含 12800MT/s MRDIMM，SK 海力士內存新品亮相臺積電北美技術論壇

IT之家 4 月 27 日消息，SK 海力士在當地時間 4 月 23 日舉行的臺積電 2025 年北美技術論壇上展示了多款 DRAM 內存新品，包括先進的 HBM 內存和標準 DIMM 模組。

其中在 HBM 部分，作為首家在 HBM 領域實現 16 層鍵合的內存企業，SK 海力士帶來了採用 Advanced MR-MUF 鍵合技術的 16Hi HBM 內存模型。

而在具體 HBM 內存產品上，SK 海力士的 HBM3E 和 HBM4 實物也現身論壇，其中 HBM4 內存目前支持 16Hi 堆疊，單堆棧容量可達 48GB，I/O 速度為 8.0Gbps，整體帶寬為 2.0TB/s，邏輯裸片 (Logic Die) 部分採用臺積電先進製程。

在常規 DIMM 模組部分，SK 海力士則展示了豐富的產品組合。對於一般 RDIMM，此次展出的型號速率都達到了 8000MT/s，包括三款：基於先進 1c nm 製程，最高 64GB 容量；採用 3DS 鍵合堆疊技術，容量可達 256GB；採用較舊制程，容量 96GB。

對於面向先進服務器的 MRDIMM，SK 海力士則端出了三款速度可達 12800MT/s 的產品：標準板型、基於 1c nm DRAM 的款式容量可達 64GB；同樣採用傳統板型但基於更舊制程的型號則可達到 96GB；採用更高板型的產品容量能進一步拓展到 256GB。