晶圓廠，大砍資本支出

這家領先的晶圓代工巨頭表示，與去年同期相較，公司2024年第四季營收增加了38.8%到新臺幣8684.6億元，稅后純益與每股盈余皆增加了57.0%到新臺幣3746.8億元。與前一季相較，2024年第四季營收增加了14.3%，稅后純益則增加了15.2%。

臺積電進一步指出，公司2025年AI相關需求持續強勁增加，2025年AI加速器營收可望翻倍；2024年至2029年AI加速器營收年複合增長率接近45%。展望2025年，公司將帶來2nm，2026年帶來A16工藝。

此外，為迎合5G、AI人工智能及高效能運算對先進製程和先進封裝強勁需求，公司決定今年大舉提高全年資本支出，由去年近300億美元（實際為298億美元），直衝至380億美元到420億元，以中位數計算，今年資本支出至少達400億美元，將是各大半導體廠中，投資手筆最高。

從市場研究機構Counterpoint Research公佈的數據可以看到，2024年第3季全球晶圓代工市場收入份額排名，臺積電以64%的市場份額穩居全球首位，較第2季增長2個百分點。由此可見，這家全球領先晶圓代工巨頭一騎絕塵。

但從市場現狀看來，除了臺積電一家吃飽以外，其他晶圓代工廠都不太好。

三星投資削減50%以上

首先看排名第二的三星電子。據Counterpoint Research的數據，三星晶圓代工部門排名全球第2，市場份額達12%，這主要得益於4nm和5nm製程的穩定增長。不過韓媒在日前報道中指出，受困於客户訂單疲軟、良率低和先進工藝延迟等問題，三星將2025年的晶圓代工投資削減50%以上。

報道指出，儘管多年前就宣佈開始3納米工藝量產，但三星電子在爭取客户方面仍面臨困難。2022年6月，業內率先應用3nm環柵（GAA）工藝量產。然而，第一代3nm節點(SF3E)在產量和效率方面的表現一直低於預期，僅在加密貨幣挖礦等利基市場中得到採用。此外，三星系統LSI部門開發、採用三星代工廠3納米工藝生產的Exynos 2500，據報道其良率也令人失望。

行業專家認為，三星代工3納米工藝的主要問題是良率和功效不佳。特別是，三星電子非常注重控制功耗和熱量，但根據分析，其性能仍比臺積電低10%～20%。隨着人工智能服務在移動和服務器市場的擴展，芯片功率效率已成為關鍵因素。

行業人士分析説：「大客户選擇臺積電的主要原因是兩家公司在尖端工藝上提供的芯片功率效率存在差異。」儘管臺積電3nm芯片的生產成本比5nm提高了25%以上，但選擇臺積電還是因為顯着的性能差異。

該行業人士還強調了熱管理方面的挑戰。他們解釋道：「過去20年來，半導體的散熱問題一直是領先芯片製造商面臨的長期挑戰，但隨着AI半導體時代的到來，它已成為一個關鍵問題。」「在移動芯片中，熱量問題可能會損害智能手機的整個結構，而對於服務器芯片來説，一個服務器機架產生的熱量可能會像野火一樣蔓延，可能導致整個服務器過載。」

但是，三星在過去很長一段時間里一直苦苦掙扎於這些問題。特別是在進入到2nm時代，公司引入背面供電（BSPDN）技術后，三星重燃希望。

三星電子公司新任芯片代工業務負責人韓進萬（Han Jin-man）在12月初表示，他將全力以赴改進公司先進的2納米芯片處理技術，並爭取更多客户，與代工競爭對手臺積電抗衡。韓進萬在就任三星代工業務負責人時向員工發表講話，表示將推行「雙軌戰略」，縮小三星與臺積電的技術差距。他承認：「儘管我們是第一個過渡到全柵（GAA）工藝的公司，但在商業化方面仍然存在重大缺陷。」

與此同時，三星在成熟工藝方面也面臨着來自中國企業的成熟製程競爭。於是，爲了提高代工業務的盈利能力，三星計劃擴大10納米及以上成熟工藝的客户羣。額外提一下，三星該業務的季度虧損已超過1萬億韓元（7億美元）。

基於上述種種考慮，出現了前文所談到的三星削減資本支出計劃。

韓媒指出，三星晶圓廠將2025年的設施投資預算設定為5萬億韓元左右，較2024年的10萬億韓元投資範圍大幅下降。報道進一步指出，這一決定是在2021年至2023年一段時期的積極投資之后做出的，在此期間，三星代工廠花費了約20萬億韓元來擴大產能並推進技術。

然而，在去年10月發佈的2024年第三季度財報中，三星電子就已經預測對設施投資採取保守態度，表示「預計2024年設施投資執行規模將減少」，「2025年我們將最大限度地增加設施投資」。現有生產基礎設施的運營。」

今年的代工投資將集中在華城S3工廠和平澤2工廠(P2)。在S3工廠，部分3nm（納米，十億分之一米）生產線將轉換為2nm。此次改造涉及在現有生產線上增加一些設備，不屬於大規模的新增投資。同時，P2工廠計劃於今年內安裝一條1.4納米測試線，每月產能為2，000至3，000片晶圓。此外，還將進行小規模投資，補充美國泰勒工廠的各種設備和基礎設施。

