm向更先進節點升級，從而有力支撐國內集成電路產業生態的完善和發展。

海納半導體拋光片項目竣工驗收

據浦江產投集團官微消息，日前，由浦江縣產投集團實施的海納半導體大直徑硅單晶拋光片項目順利完成竣工驗收，具備投產條件。

據悉，該項目用地面積108畝，建築佔地面積30311.5㎡，總建築面積120782.81㎡，主要建設FAB廠房、動力站、甲類庫、廢水站、宿舍樓、門衞等單體，項目建成后致力於半導體硅材料研發與生產，預計全期達產時形成年產約400萬片8英寸集成電路用拋光硅片生產能力，為浦江集成電路產業的未來發展奠定堅實基礎。

總投資2.65億元！第四代金剛石半導體項目落户新疆

6月4日，烏魯木齊甘泉堡經濟技術開發區（工業區）（以下簡稱「甘泉堡經開區」）與南京儲芯電子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式簽署協議，標誌着總投資2.65億元的第四代金剛石半導體項目正式落户。這一戰略性新興產業項目的落地，將進一步推動甘泉堡經開區在新材料領域的產業升級，助力新疆在半導體產業賽道實現新突破。

該項目主要生產熱沉片和培育鑽石，前者作為高導熱性能的散熱材料，在電子、光電領域尤其是高端GPU散熱方面具有廣泛應用前景，目前已率先在英偉達（NVIDIA）的硅微芯片散熱方案中進行測試實驗；后者則憑藉與天然鑽石相似的特性及價格、環保優勢，在珠寶和工業領域備受青睞。南京儲芯電子科技有限公司作為項目的技術支撐方，在半導體材料研發與製造領域擁有全產業鏈資源。公司技術負責人陳艷介紹：「金剛石作為第四代半導體材料，具有超寬禁帶、高熱導率等特性，被稱為‘終極半導體材料’。我們的技術團隊經過多年研發，已經掌握了成熟的生產工藝，此次項目投產后，將填補國內相關領域的部分空白，實現進口替代。」

投資4.7億！微波射頻產業園（西區）項目日前啟動建設

近日，總投資額超4.7億元的微波射頻產業園（西區）項目日前啟動建設。該項目聚焦「製造基地+測試認證中心」核心功能，將進一步補強區域產業鏈條，助力成都搶佔微波射頻產業技術創新高地。

據瞭解，微波射頻產業園（西區）佔地面積約50畝，位於成都高新西區新文路與新達路西南側，項目總建築面積約10.4萬㎡。根據「立園滿園」工作部署，園區聚焦微波射頻領域，採用高標準半定製化廠房，單層最大面積達7950㎡，可滿足大規模產線搭建需求。最大承重2T，最高層高7.9m，可滿足工業上樓需求，為射頻器件、微波模塊等高端製造企業提供全要素空間解決方案。根據規劃，微波射頻產業園（西區）將於2026年底正式投運。項目招商工作將聚焦微波射頻產業鏈核心環節精準佈局，重點引進有源相控陣天線、射頻前端、頻率源、T/R組件等核心器件研發製造企業，以及微波射頻電子測量儀器等高端裝備企業，補強制造與測試關鍵環節。

沃格光電擬募集15億建設玻璃基板項目

5月30日，沃格光電公佈2025年度向特定對象發行A股股票預案，本次向特定對象發行股票募集資金總額不超過15億元（含本數），扣除發行費用后的淨額擬投資於以下項目：玻璃基MiniLED顯示背光模組項目、補充流動資金及償還銀行貸款。

本項目由沃格光電全資子公司江西德虹實施，項目總投資191881.36萬元，建設期24個月。本項目結合公司發展現狀與未來長期發展規劃，擬對現有廠房進行裝修改造，並引進先進的生產設備，達產后將實現年產605萬片玻璃基Mini LED顯示背光模組的生產能力。本項目將實現從玻璃基板到玻璃基顯示背光模組的產業鏈延伸和產能擴張，有助於豐富公司現有產品結構，培養新的盈利增長點，並進一步加強公司玻璃基Mini LED業務的市場競爭力，提升公司的業務規模和盈利能力。

