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2024-12-30 11:15
來源:創業邦
作者丨巴里
圖源丨英諾賽科
半導體科技往往被認為是男性主場的行業,但如今,蘇州衝出了一位女科學家。
12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱「英諾賽科」)成功在港交所掛牌。英諾賽科IPO發行價定為每股30.86港元,開盤價每股31.00港元,截至發稿,總市值達295.40億港元(約合277.67億元人民幣)。
英諾賽科背后的靈魂人物是曾任美國宇航局(NASA)首席科學家的駱薇薇。2017年,駱薇薇回國創業,帶領公司在7年內獲得了超過60億元的融資,連寧德時代董事長曾毓羣也以個人名義進行了投資。
這家公司專注於氮化鎵(GaN)技術,氮化鎵不僅讓手機充電速度更快、充電器更小巧,還能大幅提升電動汽車的續航能力。
目前,其擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,並且是全球首家實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的公司,打破了國外巨頭在該領域的壟斷地位。
在消費電子領域,英諾賽科已經擁有小米、OPPO、vivo、榮耀、聯想等知名客户。此外,公司也進入了電動汽車和自動駕駛領域,推出了100V車規級氮化鎵器件。
根據弗若斯特沙利文的數據,英諾賽科2023年的收入在全球氮化鎵功率半導體企業中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計,2023年英諾賽科的市場份額為42.4%,同樣在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一。
女科學家創業7年
干出全球第一
英諾賽科的背后,是一位女性科學家的堅韌與智慧。
駱薇薇畢業於新西蘭梅西大學,於2008年8月獲得應用數學博士學位后,在美國宇航局(NASA)工作了15年,從高級項目經理一直干到了首席科學家。
然而,她並沒有選擇安逸的生活道路,而是勇敢地踏上了創業之路。2015年12月,她先后創立了兩家專注於新材料研發的高科技企業。
2015年底,憑藉敏鋭的市場洞察力,駱薇薇看到了第三代半導體產業的發展潛力,決定回國組建團隊,並於2017年成立了英諾賽科半導體有限公司,開啟了她的第三次創業旅程。
儘管當時許多人對她的選擇持懷疑態度——甚至有人直言這是「火坑」,勸她不要冒險嘗試,但駱薇薇依然堅持自己的夢想。
初期階段充滿了挑戰:僅有一名員工願意跟隨她回到中國;研發資金迟迟未能到位……作為一位母親,她也不得不缺席孩子成長過程中許多重要時刻。
「雖然作為媽媽我覺得很遺憾,但我也希望他知道,每個人都有追求自己理想的權利,人生需要通過不懈努力來實現。」面對困難與犧牲,駱薇薇這樣説道。
回顧這段艱辛歷程時,駱薇薇坦誠地説:「真的很難,非常難。」
根據弗若斯特沙利文提供的數據,新進入者想要生產8英寸氮化鎵功率半導體產品可能需要長達九年的時間才能達到全面生產能力;而從6英寸向8英寸過渡的過程同樣耗時且成本高昂,只有當良品率達到90%以上纔算成功。
令人驚歎的是,如今英諾賽科已經成為全球首家實現8英寸硅基氮化鎵量產的企業,在短時間內打破了國外巨頭對中國市場乃至全球市場在該領域的壟斷地位。
根據弗若斯特沙利文的數據,英諾賽科2023年的收入為5.93億元,市場份額達33.7%,在全球氮化鎵功率半導體企業中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計,2023年英諾賽科的市場份額為42.4%,同樣在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一。截至2024年6月30日,其累計出貨量已超過8.5億顆。
