芯報丨時創意推出1TB UFS 3.1嵌入式閃存芯片，正式進入量產階段

❶時創意推出1TB UFS 3.1嵌入式閃存芯片，正式進入量產階段

11月21日，國內知名存儲企業時創意SCY宣佈，其研發的1TB容量UFS 3.1嵌入式閃存芯片已開始量產。繼之前推出的128GB至512GB容量UFS 3.1芯片之后，1TB新品的推出進一步拓寬了時創意在高速UFS產品領域的容量範圍。該1TB UFS 3.1芯片具有緊湊的尺寸（11×13×1.2 mm）和153 ball FBGA封裝，提供高達2100MB/s的順序讀取速度和1700MB/s的順序寫入速度，能在-25℃至+85℃的溫度範圍內穩定工作。此外，該芯片支持寫入增強、深度睡眠、性能調整通知和主機性能增強等技術，採用LDPC3.0 ECC糾錯，適合用於智能手機、平板電腦、AR/VR頭顯、無人機和安防監控等多種電子設備。（IT之家）

❷三星電子加大HBM投資，擴大蘇州廠封裝產能以提升技術競爭力

三星電子正積極擴大其在全球範圍內的半導體封裝業務，特別是在中國蘇州工廠的生產設施。公司最近簽署了價值約200億韓元（1.04億元人民幣）的設備採購合同，以提升蘇州工廠的封裝能力，該工廠是三星電子唯一的海外測試和封裝生產基地。同時，三星也在韓國國內加速擴大封裝生產基地，與忠清南道和天安市簽署投資協議，預計到2027年底在天安市建成用於HBM的先進封裝設施。這一系列投資旨在縮小與競爭對手SK海力士的差距，並應對下一代高帶寬內存（HBM）產品，如HBM4，所需的更高級封裝技術。三星正開發包括混合鍵合技術在內的多種先進封裝技術，以生產12層和16層產品，滿足客户定製的大規模生產需求。（愛集微）

❸納芯微聯合芯弦發佈NS800RT系列實時控制MCU

納芯微公司與芯弦半導體攜手推出NS800RT系列實時控制MCU，該系列以高效的實時控制能力和豐富的外設為特點，適用於多種高精度系統應用。首發型號包括NS800RT5039、NS800RT5049和NS800RT3025，採用Arm Cortex-M7內核，支持高速緩存和超大緊耦合內存，提升處理性能。集成數學加速核和外設支持超高精度PWM控制，適用於SiC和GaN功率器件的數字電源和電機控制系統。納芯微和芯弦提供全面的技術資源和開發套件，加速用户開發進程。NS800RT系列現已支持送樣。（愛集微）

❹谷歌Gemini新增「記憶」功能

據外媒，谷歌開始向部分Gemini用户，推出「記憶」（memory）功能，旨在增強用户體驗，使其AI助手更加個性化和貼心。這項新功能讓Gemini不再是傳統意義上的冷冰冰的AI工具，而是能夠記住用户生活細節、工作習慣以及個人偏好的智能夥伴。谷歌Gemini的「記憶」功能提升了AI助手的個性化和用户黏性，這是AI技術向智能化、個性化發展的重要步伐。（每經網）

❶瑞薩電子率先推出DDR5 MRDIMM 12800MT/s內存接口芯片組

日本瑞薩電子宣佈推出全球首個面向第二代DDR5 MRDIMM（12800MT/s）的完整內存接口芯片組解決方案，包括新款MRCD、MDB、PMIC芯片，以及配套的温度傳感器和SPD集線器。這一解決方案旨在滿足AI、HPC和其他數據中心應用對內存帶寬的不斷提升需求，相比當前8800MT/s的初代產品，下一代DDR5 MRDIMM可實現35%的內存帶寬提升。瑞薩的三款新芯片現已出樣，計劃於2025年上半年投產，其中第二代MRCD芯片功耗降低45%，PMIC芯片提供出色的電氣過壓保護和能效。（IT之家）

❷臺積電：A16 1.6nm工藝2026年推出，2nm芯片2025年量產

臺積電計劃在2026年底前推出A16 1.6nm工藝，並在2025年量產2nm芯片。新的2nm工藝將包括一個名為N2P nanoFlex的變體，該變體通過提供短標準單元選項來減小面積和提高功率效率，或高單元以提升性能。A16工藝預計將在與N2 nanoFlex相同密度的情況下，能效提升30%。此外，臺積電還在推動3Dblox技術的IEEE標準化，這將有助於3D系統集成芯片（SoIC）的發展，對2nm和16A設計至關重要。（愛集微）

❸高通計劃推出入門級驍龍X芯片瞄準PC市場

高通公司宣佈，將加大對PC市場的投入，計劃推出面向入門級市場的驍龍X系列芯片，以推動公司未來增長。此前，高通已推出旗艦級驍龍X Elite和中端市場的驍龍X Plus芯片，未來將推出的入門級芯片預計將使設備價格控制在600美元左右。高通的產品線預計到2026年能滿足70%的Windows筆記本市場需求，其驍龍芯片在能耗比上具有競爭優勢，即使是英特爾和AMD的最新x86芯片也難以匹敵。（快科技）