投資120億 武漢先導化合物半導體項目預計年底投產

據長江日報報道，近日先導化合物半導體研發生產基地項目有了新進展，先導芯光電子科技（武漢）有限公司負責人熊威表示，目前正進行潔淨廠房設計和設備採購等工作，按計劃，6月底廠房招標、7月初開始裝修。

該項目位於高新六路以南、光谷五路以東，建築面積26萬平方米，共19棟建築，包括研發中心、生產調度中心、辦公大樓等。據介紹，整個項目力爭2025年底實現部分投產運營。

先導科技集團有限公司是全球稀散金屬龍頭企業。2024年3月，該項目簽約落户光谷，總投資120億元，簽約后10個月內，主體廠房全部封頂。項目投產后，將有力填補光谷光通信及激光產業所需半導體襯底、外延材料的空白。先導科技是全球最大稀散金屬生產企業，砷化鎵襯底材料出貨量全球第一。先導稀材項目投產后，將年產高端化合物半導體襯底材料數十萬片，可補足本地芯片產業鏈的上游短板，並有望助力武漢企業儘早搶佔市場優勢，帶動周邊產業鏈共享發展先機。

盈芯（南樂）零碳半導體材料產業園建成投產

6月3日，盈芯（南樂）零碳半導體材料產業園建成投產，標誌着南樂超硬材料產業發展邁上新臺階。濮陽市人民政府副市長宋成玲及市政府辦、發改、工信、商務等部門負責同志到場調研指導，宋成玲一行深入企業生產車間，實地查看生產流程，並與企業負責人深入交談，詳細瞭解企業生產經營情況及未來發展規劃，並對盈芯（南樂）零碳半導體材料產業園建成投產表示祝賀。

據瞭解，盈芯（南樂）零碳半導體有限公司是定位於全球高端金剛石功能材料研發與製造基地的產業領軍企業，主要涵蓋設備製造、半導體材料、金剛石高端應用的全產業鏈業態，業務輻射半導體材料、量子技術、國防軍工等戰略領域，項目全面達產后可實現年產值31億元。

山東創瑞激光智能製造基地項目封頂！

5月30日，隨着最后一方混凝土澆築完成，由中鐵一局二公司承建的山東創瑞激光智能製造基地項目所有單體主體結構全部順利封頂。

山東創瑞激光智能製造基地項目位於煙臺經濟技術開發區古現街道A-45小區內，佔地面積22240.7平方米。項目新建工業廠房1棟，廠房建築面積約34186.18平方米；新建門衞房1棟，建築面積約64.65平方米。

亞曼光電半導體設備研發生產基地項目落户望城經開區

5月30日，亞曼光電半導體設備研發生產基地項目簽約落户望城經開區，為園區新一代半導體產業發展注入強勁動能。

上海亞曼光電科技有限公司成立於2016年，是專注於光刻機、離子注入機等半導體關鍵設備核心技術研發和應用的專精特新企業。此次簽約的項目總投資2億元，建設半導體設備研發生產基地，項目全面投產后可實現年產值5億元以上。

勝天光電半導體光電器件封裝項目正式摘牌

近日，廣東勝天光電半導體光電器件封裝技術研發及生產總部項目正式摘牌，落户中山火炬高新區民眾街道接源村。該項目從對接至簽約僅用26天、簽約到摘牌僅61天，短短87天內實現「雙提速」，刷新了今年火炬高新區項目落地新速度。

該項目地塊由廣東勝天微電子有限公司（下稱：勝天微電子）成功競得，面積20.0027畝，計劃投資5億元，規劃建設集研發中心、智能製造基地、專業光電測試實驗室於一體的產業生態圈。其母公司深圳市勝天光電技術有限公司，是國家級高新技術企業和廣東省專精特新企業，重點佈局的車載Mini LED背光、車規級ADB模組等創新產品，將與區內洲明科技、元亨光電等下游企業形成「封裝－應用」全鏈條閉環，有效填補區域產業鏈中游環節。

