200億芯片獨角獸勇闖IPO——女科學家歸國創業，7年做出一個世界第一

一位鐵娘子締造的全球第一。

　　又一個芯片明星獨角獸奔赴IPO了。

　　近日，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱「英諾賽科」)向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯席保薦人。

　　這是一隻來自第三代半導體賽道的超強獨角獸。英諾賽科成立於2017年，全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵(GaN)晶圓的公司，也同時是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。今年，英諾賽科完成了E輪融資，投后估值達235億元，成功躋身超級獨角獸行列。

　　隨着AI熱度居高不下，氮化鎵在功耗處理的優勢得以凸顯，商業價值也逐步展現。在英諾賽科開啟上市征途的同時，氮化鎵(GaN)賽道的資本動作頻頻。除了融資、上市以外，氮化鎵領域的頭部玩家也在開展收併購動作，進一步完善自身產業佈局。英諾賽科的IPO之路需要衝破哪些阻礙?氮化鎵熱度將會出現多久?

女科學家歸國創業，7年做出一個世界第一

　　這是一位鐵娘子勇闖半導體無人區的故事。

　　駱薇薇畢業於新西蘭梅西大學，博士學位。 2015年，適逢半導體領域回國創業的風潮，駱薇薇一下子瞄準了第三代半導體產業的發展機遇，便毅然決然回國組建團隊。2017年，駱薇薇成立英諾賽科，開啟了鐵娘子的創業故事。

　　在這場「創業故事」開始之前，駱薇薇便主動選擇了超難開局。氮化鎵(GaN)是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成為功率半導體行業持續變革的核心。2014年，世界上最早的氮化鎵充電芯片出現，讓駱薇薇看到了這個市場的潛力。

　　可是，當時的氮化鎵尚且沒有大規模商業化應用，很多企業大多選用6英寸或者4英寸工藝，而駱薇薇卻帶領着英諾賽科選擇8英寸工藝。相較於6英寸硅基氮化鎵晶圓，8英寸的晶圓晶粒產出數增加80%，單一器件成本降低30%。但不得不承認，這是一件許多內行都不敢做的事情。

　　在她看來，經驗不該成為發展的瓶頸和壁壘。「如果覺得它是可行的，你所有的感官和智慧都會為之敞開，你會找到路徑去做。對於在‘無人區’中探索，我好像沒有那麼多的恐懼心理，我會去判斷這個事情在執行層面的可行性，再根據邏輯一步一步把它完成。」

　　駱薇薇的解題思路很清晰：如果氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規模推廣，需要解決三個痛點：

　　首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛採用。其次是具備大規模量產能力，以應對市場的爆發。第三，要確保器件供應鏈穩定，有了穩定的貨源供應，客户可以全心全意投入產品和系統的開發，無需擔心因氮化鎵器件供應戰略的變化而導致停產。

　　英諾賽科建設自主可控的生產線，穩定GaN 器件的產能，並全力以赴推廣氮化鎵功率電子器件。目前，英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，採用先進的生產工藝及最先進的8英寸硅基氮化鎵生產設備。擁有來自國際一流半導體企業的技術專家和資深人士，保障了產品的質量與產能。

　　同時，英諾賽科加大力度提升氮化鎵功率半導體在多個下游產業的應用滲透率，並鞏固在消費電子市場的領導地位。此外，英諾賽科持續研發更多元化的產品技術，以滿足客户多樣化的需求。

　　一路走來，英諾賽科成為全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。根據弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計算，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，佔氮化鎵功率半導體行業市場份額的33.7%。

　　打破技術封鎖，英諾賽科帶着全球第一的光環，走向了資本市場。

2、虧損超30億，他如何做到世界第一

　　明星獨角獸衝擊IPO的故事，再也不是爽文劇本，英諾賽科最后能夠走向happy ending的結局嗎?

