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重大「芯」突破!國產DUV光刻機問世,相關概念股集體大漲

2024-09-18 11:20

今日上午,光刻機板塊集體拉昇走高,截止發稿,同飛股份、波長光電20cm漲停,張江高科、海立股份、京華激光漲停,茂萊光學、蘇大維格、富樂德、聯合光電等紛紛大漲。

消息面上,工信部印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》。其中在電子專用裝備目錄下,集成電路生產裝備包括氟化氬GKJ,光源193納米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

 

國產DUV光刻機迎突破,量產28nm意義重大

 

近日,工業和信息化部印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024 年版)》通知。據「工信微報」介紹,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。

值得注意的是,在重大技術裝備文件列表中包含了國產氟化氪光刻機(110nm),和氟化氬(ArF)光刻機(65nm)的內容。

氟化氪(KrF)和氟化氬(ArF)兩種氣體均服務於深紫外(DUV)光刻機,產生深紫外光的準分子激光器。並且氟化氬光刻機和氟化氪光刻機兩者均屬於DUV光刻機。

目前來説,光刻機共經歷了六代的發展,從最早的 436nm 波長,再到第二代光刻機開始使用波長 365nm i-line,第三代則是 248nm 的 KrF 激光,第四代就是 193nm 波長的 ArF 光刻機,屬於乾式DUV光刻機。第五代是ArFi,即浸沒式DUV光刻機。第六代指的是極紫外EUV光刻機。

根據信息,其中ArF(氟化氬)光刻機,光源為193納米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

套刻精度通常被指為「多重曝光能達到的最高精度」,按套刻精度與量產工藝1:3的關係,這個光刻機大概可以量產28nm工藝的芯片,大致相當於20年前ASML的1460K。

28nm雖然不是特別先進技術,但意義依然重大,因為這是芯片中低端和中高端的分界線,目前除了最先進的CPU、GPU、AI芯片外,其余的工業級芯片大多都是28nm以上技術。

這也意味着中國工業實現獨立,國內的空調洗衣機汽車等各類工業品,可以突破西方國家設置的重重封鎖,自主生產銷售。

 

國產光刻機技術持續突破

 

在此之前,國產光刻機相關公開信息較少,保密程度高,但今年以來,國內光刻設備及曝光工藝公開信息逐漸增多。

3月22日,華為公開四重曝光工藝技術改進優化的專利;
6月20日,工信部發布《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》公示稿(后於9月9日正式發佈);
9月10日,上海微電子公開「極紫外輻射發生裝置及光刻設備」的專利。

驅動光刻機信息公佈的因素或有兩個,一是美國大幅提高對中國的芯片關税,二是荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)進一步收緊先進DUV的出口。

申萬宏源證券認為,官方披露核心設備進展提振市場信心,國產光刻機相關產業鏈受益,國內晶圓廠擴產自主可控可期,國產半導體設備整體受益。

民生證券表示,海外半導體設備供給持續高增滿足短期擴產需求,國產光刻機技術亦在持續突破,利好半導體設備自主可控的長期發展,繼續看好國內晶圓廠的投資增長和國產半導體設備的國產化機遇。

 

相關概念股一覽:

波長光電(300847)公司光刻機平行光源系統可用於國產光刻機領域配套,並已交付多套系統。

蘇大維格(300331)向微電子提供光刻機用的定位光柵產品。

福晶科技(002222)全球最大的LBO、BBO非線性光學晶體生產商。

炬光科技(688167)提供光刻機曝光系統核心元器件光場勻化器。

京華激光(603607)控股的美國菲涅爾製版科技在光刻機微結構光學方面實力較強。

賽微電子(300456)子公司Silex為全球光刻龍頭公司提供微鏡系統。

茂萊光學(688738)公司在光刻機領域提供用於勻光、中繼照明模塊的光學器件、投影物鏡,以及用於工件台位移測量系統的棱鏡組件。

騰景科技(688195)公司合分束器應用於光刻機光學系統,多波段合分束器已進入微電子供應鏈。

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