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產

近日，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯合孵化的「拓諾稀科技」迎來里程碑時刻——其位於南沙的首個先進生產廠房正式啟用！該廠房配備高標準潔淨室設施和完善的生產研發配套，具備批量化外延製備能力，實現 「從實驗室走向產業」，為大規模推進氧化鎵外延產品走向市場奠定了堅實基礎。

拓諾稀科技生產車間中已投入一批研發設備

拓諾稀科技生產廠房位於粵港澳大灣區「黃金內灣」廣州南沙，佔地約500平方米，集研發、測試、製造、工藝支持於一體。設有MOCVD工藝區和離子注入室、專用的氣體儲存間、固廢處理間，全面保障高科技產品製造的穩定與安全。

由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創立的拓諾稀科技，聚焦於氧化鎵外延薄膜的製備及高性能半導體器件的開發，是全球獨家通過MOCVD工藝實現了穩定p型導電氧化鎵外延層的企業，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。陳子強教授表示：「我們解決了氧化鎵20年的無p型導電性能痛點，解鎖氧化鎵的雙極器件能力，重構氧化鎵的產業鏈生態，市場規模提升至少10倍，百億規模市場變為數干億規模市場。」據悉，團隊成功改造MOCVD工藝的生產設備在廠房中運行良好，實現了設備平臺與氧化鎵材料的深度適配，為第四代半導體材料的本土化生產與應用提供了可持續的技術支持平臺。

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項目主體結構封頂

瀚薪科技有限公司通過其全資子公司浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在浙江麗水投資建設的「新建碳化硅封測建設項目」主體結構5月27日正式封頂。

據悉，該項目預計總投資12億元人民幣，佔地總面積為88畝，其中一期工程佔地42.14畝。按照項目規劃，預計在2026年6月正式投產運營。項目投產后將具備每年生產30萬台碳化硅功率模塊和5000萬顆碳化硅功率器件的生產能力。預計每年可實現銷售收入6億元人民幣，還將為當地政府帶來超過3000萬元的税收收入。

公司網站顯示，瀚薪科技於2019年10月12日在上海註冊成立，致力於研發與生產第三代寬禁帶半導體功率器件及功率模塊，產品覆蓋650V、1200V、1700V到3300V 的電壓平臺，能夠規模量產車規級碳化硅MOSFET、二極管。

年底通線！株洲中車8英寸SiC產線披露最新進展

近日，科創板細分行業集體業績説明會之先進軌道交通行業專場於上證路演中心召開。會上株洲中車時代電氣股份有限公司就重點項目進展、新的經營計劃等內容和投資者展開交流。株洲中車董事長、執行董事李東林向投資者表示，株洲三期於2024年11月份啟動建設，2025年5月，主體廠房封頂，預計2025年下半年啟動設備搬入，2025年底有望實現產線拉通，該項目為8英寸SiC晶圓。

據介紹，株洲中車擁有一條6英寸SiC芯片產線，當前已具備年產2.5萬片6英寸SiC芯片產能。當前株洲中車SiC第三代精細平面柵產品已定型，技術水平行業主流；第四代溝槽柵設計定型，達行業先進水平，並且對第五代SiC技術完成佈局。目前SiC重點產品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業。2022年底，新能源車用全SiCC-Car平臺孵化的全新一代產品C-Power 220s正式發佈，目前正在整車廠送樣驗證階段。

李東林還介紹道，公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統要求，可廣泛應用於新能源汽車、UPS、風力發電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業、智能電網等領域。公司SiC產品（SBD）在光伏領域批量供貨，SiC TO器件在充電樁、OBC、電源檢測等領域批量供貨。2025年公司SiC MOSFET產品有望突破新能源車主驅批量出貨。