　　英諾賽科勇闖IPO的底氣來自於哪里?首先，英諾賽科一成立便選用了IDM全產業鏈模式，可以實現從設計、製造到測試的整個過程的自主控制。如今，公司成為全球唯一具備產業規模提供電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。

　　英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，截至2023年12月31日，設計產能達到每月10,000片晶圓。憑藉自身量產的能力，英諾賽科得以在全球市場佔有一席之地。按氮化鎵分立器件出貨量統計，英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市佔率達42.4%。

　　產能在一定程度上可以與營收掛鉤。招股書顯示，2021年、2022年及2023年，英諾賽科實現收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，呈現持續倍增態勢。

　　但公司連年虧損也是客觀事實。招股書顯示，2021—2023年，英諾賽科的淨利潤分別虧損了33.99億元、22.05億元、11.02億元，三年合計淨虧損67.06億元;經調整的淨利潤則分別虧損10.81億元、12.77億元、10.16億元，累計虧損33.74億元。

　　這應該是IDM企業的通病。IDM半導體企業是資產密集型發展模式，前期資本開支巨大，盈利周期較長。英諾賽科的資金除了研發，大多用於工廠建設、設備投入等。招股書顯示，英諾賽科報告期內產生的運營開支(包括研發開支、銷售及營銷開支及行政開支)分別為8.69億元、8.5億元及6.86億元，分別佔各期總收入的1274.25%、623.94%及115.72%。

　　不過，IDM模式的優勢可以實現成本的有效管控，讓英諾賽科能夠以更具競爭力的價格策略立足市場，形成難以複製的競爭優勢。從市場環境和長遠發展來看，英諾賽科的高額投入十分重要。

　　但對於英諾賽科來説，如何證明自身盈利能力十分重要。從潛在市場來看，英諾賽科需要朝着更為廣闊的市場開足馬力。

　　目前，英諾賽科設計、開發及製造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用於各種低中高壓應用場景，產品研發範圍覆蓋了從15V至1,200V。此外，英諾賽科還開發了旗艦產品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應用於消費電子、工業應用等多個領域。

　　在消費電子領域，英諾賽科已經與小米、OPPO、vivo、榮耀、聯想等廠商建立合作關係，並開始拓展汽車和可再生領域等版圖。英諾賽科於2024年正式推出100V車規級氮化鎵器件INN100W135A-Q，已通過AEC-Q101認證，適用於自動駕駛和先進駕駛輔助系統中的激光雷達、高功率密度DC-DC轉換器以及D類音頻應用。隨着新能源汽車等優勢產業的興起，英諾賽科需要及時抓住市場機遇，展現出自身市場的持續拓展能力。

　　此外，英諾賽科還要積極走向海外，提升全球影響力。招股書顯示，英諾賽科業務過於依賴國內單一市場，海外市場滲透率較低。意識到這一問題后，英諾賽科在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司。2023年，英諾賽科的海外市場收入從2021年的20萬元增長到5800萬元，營收佔比從2021年的0.3%上升至9.8%。

　　當中國企業跑到全球市場廝殺，勢必會受到巨頭的反擊。捆綁銷售、專利糾紛都是他們的常用競爭手段。招股書顯示，英諾賽科的若干產品潛在知識產權侵權，被兩名競爭對手提出三項訴訟。目前，所有訴訟事項仍處於相對較早階段。

　　英諾賽科能否順利IPO敲鍾，時間會給出答案。但全球對高效能、低能耗半導體技術需求的不斷增長，以英諾賽科為代表的氮化鎵廠商迎來了前所未有的發展機遇。

3、產能釋放疊加市場增長，併購大戰開啟

　　半導體周期的持續時長通常為3-5年，目前正處於第5輪周期的上行期間，誰能衝出來、如何衝出來都是一個值得探究的問題。

　　氮化鎵雖然起步不如碳化硅，但增長勢頭正酣。根據QYR(恆州博智)的統計及預測，2023年全球氮化鎵(GaN)半導體器件市場銷售額達到了12.81億美元，預計2030年將達到54.3億美元，年複合增長率(CAGR)為23.3%(2024-2030)。

