存儲大廠獲數百億補貼擴產尖端DRAM，來看看最新市況

近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用於加強尖端DRAM供應能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公佈9家。另外近日存儲市場動態頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。

存儲大廠獲美補貼61.65億美元加強尖端DRAM供應能力

12月10日，美國宣佈，美國商務部根據《芯片與科學法案》激勵計劃，向美國存儲芯片大廠美光科技提供高達61.65億美元的直接資金資助，以支持美光科技未來20年內在紐約州投資1000億美元和在愛達荷州投資250億美元的產能建設計劃，並將幫助其在先進存儲製造領域的份額從目前的不到2%提高到2035年的約10%。據悉，商務部將根據美光項目里程碑的完成情況發放資金。此外，美國還宣佈，商務部已與美光科技簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，擬撥款高達2.75億美元，用於支持美光擴建和現代化位於弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。

美國商務部表示，這項投資將通過加強國內尖端DRAM芯片的可靠供應，來幫助增強美國經濟的韌性，上述國內尖端DRAM芯片是個人計算、工業、高性能計算、汽車、工業、無線通信和人工智能等先進技術的重要組成部分。另外美光的DRAM芯片還為該公司的高性能內存（HBM）提供動力，這對於實現新的AI模型至關重要。利用這筆資金，美光計劃在紐約和愛達荷州擴大最先進內存半導體技術的開發和生產，並承諾在2030年前投入約500億美元。

廠房建設的進一步細節也隨之披露，擬議項目將包括把美光的1-alpha技術引入其馬納薩斯工廠，並顯著提高每月晶圓產量。公開資料顯示，美光的1-alpha節點是一種先進的DRAM工藝技術，在位密度、功率效率和性能方面都有顯著的改進。

除美光外，據全球半導體觀察不完全統計，美國政府在近兩個月內接連宣佈了多項芯片補貼計劃，涉及企業包括Coherent、Skywater Technology Foundry、X-Fab、Absolics、Entegris、英特爾、格芯、臺積電等。

存儲市場加速迭代

產業鏈加快調整適配明年新發展

另外，近期三星、Marvell、鎧俠等相繼釋放了最新市場動態，其中SK海力士新設AI芯片開發和量產部門；鎧俠敲定發行價，SK海力士有望成為第三大股東；三星實現閃存技術革新，或計劃明年增加先進存儲產量；Marvell則推出定製HBM計算架構。

鎧俠敲定發行價

鎧俠將在12月18日於東京證券交易所IPO上市，12月9日，鎧俠宣佈，IPO每股發行價確定為1455日元。鎧俠在11月22日獲得東證上市許可時、所設定的預估發行價為1390日元，在根據投資人需求以及當前的市場環境后，將發行價提高至1455日元。

根據鎧俠向金融廳提交的資料顯示，在鎧俠上市后，其大股東美國投資基金貝恩資本將出售1265萬1200股鎧俠股票、股票出售數較11月22日公佈的數量(1444萬7400股)減少12%。原先貝恩資本對鎧俠的出資比重預估將從現行的56%降至51%，但因貝恩資本縮減出售數、預估將降至52%；東芝也將出售3772萬8900股、出資比重將從41%降至32%。

Marvell推出定製HBM計算架構

12月10日，Marvell宣佈推出一種新的定製HBM計算架構，使XPU能夠實現更高的計算和內存密度，提高其定製XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與雲客户和領先的HBM製造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發定製HBM解決方案。

據悉，Marvell定製的HBM計算架構通過其獨特的HBM I/O接口設計，與標準HBM接口相比，可提高性能並將接口功耗降低高達70%。該架構還將傳統的HBM支持電路從XPU邊緣轉移至HBM堆棧底部的基礎裸片上，這一改變使得XPU芯片能夠節省出最多25%的面積，用於計算能力的進一步擴展；另外，單一XPU所能連接的HBM堆棧數量也實現了最高33%的增長。這些改進提高了XPU的性能和能效，同時降低了雲運營商的總擁有成本。

三星完成400層NAND技術研發，或計劃明年增加先進存儲產量

據韓媒報道，近期半導體存儲大廠三星已完成400層NAND技術研發，並已於上月開始將這項先進技術轉移到平澤園區一號工廠的大規模生產線上。據悉，三星計劃於明年2月披露其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash快閃存儲器。至於量產時間則落在明年下半年開始。不過，有業內人士指出，如果加快生產速度，可能在第二季度末就開始量產。

值得注意的是，三星為400層NAND引入了「三層堆疊」技術。報道稱，三星400層NAND Flash快閃存儲器的成功研發，代表着NAND閃存技術的重大飛躍，該技術涉及將存儲單元堆疊在三層，也標誌着三星電子在該領域的重大進步。

除了技術研發取得重大進展外，三星電子還計劃在2025年增加其先進存儲器產品線的產量。包括在平澤園區安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash快閃存儲器生產設施，月產能為3萬-4萬片晶圓。此外，三星還計劃在中國西安工廠，繼續將128層堆疊（V6）NAND Flash快閃存儲器生產線，轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash快閃存儲器產品製程。

SK海力士新設AI芯片開發和量產部門

12月5日，SK海力士宣佈完成2025年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了1位總裁、33位新高管及2位研究員。為提升決策效率，該公司推行「C-Level」管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分爲包括AI基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。

據介紹，新設的AI芯片開發部門整合了DRAM、NAND和解決方案的開發能力，着眼於下一代 AI 內存等未來技術，旨在促進公司整體的技術協同。新設的量產部門將統籌前端與后端內存生產，以推動技術工藝協同，並支持包括龍仁半導體集羣在內的新工廠建設。公司還加強了全球事務團隊，新增多名外交和貿易領域的專家，以應對地緣政治形勢和全球主要半導體政策。

（文章來源於：全球半導體觀察）