總投資20億元，北一半導體晶圓工廠項目預計今年年底試生產！

近日，在穆稜功率半導體產業園，總投資20億元的北一半導體晶圓工廠項目正在加緊進行內部裝修設計，項目預計今年年底試生產。該項目建成后，不僅可填補我省功率半導體晶圓製造產業空白，還將成為東北地區首家領先的功率半導體及關聯產業園，實現全產業鏈發展。

北一半導體成立於2017年10月，總投資4.3億元，是集功率半導體芯片及器件設計、封裝、測試及營銷於一體的民營高新企業，已在中國、美國和韓國成功申請了29項專利保護。公司是全省首家IGBT模塊加工的高新技術企業，產品涵蓋工業控制、白色家電、新能源汽車、軌道交通、風力發電5大領域。到2024年，北一半導體產值實現從818萬元到5.14億元的裂變增長，躋身全國IGBT模塊五強，完成B+輪1.5億元融資，成為國產功率半導體替代標杆。

公司在創新領域不斷取得突破性進展，第七代IGBT溝槽柵電場截止型芯片及模塊研製項目、基於國產EDA軟件的高電流密度IGBT芯片設計軟件模塊研製項目得到了省科技廳的立項支持，進一步加快了新產品的研發進程。在技術創新的同時，北一半導體積極引進國際先進的生產設備和工藝技術，持續優化生產流程，引進了韓國測試機和德國納米銀燒結機，建設了9條IGBT模塊生產線，可年產IGBT、PIM、IPM、HPD模塊300萬個，分立器件1000萬個，打造半導體領域的「牡丹江製造」。

總投資超200億元，長飛先進武漢基地正式投產!

據「長飛先進」官微消息，5月28日，長飛先進武漢基地首片晶圓從生產車間成功下線，標誌着總投資超200億元的長飛先進武漢基地正式投產，全面進入量產倒計時。總投資超200億，長飛先進武漢基地首片6英寸SiC晶圓成功下線！

據悉，長飛先進武漢基地坐落於東湖高新區光谷科學島，於2023年9月1日正式破土動工。此前消息顯示，該基地佔地面積498畝，聚焦第三代半導體功率器件研發與生產。其中一期總投資80億元，佔地344畝，達產后將具備年產36萬片外延、36萬片6寸碳化硅晶圓、6100萬個碳化硅功率模塊的製造能力，產品將主要用於新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網等領域。同時，配套全產業鏈實驗室，可完成材料分析、可靠性測試、失效分析等全流程檢測，致力於打造車規級芯片設計、製造及先進技術研發一體化的現代化半導體制造基地。

長飛先進武漢晶圓廠總經理李剛介紹，除了目前下線的首款晶圓之外，長飛先進武漢基地還有8款產品正在驗證階段，年底有望達到12款，項目滿產后可滿足144萬輛新能源汽車對高端芯片的需求。據介紹，武漢基地目前已全線配備6/8英寸兼容設備，對標國際碳化硅器件大廠。同時構建了完善的工藝流程和完整的工藝平臺，可提供全面的工藝開發與技術解決方案。還建成了碳化硅行業第一家全自動化天車搬運工廠(Auto3)，可實現生產資源的高效利用，最大化發揮製造效率。

總投資16.8億 福建晶旭半導體濾波器芯片生產項目9月試生產！

近日，福建晶旭半導體科技有限公司二期基於氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目建設迎來新進展，該項目建設已全面進入內部裝修階段，預計9月份可實現試生產。

該項目總投資16.8億元，建設136畝工業廠區，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線。據悉，福建晶旭半導體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產權、面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料的高新技術企業。公司技術團隊從2005年就開始研究5G聲波濾波器製備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片製備技術上，處於國際領先地位。2023年2月，在科技部主辦的全國顛覆性技術創新大賽總決賽上，公司5G聲波濾波器製備及產業化項目獲得總決賽優勝獎，是當年福建省唯一獲得該獎的企業。