作為對比,全球其他主要的氮化鎵功率半導體公司如EPC、英飛凌、Navitas、Power Integrations等公司提供6英寸產品為主。
目前,英諾賽科的產品不僅廣泛應用於消費電子產品快速充電領域,還逐漸拓展到了LED照明、數據中心、工業自動化以及新能源汽車等多個行業。同時,該公司已與小米、OPPO、比亞迪等國內外知名企業建立了合作關係。
對於外界關於為何敢於涉足如此高難度領域的疑問,駱薇薇表示:「每個項目對我們來説都是全新的探索,不應該讓經驗成為障礙。如果你相信某件事是可行的,那麼你就會調動所有資源去實現它。」
正是這種勇於探索未知的精神支撐着她不斷前進。
駱薇薇經常鼓勵年輕創業者:「即使你不清楚自己有多大潛能,也要相信自己能夠做得比想象中更多。只要心中有目標併爲之奮鬥,沒有什麼是不可能完成的。」
寧德時代創始人
「送錢又送訂單」
睿獸分析的數據顯示,自2016年成立以來,英諾賽科在7年間完成了7輪融資,吸引了包括朗瑪峰創投、招銀國際、華業天成、鈦信資本、中天匯富、國民創投以及毅達資本等多家知名投資機構的關注與支持。此外,蘇州、深圳和珠海等地的地方產業基金也對該公司進行了加持。
值得注意的是,除了A輪5500萬元人民幣的融資外,英諾賽科后續每一輪融資的規模都非常龐大:
2019年10月完成B輪融資15.02億元人民幣;2021年5月完成C輪融資14.18億元人民幣;2022年2月完成D輪融資26.09億元人民幣;今年4月結束的E輪融資金額為6.5億元人民幣。
截至E輪,公司的總融資額超過了60億元人民幣,並且最新一輪融資后的估值達到了驚人的235億元人民幣,使英諾賽科成爲了名副其實的超級獨角獸企業。
值得一提的是,寧德時代創始人、董事長曾毓羣在2021年英諾賽科的C輪融資中,以個人身份斥資2億元人民幣購買了價值7504.54萬元人民幣的公司註冊資本份額。
這也是他首次以個人身份投資一家半導體公司。
到了2023年,他將這部分股權轉讓給了他的妻子洪華燦,后者現在持有大約1.78%的企業股份。
從2022年開始,寧德時代也一直是英諾賽科的第一大客户。
2024年上半年,英諾賽科從寧德時代獲得的營業收入為1.04億元,佔總營收比例高達27.1%,其向寧德時代銷售的主要產品,即為用於鋰電池化成分容設備的電源模組。
隨着將寧德時代這個大客户「收入囊中」,這就給英諾賽科在氮化鎵模組產品上提供了源源不斷的訂單。
目前,英諾賽科的創始人、董事長駱薇薇直接持股5.9%,間接持股23.1%,並通過協議,持有公司聯合創始人持有的5.47%股權,合計控制公司34.48%股權。
此外,英諾賽科還匯聚了一批優秀的人才:中科院物理化學博士吳金剛、美國加利福尼亞伯克萊分校的理學學士Jay Hyung Son,北大物理學博士汪燦、華中科技大學法學院教授易繼明博士、曾任中芯國際技術開發與製造的高級副總裁楊士寧博士、前英特爾首席工程師,廣東晶科電子創始人並獲得香港銅紫荊星章的陳正豪博士。
英諾賽科本次計劃全球發售4536.40萬股H股,扣除全球發售應付的包銷佣金、費用及開支后,募資淨額約13.64億港元(按發售價範圍中位數32.26港元計)。
募集所得資金淨額將主要用於擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買並升級生產設備與機器,以及招聘生產人員;研發並擴大產品組合擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡等方面。
月產上萬片晶圓
海外市場佔比10%
目前,英諾賽科已經實現了從芯片設計到製造、封裝和測試的全產業鏈覆蓋,採用了IDM(集成設備製造商)業務模式。其客户羣體涵蓋了半導體制造服務供應商、專注於可再生能源技術的高科技企業以及汽車OEM的一級供應商。
從供應鏈來看,英諾賽科屬於中游供應商,下游企業涵蓋消費類電子、光伏及儲能、軌道交通、工業電機、UPS電源、新能源汽車等領域。而這其中,消費類電子仍然是該賽道核心的應用方向,根據弗若斯特沙利文測算,2023年全球氮化鎵功率半導體市場規模累計達到17.6億元,其中消費電子為14.12億元,佔比超過80%。