一位高管解釋説：「三星代工廠似乎優先考慮的是增強其2納米技術競爭力，而不是大幅減少投資。」這種對推進2nm技術的戰略重點被視為提高三星在市場中的地位並解決其當前面臨的技術挑戰的關鍵舉措。

聯電大砍37.93％資本支出

作為行業領先的另一家晶圓代工廠，聯電在2024年全年每股盈余（EPS）為3.79元，相比2023年的4.93元減少，創近4年新低。展望未來，2025年資本支出預算規劃18億美元，低於去年的29億美元，年減37.93％，聯電預期本季毛利率將降至逾25％水準，同步下探4年新低。

聯電共同總經理王石表示，今年資本支出比去年低，主因新加坡P3廠大部分支出已於去年交付，聯電今年並無顯着擴張計劃，預期P3廠如期於2026年投產。

具體而言，臺媒報道指出，聯電2024年自結合併營收2323.03億元、年增4.39％，創歷史次高，營業利益516.13億元、年減10.84％，為歷史第四高。惟受業外收益驟減達64.62％拖累，歸屬母公司稅后淨利472.11億元、年減達22.59％，每股盈余3.8元，雙創近4年低。

聯電2024年第四季晶圓出貨量約90.9萬片12吋約當晶圓，季增1.5％、年增17.29％，總產能約128萬片，季增0.47％、年增6.31％，稼動率自71％略降至70％，美元平均售價（ASP）持平。受例行歲休影響，2025年首季產能估降至126.4萬片，季減1.25％、年增4.29％。

但是，聯電在短期內預計將面臨更多挑戰，公司預測2025年第一季度毛利率將從近幾個季度報告的33.11%下降至約25%。這是由於折舊成本上升、一次性價格調整以及近期地震的輕微影響等因素綜合導致的。

展望今年剩余時間，臨電管理層的目標是實現個位數的同比收入增長，相比行業預期約10%的增長率和成熟節點代工業務預期的低個位數增長率而言較為温和。

花旗則對聯電進行了降級，這反映了對半導體公司前景的擔憂，原因包括「持續具有挑戰性的環境」、折舊成本增加以及落后邊緣代工需求復甦緩慢。分析師建議投資者可能更傾向於等待落后邊緣代工板塊需求復甦的明確信號。

凱基投顧也認為，聯電面臨多重挑戰。輝達Hopper GPU因世代交替、需求減少，預期非臺積電供應鏈因缺乏CoWoS-L技術，將受到影響。聯電並未對其先進封裝業務具體評論，僅強調已準備好下一代產品。此外，凱基投顧指出，聯電將面臨的挑戰包括：一、折舊費用上升，2025年將年增25％～29％（相較2024年為21％～24％），並將於2027年達到頂點。二、成熟製程因供過於求導致單位售價下降，且隨大陸產能擴張，壓力恐進一步擴大。三、產能利用率提升有限，預期2025年將維持在70％。四、2025年第一季地震導致毛利率下滑低個位數百分比。

聯電共同總經理王石表示，展望2025年，半導體市場有望迎來成長年，主要受AI服務器需求強勁，及智能手機、電腦和其他電子設備中的半導體含量增加驅動。對此，聯電持續投資技術創新，開發領先業界的特殊製程解決方案，以迎接下一波系統升級需求浪潮。

王石指出，聯電的22納米特殊製程平臺，在降低功耗及提升性能方面較28納米具備顯着優勢，以應用於下一代通訊技術和顯示驅動IC，客户對於升級至22納米特殊製程平臺展現強烈意願，目前22納米產品的投片正在加速進行，預期自今年起將帶來更高的營收貢獻。

在建構技術基礎方面，聯電積極拓展先進封裝解決方案，使未來AI應用潛力能充分發揮。此外，公司關鍵擴產項目正按計劃進行，位於新加坡的第三期新廠將增強客户供應鏈韌性；與英特爾共同開發的12納米制程平臺，也將滿足客户在22納米以下製程升級的需求。

如上所述，包括CoWoS在內的先進封裝會是聯電的新殺手鐗。

綜合媒體報導，近期先進封裝產能供不應求，不只臺積電CoWoS產能被國際大廠搶着要，近期晶圓代工廠聯電也傳出接到高通高速運算（HPC）先進封裝大單。但聯電對此迴應道，不對單一客户迴應。

寫在最后

其實除了上述幾家明確削減資本支出以外，英特爾、力積電和世界先進等也都因應各自狀況。有增有減。據相關消息顯示，國內的晶圓代工企業在投資方面也相對謹慎，或者根據國際環境變化做出調整。

與此同時，TrendForce在最新研究報告指出，NAND Flash產業今年持續面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力，除了美光率先宣佈減產，鎧俠／SanDisk、三星和SK海力士／Solidigm也啟動計劃，長期可能加速供應商整並步伐。這也是影響行業的一個不確定因素。

總而言之，這些晶圓代工廠的決定，會對未來的行業發展帶來影響，首當其衝的就是半導體設備行業。尤其是在中國大陸市場，因為一系列的原因影響，更是呈現別樣情。

參考鏈接：https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=234154