總投資50億元！先導科技集成電路核心零部件及系統總部基地項目落地臨港

近日，臨港新片區管委會、臨港集團、先導科技集團在廣州共同簽署項目投資協議，先導科技集成電路核心零部件及系統總部基地項目正式落地臨港新片區。市委常委、臨港新片區黨工委書記、管委會主任陳金山出席並見證簽約。

先導科技集團成立於1995年，是一家起源於稀散金屬業務，領先的半導體高端材料、器件、模組和系統研發、生產、銷售及回收服務的國家級高新技術企業集團，旗下擁有兩家上市公司。2024年集團營收規模達400億，員工超過1萬人，網點遍佈全球共17個國家。此次項目投資50億元，用地108畝，在臨港新片區建設集成電路核心零部件基地，包括質量流量控制器、半導體核心金屬、真空系統、光刻系統及微納加工、缺陷檢測及在線檢測等標準生產線。項目的落地不僅標誌着先導科技集團從稀散金屬龍頭逐漸實現向半導體核心零部件平臺化企業的轉型，同時也對上海臨港集成電路核心零部件產業發展有着重要意義。

惠科100億MLED芯片基地項目簽約！

近日，第二十屆中國西部國際博覽會配套活動——南充市(成都)重點產業投資推介暨應用場景發佈會在成都舉行，現場簽約項目12個，投資總額180.5億元。當天上午，順慶區人民政府與惠科股份有限公司成功簽約。

據介紹，作為南充今年首個百億級項目——惠科全色系M-LED新型顯示芯片基地項目在會上順利簽約。該項目瞄準新型顯示產業，計劃在南充順慶區建設全色系M-LED新型顯示芯片基地，總投資約100億元，設計月產能100萬片，項目分三期建設，一期設計月產能15萬片，主要產品為全色系M-LED新型顯示芯片。

總投資5億！湖南誠鋒半導體項目正式投產！

近日，湖南誠鋒掩膜版設備有限公司投產盛典在湖南省寧鄉經開區隆重舉行。作為珠海誠鋒電子科技有限公司的全資子公司，湖南誠鋒的投產標誌着誠鋒科技在半導體智能製造領域的戰略佈局邁入全新階段。

誠鋒科技匯聚頂尖光學與算法研發團隊，突破納米級晶圓圖形檢測、掩膜版圖形檢測的技術壁壘，累計斬獲40余項國家專利，產品覆蓋半導體前道、后道全流程，服務網絡從大灣區、長三角延伸至東南亞。從一家小微企業成長為國家級高新技術企業、珠海市「種子獨角獸培育企業」、「瞪羚培育企業」。湖南誠鋒的投產，是誠鋒科技邁向更高維度的里程碑。這座總投資5億元、佔地4000平方米的研發生產基地，承載着中國半導體產業鏈的關鍵一環——掩膜版檢測設備的國產化使命。這里的百級高標準潔淨車間，將聚焦掩膜版精密製造與Fab前道缺陷檢測，為國內堪堪起步的掩膜版代工產業提供「中國製造」的檢測保障。

總投資7億 蘇州「高端半導體封測項目」正式開工

近日，耶普（蘇州）塑技有限公司「高端半導體封測項目」正式取得施工許可證，項目全面進入建設階段。

據悉，該項目位於蘇州工業園區青丘街158號，佔地25.08畝，原為複合材料生產廠房，2024年3月完成股權轉讓后轉型集成電路領域，計劃總投資7億元。 項目將拆除原有舊廠房，新建1棟建築面積近3.5萬平方米的現代化廠區，重點突破半導體集成電路芯片背面金屬化、封測等關鍵技術，全面達產后可新增封測產能11.36億顆，預計實現年銷售額6.7億元。