英諾賽科的營收也實現了快速增長。
招股書顯示,2021-2023年和2024年上半年,英諾賽科實現收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元和3.86億元,呈現持續倍增態勢。
儘管收入持續增長,但英諾賽科至今尚未實現盈利狀態。在此期間,公司經調整淨虧損分別為10.81億元、12.77億元、10.16億元和3.78億元,合計虧損37.74億元。
對於持續虧損的原因,英諾賽科解釋説主要是由於生產設備大幅折舊、大額研發開支、銷售及營銷開支的不斷增加導致。
英諾賽科表示,「儘管我們預計2024年將產生淨虧損、經調整淨虧損(非香港財務報告準則計量)及經營現金流出淨額,但隨着規模經濟不斷增長、嚴謹的成本控制措施以及經營效率持續改善,我們預計利潤率將大幅提升,並推動我們的長期持續盈利。」
具體來看,公司提供的產品包括分立器件及集成電路、晶圓片以及模組等。特別是自2023年起開始供應氮化鎵模組后,上述三大類產品分別佔總營收的比例為32.4%、35.2%和32.1%。
根據招股説明書顯示,中國市場一直是英諾賽科的主要戰場,在過去三年里貢獻了絕大多數收入。2021年至2023年間,中國市場帶來的收入佔比依次為99.7%、95.5%和90.2%。
同時值得注意的是,該公司也在積極拓展海外市場,並在硅谷、首爾等地設立了子公司。
據統計,2021年至2023年期間,海外業務佔總收入的比例逐年上升,分別為0.3%、4.5%和9.8%。2024年上半年,英諾賽科來自境外的銷售收入佔比增加到了10.5%,銷售金額達到了4040萬元。其中,增長最大的國家是韓國,佔比提升到了7.2%,金額達2760.3萬元。
在研發投入方面,雖然整體呈現逐步降低的態勢,但從絕對值上看仍然保持較高水平。
2021-2023年,英諾賽科的研發開支分別為6.62億元、5.81億元和3.49億元,佔當年總運營成本的比例分別為76.1%、68.4%和50.8%。2024年上半年達到1.455億元(2023年上半年為1.679億元)。
對此,英諾賽科解釋稱,主要是公司自2022年第二季度起,從研發階段進展至大規模生產階段,工程測試開支減少,以及僱員開支減少所導致的。
截至2023年底,英諾賽科擁有一支由397名專業人員組成的研發團隊,在全球範圍內持有大約700項專利或專利申請,覆蓋了芯片設計、器件結構優化等多個核心技術領域。
此外,該公司還運營着全球規模最大的氮化鎵功率半導體生產基地之一。截至2024年6月30日,英諾賽科氮化鎵晶圓總產能已經達到了每月12,500片晶圓,良品率達到95%以上,亦高於其他氮化鎵功率半導體制造公司的平均產品良率(約90%至95%)。
英諾賽科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C™ 來生產8英寸GaN-on-Si晶圓,圖源:英諾賽科
然而,在其發展歷程中也面臨着一些挑戰。
例如,招股書顯示,英諾賽科正面臨兩名競爭對手——宜普電源轉換公司(EPC)及英飛凌針對其若干產品潛在知識產權侵權提出的訴訟,並且涉及美國、德國多地。目前,這些訴訟事項當中的多項仍處於相對較早階段,若判決不利,公司可能會被禁止生產或銷售侵權產品、或責令支付金錢賠償。
今年11月8日,英諾賽科宣佈,美國國際貿易委員會(ITC)2024年11月7日發佈的337調查終裁決定顯示,英諾賽科沒有侵犯EPC的US'508號專利英諾賽科的客户將其產品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉換公司之間正在進行的專利糾紛的影響。
如今,這位女科學家帶領的英諾賽科以全球第一的傲人成績成功登陸港股。
在這背后,離不開她對於產業節奏的精準把握、產能的持續擴張、高良品率與低成本的優勢等方面,未來藉助上市后的資本也必將進一步加快全球化佈局。