　　與硅及其他半導體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導通電阻低、無反向恢復損耗等顯著優勢，氮化鎵功率半導體芯片能夠有效降低電源的能量損耗，提升能源轉換效率，降低系統成本，並實現更小的設備尺寸。各種下游應用中的發展趨勢及當前硅材料產品的痛點為氮化鎵功率半導體帶來巨大增長潛力。

　　高頻應用中，氮化鎵的性能其實還是比碳化硅優秀，在高温高壓應用，碳化硅優於氮化鎵。因此，氮化鎵和碳化硅的實際應用中分工比較明確，互不干涉。於是，氮化鎵基於自身特性，在消費電子、新能源汽車、5G通信等領域的市場價值持續提升。

　　目前，氮化鎵下游應用還處於導入期，市場競爭總體呈現分散狀態，尚未形成穩定的競爭格局。2023年全球前5大氮化鎵功率半導體公司佔據了全球92.8%的市場份額，分別為英諾賽科(Innoscience)、納微半導體(Navitas Semiconductor)、宜普(EPC)和英飛凌(Infineon)等。

　　混沌之際，正是英雄出沒的時候。因此，勇於突破和創新的企業可以衝出來，如華潤微電子、英諾賽科、三安光電等公司或是靠研發實力，或靠量產能力佔據一席之地。巨頭想要收割這波增長機遇，則開始採用併購的手段。

　　2023年10月，英飛凌科技宣佈完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems)，並號稱「成為領先的氮化鎵龍頭企業」。英飛凌表示，公司和 GaN Systems 在知識產權、對應用的深刻理解以及成熟的客户項目規劃方面優勢互補。

　　2024年7月，瑞薩電子宣佈完成對氮化鎵(GaN)全球領導者Transphorm的收購。隨着收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基於GaN的功率產品和相關參考設計，以滿足對寬帶隙(WBG)半導體產品不斷增長的需求。

　　在完成對Transphorm的收購的同一天，瑞薩電子推出了15種新的產品組合，這些產品是面向市場的參考設計，將新的GaN產品與瑞薩電子的嵌入式處理、電源、連接和模擬產品組合相結合。其中包括Transphorm為車載電池充電器集成的汽車級氮化鎵技術的設計，以及用於電動汽車的三合一動力總成解決方案。

　　2024年7月，晶圓代工大廠GlobalFoundries宣佈收購Tagore Technology的功率GaN技術及知識產權組合。資料顯示，Tagore Technology成立於2011年1月，專注開發用於射頻(RF)和電源管理應用的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)半導體技術。根據收購協議，一支來自Tagore致力於開發GaN技術且經驗豐富的工程師團隊將加入GlobalFoundries。GlobalFoundries首席商務官Niels Anderskouv表示：「通過此次收購，GlobalFoundries向加速GaN的普及邁出了又一步，並能幫助我們的客户構建下一代電源管理解決方案，這些方案將重塑移動性、連接性和智能化的未來。」

　　一筆筆併購傳遞出一個信號：GaN行業的IDM模式將會成為未來趨勢。譬如，併購方英飛凌、瑞薩電子都是IDM企業，而代工模式的Power Integrations通過收購IDM Odyssey Semiconductor擁有了氮化鎵晶圓廠。

　　而在國內，中國氮化鎵企業開始不斷完善自身氮化鎵產業鏈，力圖完成從襯底到外延到功率器件、射頻器件、光電器件的全覆蓋。

　　面對需求興起帶來的商機，GaN廠商顯然也在採取行動，通過各種技術路線抓住機會，滿足市場需求。譬如，三安光電、英諾賽科已實現了氮化鎵產業鏈的全覆蓋，而蘇州能訊、華潤微電子也開始向上遊拓展。

　　面對AI、新能源汽車需求興起帶來的商機，國內外GaN廠商對內精進科研實力，佈局各種技術路線抓住機會，對外上下兼併、補充自身實力，滿足市場需求。氮化鎵未來無疑將成為推動半導體行業發展的關鍵力量，中國企業能否藉機走向全球，未來可期。