此前耶普（蘇州）塑技有限公司採購了步進光刻機、顯影機、全自動研磨機、助焊劑清洗機、塑封機等生產設備以及空調、空壓機、冷卻塔和純水製備設備等共計1195台（套），打造國內一流封測工廠，產品主要服務於國內一線的集成電路設計和芯片製造廠商。

總投資11億 啟明芯「芯片封測項目」落户啟東

近日，啟明芯半導體科技項目簽約儀式在啟東舉行，該項目分二期完成投資。一期投資3億元，其中設備投資1.2億元，預計年產值達2.7 億元；二期設備投資8億元，預計年產值達12億元。

據瞭解，該項目專注於硅基和第三代半導體功率產品的一站式服務，主要產品包括各類功率器件(Mosfet、IGBT、Ipm 模塊)的研發設計、封裝測試、銷售，以及電機驅動控制器方案（電動工具、電動車電機）的研發銷售等。產品廣泛應用於電動汽車、光伏儲能、電動車（兩輪、三輪、新國標電動自行車）、通信電源、服務器電源、充電樁電源、家用電器鋰電池等多個領域。

合肥！6英寸砷化鎵晶圓項目設備成功搬入！

近日，合肥芯谷微電子砷化鎵晶圓製造線項目迎來重要節點——首臺核心設備高温離子注入機順利move in。此舉標誌着該產線正式進入設備安裝調試階段，全部設備計劃於5月底完成搬入，為后續通線達產奠定了堅實基礎。

接下來，芯谷將全力推進后續設備安裝調試工作，確保產線早日通線達產。該產線於2023年啟動建設，規劃爲6英寸砷化鎵晶圓製造線。項目投產后，將進一步豐富公司產品線，提升芯谷在半導體領域的競爭力，加速推動國產半導體制造技術的突破與應用落地。同時，芯谷也將實現從芯片設計、晶圓製造、封裝測試、微波組件設計及生產等的全產業鏈貫通，完成向IDM公司的蜕變。

總投資55億！碳化硅產業園項目落地內蒙古

近日，內蒙古自治區通遼市庫倫旗迎來一項重大投資項目——總投資達55億元的碳化硅產業園項目。

該項目總投資55億元，佔地270畝，分三期滾動投資建設，計劃三年內全部達產。其中，一期投資5億元，建設年產15萬噸半導體級碳化硅粉體材料（電子級硅微粉）加工廠；二期投資25億元，建設年產50萬平方米碳碳復材加工廠；三期投資25億元，建設年產30萬套（件）碳碳復材剎車盤加工廠。項目投資方中科復材（吉林）科技有限公司成立於2021年6月4日，註冊資本5000萬元人民幣，位於吉林省長春市榆樹市聖凱倫雙創基地。該公司經營範圍涵蓋新材料技術研發、高性能纖維及複合材料製造、碳纖維再生利用技術研發等。

A-STAR推出全球首個工業級200毫米碳化硅開放研發生產線

近日 ，新加坡科技研究局（下簡稱A-STAR）推出全球首個工業級200毫米碳化硅開放研發生產線。A-STAR是新加坡政府下屬的主要科研機構，成立於1991年，隸屬於新加坡貿工部。

據悉，A-STAR此次推出的研發線由ASTAR微電子研究所（IME）運營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件製造與測試的完整流程，旨在解決SiC技術開發中高成本、技術分散等挑戰，加速其在電動汽車、電網及數據中心等高功率應用領域的商業化進程。該研發線將與關鍵設備OEM和材料供應商ASM、centrotherm（商先創）法國半導體材料公司Soite等建立密切合作。

A-STAR還公佈了另外兩項舉措：「Lab-in-Fab」第二階段項目和「EDA Garage」計劃。「Lab-in-Fab」第二階段項目的合作伙伴有意法半導體、ULVAC和新加坡國立大學，該項目專注於利用新加坡的研發生態系統來加速新的壓電材料和設備的開發。「EDA Garage」計劃將為當地公司，特別是初創企業和中小企業提供具有成本效益的高級電子設計自動化（EDA）工具，促進當地的半導體公司發展。

