英諾賽科成功在港上市，踏上全球化發展新徵程，股票代碼02577.HK

2024年12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱「英諾賽科」或「公司」）正式在香港聯合交易所主板掛牌上市，股票代碼02577.HK。這是國內半導體行業的一件大事。作為一家專注於氮化鎵（GaN）功率器件研發、生產與銷售的企業，英諾賽科的上市不僅是企業自身發展的重要里程碑，更標誌着國內第三代半導體技術加速走向國際市場。

英諾賽科的發展歷程與技術積累

英諾賽科是一家專注於第三代半導體氮化鎵芯片研發與製造的高新技術企業，產品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。公司專注於氮化鎵技術的創新，致力於為消費電子、通信、電動汽車等領域提供高性能的功率器件解決方案。憑藉垂直整合的商業模式，英諾賽科覆蓋了從晶圓製造到器件封測的全產業鏈。

在2017年時，英諾賽科就開啟了全球首條 8 英寸硅基氮化鎵量產線，採用IDM全產業鏈模式，成功研製 8 英寸硅基氮化鎵晶圓。2018年，第一款低壓氮化鎵功率器件上市，2019年，650V 高壓氮化鎵器件通過JEDEC，從此英諾賽科成為全球唯一一家同時量產高壓和低壓氮化鎵的半導體公司。

作為業內少數的IDM廠商，英諾賽科經過前面7年左右時間的積累，已基本形成全產品的生態鏈，產品涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大類。

而截至2023年末，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市佔率高達42.4%。作為全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，英諾賽科在多個技術及應用領域取得了顯著成就。與6英寸硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術能夠使每晶圓的晶粒產出數提升80%，單顆芯片成本降低30%。

截至目前為止，英諾賽科GaN芯片出貨量累計出貨量已突破10億顆。

英諾賽科經典產品介紹與案例分析

提到英諾賽科，就不得不提到它的明星產品InnoGaN開關管了，InnoGaN開關管具有寄生電容更小、無反向恢復電荷、單位面積導通電阻更小等優點，其開關速度比傳統Si MOS快8倍以上，開關損耗可降低高達70%。得益於先進的GaN工藝與製程技術，如今英諾賽科的芯片已全面覆蓋消費電子領域，並逐漸延伸至工業、汽車領域。

充電頭網根據多年的拆解案例，發現英諾賽科InnoGaN開關管已進入OPPO、小米、聯想、安克、綠聯、努比亞等諸多大廠供應鏈，實際應用案例超百款，也是目前市面上最先量產的先進製程氮化鎵功率器件，打破了長期海外氮化鎵器件廠商壟斷功率器件市場的情況，加速功率器件國產化進程，為中國市場贏得了更多自主權。

此外，英諾賽科自主研發的雙向導通產品VGaN，作為全球首款導入智能手機內部電源開關領域的氮化鎵芯片，通過採用一顆VGaN替代此前共漏連接的背靠背NMOS結構，成功實現電池充電與放電電流的雙向開關功能。在相同的佔板面積下，VGaN的導通電阻降低了50%，温升減少了40%，顯著提升了系統的性能和效率。據悉，包括OPPO、Realme、一加等品牌廠商均已將英諾賽科的VGaN技術應用於其智能手機產品中，實現了手機全鏈路氮化鎵快充方案的落地。

而在氮化鎵合封芯片領域，英諾賽科也推出過多款產品，涵蓋高壓、低壓、驅動器等多種類型，此前充電頭網也已做過詳細介紹。

氮化鎵市場前景

根據弗若斯特沙利文的數據，氮化鎵功率半導體產業規模增長迅速，預計到2028年，全球市場規模將達到501億元人民幣，佔全球功率半導體市場的10.1%。相比傳統硅材料，氮化鎵憑藉高頻、高耐壓和高電子遷移率等性能優勢，已在電動汽車、數據中心、光伏發電站等領域展現出廣闊應用前景。

英諾賽科董事長表示：「此次成功在香港交易所上市，是公司發展歷程中的重要里程碑。作為全球氮化鎵行業的領軍企業，我們始終致力於技術創新，推動高頻、高效、綠色節能的氮化鎵產品走向全球市場。這不僅是對公司過往成就的肯定，更是開啟新發展階段的起點。未來，我們將堅定推進全球化戰略，與合作伙伴攜手，共同引領氮化鎵產業邁向綠色發展的新紀元。」

充電頭網總結

此次英諾賽科在港交所主板成功上市，也意味着公司發展邁入了全新的階段。這不僅是企業實力與潛力的象徵，更是資本市場對英諾賽科技術能力和市場領導地位的高度認可。上市可為公司提供更廣闊的融資渠道和資源支持，進一步夯實了其全球化發展的基礎。

我們也期待英諾賽科在未來的發展中，能繼續鞏固其在氮化鎵技術領域的頭部地位，推動相關技術在更廣泛場景中的應用落地，助力產業鏈上下游的協同發展，為第三代半導體技術的高效、綠色、可持續發展貢獻更大的力量。

展會預告

英諾賽科參加充電頭網主辦的2025（春季）亞洲充電展，展位號位於C區C13、C14，3月28日歡迎蒞臨展會現場交流、洽談。