UFS 4.0主控芯片匯總，驅動生成式AI設備的存儲引擎

人工智能技術的快速發展，生成式AI已成為當前時代的核心發展方向。將生成式AI引入智能設備，特別是隨身攜帶的智能終端中，已被視為未來技術發展的必然趨勢。智能手機作為最重要的終端之一，正成為生成式AI應用的先鋒平臺。

生成式AI對閃存提出了很高的要求，特別是在數據處理速度和傳輸效率方面，目前最高的閃存標準是JEDEC協會在2022年推出了UFS 4.0標準，相比上一代，傳輸速度等方面具有翻倍的提升，相信也是之后旗艦手機乃至新一代AI手機的標配。充電頭網也將UFS各代的主要參數匯總成下表所示，讓各位有一個更加全面的瞭解

順序讀寫速度會因不同的設備、測試環境以及芯片廠商的優化等因素而有所差異，故以上均為理論參數大致範圍，數據僅供參考。

在這一背景下，各大存儲主控芯片廠商也紛紛加快了對UFS 4.0解決方案的佈局。

UFS 4.0 主控芯片匯總

充電頭網匯總了目前市面已知的一些UFS4.0主控芯片，並已匯總成下表所示，方便各位選型和了解。

排名不分先后，按企業英文首字母排序。

KIOXIA鎧俠

鎧俠UFS 4.0

鎧俠最新一代UFS 4.0閃存芯片提供256GB、512GB和1TB容量規格。這款芯片採用了鎧俠的BiCS Flash 3D閃存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每個設備46.4 Gbps的理論接口速度，並向后兼容UFS 3.1。

與上一代UFS 4.0產品相比，新閃存芯片的順序寫入速度提升15%，隨機寫入速度提升了50%，隨機讀取速度提升30%，順序讀取速度不變，依舊維持在4640MB/s。另外，新產品採用JEDEC標準的9mm×13mm封裝，比上一代11mm x 13mm的封裝小18%，其中256GB和512GB的閃存封裝厚度為0.8mm，1TB的封裝厚度為0.9mm。

Micron美光科技

美光UFS4.0

這款存儲基於232層3D NAND技術構建，尺寸只有9×13mm，跟去年6月份發佈的11×13mm存儲解決方案相比，前者的尺寸縮小了20%，同時也沒有影響性能。該存儲最高提供1TB空間，順序讀取速度達到了4300MB/s，順序寫入速度達到了4000MB/s。

Phison羣聯電子

羣聯PS8361

PS8361瞄準最高規格的旗艦手機市場，屬於UFS 4.0控制芯片，採用了12nm工藝製造，為四通道設計，最大閃存容量為1TB，搭載第六代LDPC+RAID ECC糾錯技術，順序讀寫速度可超過4000MB/s，在其每單位mA的讀取性能提升下，將能有效延長移動設備的電池使用效率。

SAMSUNG三星

三星 UFS 4.0

三星新開發的 UFS 4.0 採用三星第 7 代 V-NAND 和專有控制器，將實現 4200 MB/s的順序讀取速度和 2800 MB/s 的順序寫入速度，分別是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。能效同樣獲得大幅提升。三星全新 UFS 4.0 每毫安 (mA) 電力可提供高達 6.0 MB/s 的順序讀取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同電池容量下，它讓智能手機獲得更長續航時間。

三星 UFS 4.0 增加了一個先進的重放保護內存塊 (RPMB)。利用這種設計，對於僅在通過身份驗證后才能讀取或寫入的重要個人數據，存儲效率提高了 1.8 倍。這款新型移動存儲解決方案極為小巧，最大外形僅 11mm x 13mm x 1mm，最高容量可達 1TB。

SiliconMotion慧榮科技

慧榮SM2756

SM2756主控芯片可以説是目前最先進的UFS4.0主控解決方案之一，基於6nmEUV工藝技術，採用了雙通道設計，運用了MIPIM-PHY低功耗架構，使其在性能與功耗間取得完美的平衡，滿足了當今頂級人工智能移動裝置24小時運算的需求。

在性能方面，SM2756能夠提供超過4,300MB/s的順序讀取速度和超過4,000MB/s的順序寫入速度，同時支持最新的3DTLC和QLCNAND閃存技術，並能處理高達2TB的存儲容量。

充電頭網總結

生成式AI技術的迅猛發展，智能設備的存儲性能需求也在不斷提升。UFS 4.0作為當前存儲技術的前沿標準，正在逐漸成為智能終端的標配。

UFS 4.0不僅在傳輸速度方面大幅提升，更在功耗控制和數據安全性上進行了優化，使得智能手機和平板電腦等設備在處理生成式AI任務時具備更高的能效與續航表現。通過採用更先進的工藝技術以及NAND閃存架構，這些主控芯片能夠為設備提供更高的性能，滿足未來AI時代的嚴苛需求。