超10億元投資！中科飛測將在張江科學城成立第二總部！

5月13日，中科飛測集成電路量檢測設備合作伙伴大會暨上海張江研發中心及生產基地項目啟動儀式正式舉行。

據悉，中科飛測計劃投資超10億元在張江科學城成立第二總部，打造超13萬平方米的中科飛測集成電路檢測裝備上海張江研發中心及生產基地（飛測思凱浦）。

中科飛測自2014年成立以來，始終專注於高端半導體質量控制領域，憑藉自主研發創新，在多項關鍵核心技術上持續打破海外壟斷，達到國際先進水平，陸續推出了一系列填補國內空白的質量控制設備及智能軟件產品。通過10年不遺余力的追趕，中科飛測已完成所有光學量檢測設備種類的全面佈局，覆蓋接近70%的半導體質量控制設備市場容量，覆蓋集成電路前道製造、先進封裝、化合物半導體、大硅片及製程設備領域客户300余家，在國內全部大產線通過驗證並量產使用。

總投資約1億！青島富樂德半導體部件精密清洗項目竣工投運！

近日，青島富樂德半導體部件精密清洗項目竣工投運活動在青島自貿片區舉行。

據瞭解，該項目由安徽富樂德科技發展股份有限公司投資建設，總投資約1億元，專注於為集成電路企業提供半導體零部件的表面清洗、修復等精密服務。項目投產后，將以服務青島本地集成電路製造、設備及零部件企業為核心，輻射山東省及周邊區域，進一步完善區域產業鏈條。該項目的落地填補了青島市集成電路產業鏈在精密清洗領域的空白，標誌着青島在半導體產業配套服務能力上實現顯著提升。

總投資10億元，揚傑科技SiC車規級功率半導體模塊封裝項目開工！

5月9日，揚傑科技SiC車規級功率半導體模塊封裝項目開工。

本次開工項目計劃總投資10億元，佔地62畝，規劃建築面積約11.2萬平米。項目聚焦車規級框架式、塑封式IGBT模塊，SiC MOSFET模塊等第三代半導體產品，對標國際標杆，產品技術指標直追國際領先水平，可實現進口替代。項目全面達產后，預計可實現年開票銷售10億元，税收3000萬元，為地方經濟發展注入強勁動力。

邁為技術珠海半導體裝備產業園項目正式開工！

近日，邁為技術珠海半導體裝備產業園（二期）工程第二標段項目開工儀式隆重舉行。

邁為技術珠海半導體裝備產業園 （二期）工程第二標段項目，位於珠海市高新區金鼎片區金環路南、金鼎西路東側，規劃建設面積約9.5萬平方米。項目以打造國內頂級半導體高端裝備產業基地、資源基地為目標，涵蓋研發設計、核心部件製造、整機組裝及測試驗證全鏈條功能佈局，旨在通過完善從研發到量產的配套能力推動半導體產業向高端化、智能化、集羣化加速躍升。

作為珠海高新區標杆企業，邁為技術（珠海）有限公司自成立以來，始終聚焦半導體集成電路與半導體光電領域的高端裝備國產化突破。公司投資21億元建設的 「邁為技術珠海半導體裝備產業園」 總建築面積超48萬平方米，規劃打造三個產品線及五大研發中心，旨在通過智能化高端裝備的研發、製造與銷售，填補國內半導體高端裝備空白，引領行業創新發展，為我國半導體產業自主化進程注入新動能。

順義第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）預計7月底完工

據順義區融媒體中心消息：市、區兩級重點項目——第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）目前正全力推進中，預計今年7月底完工。順義科創集團為項目建設與招商工作按下「加速鍵」。

施工現場，工人們緊張有序地忙碌着。順義科創集團所屬順創芯聯公司經理徐伯星告訴記者，目前，整體項目進度已完成86%。「我們統籌資源搶抓節點，科學調配人力物力，細化任務分工，強化部門協同，緊盯目標任務，全力推進項目建設。」徐伯星介紹。

項目包括生產廠房、綜合樓、動力中心等11棟單體建築，總投資6.3億元，總佔地面積4萬平方米，總建築面積6.47萬平方米，由順義科創集團投資建設。與中關村（順義）第三代半導體產業園相比，二期工程增配了特氣站、危化品庫以及1萬平方米的動力中心，能為企業提供穩定可靠的能源和動力支持。目前危化品庫已完成主體結構施工，進入頂板施工階段，特氣站正在進行外牆龍骨施工。

總投資約11億元，南京芯德科技封裝產線升級項目新進展

日前，位於浦口經濟開發區的南京芯德科技封裝產線升級項目現場迎來新進展。

據悉，南京芯德科技封裝產線升級項目由江蘇芯德半導體科技股份有限公司投資建設，聚焦高端半導體封裝技術的提升與產能擴大。項目於去年2月啟動，計劃於2026年建成達產，總投資約11億元，項目依託60畝廠房，全面投產后預計年產值將突破18億元。項目建成投產后，將聚焦高端芯片封裝測試領域，譬如通信領域的5G射頻前端芯片、高速光通信芯片；人工智能領域的AI訓練芯片、自動駕駛感知芯片；高性能計算領域的HPC芯片、GPU先進封裝等。目前，該項目設備採購任務已完成80%以上，50%的設備進入安裝調試階段，引進高精度劃片機、晶圓級封裝光刻機、焊線機等。

超50億元，中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目封頂

5月6日，中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目舉行封頂儀式。

據此前報道，中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目總投資約52.93億元，將以時代電氣控股子公司株洲中車時代半導體有限公司為主體實施。產品主要用於新能源發電及工業控制、家電領域。項目建成達產后，可新增年產36萬片芯片產能，將有效提升時代電氣的中低壓組件基材產能，滿足市場需求，推進相關產品的國產化，進一步鞏固提升企業市場地位，增強核心競爭力。該項目佔地約266畝。新建生產調度樓、生產廠房、綜合樓、倒班樓、110kV變電站、動力廠房、制氮站、甲類庫、乙類庫、丁戊類庫房等建築面積共約8萬平方米，其中主廠房面積約35555.28m?,最大鋼桁架跨度約36米。項目投資估算總值約529286萬元，本項目建安費約5億元。項目去年6月啟動樁基工程，短短10個月建起了初具規模的大樓，預計今年7月完成設備搬入，年內實現項目竣工投產。

10億元，新增一年產100萬件半導體精密零部件項目

5月8日下午，半導體精密零部件製造項目簽約儀式在我市行政中心舉行。磊菱半導體設備（江蘇）有限公司總經理譚爾玉，市領導楊中堅、郭建、宋海華參加簽約儀式。

磊菱半導體設備（江蘇）有限公司為國內知名半導體企業提供設備關鍵零部件配套，此次簽約項目落户啟東經濟開發區，總投資約人民幣10億元，建設年產100萬件半導體精密零部件項目，用地約80畝，建設廠房約6萬平方米，項目預計2028年正式投產。

投資約7.2億，中顯OLED高清顯示模組項目落户浙江嘉興

5月29日，中顯OLED高清顯示模組項目簽約落户嘉興國家高新區。總投資1億美元（約人民幣7.2億元），年產400萬片OLED高清顯示模組。項目達產后，預計實現年產值9億元。

項目投資方香港恆通國際貿易有限公司自2010年成立以來，深耕觸控顯示行業十五載，產品暢銷全球。該公司專注於液晶顯示模組（LCM）、全貼合觸控顯示一體化模組（TDM）的技術研發與製造，服務領域廣泛，涵蓋通訊設備、數碼電子、手持終端、智能家居、物聯網設備、健康醫療、人工智能、可視電話、對講機、車載電子等多個行業終端品牌客户，提供專業的顯示、觸摸一體化解決方案。