甬矽電子高密度SiP技術助力5G射頻模組開發和量產，開啟數智新時代

在當前科技飛速發展的時代，智能手機、平板電腦等電子產品正以驚人的速度更新迭代。與此同時，5G、物聯網和可穿戴設備的市場規模也在持續增長，帶來了無盡可能。這些電子產品不僅變得越來越小巧，還具備了更多強大的功能，滿足日益多樣化的使用場景需求。而這也為電子元器件如何做到更小、更薄且具備更強的性能帶來了挑戰。

由於不同的國家和地區使用了2G、3G、4G、5G的Sub-6GHz甚至毫米波等信號頻段來支持當地用户通信互聯，因此，手機內部射頻器件（射頻開關、濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等）數量需不斷提升。射頻前端向高密度集成化發展，需要在有限的封裝空間內集成多顆射頻前端芯片。高密度系統級封裝(SiP)作為開啟數智化未來的重要技術，實現多種功能芯片的異質異構集成，以並排、堆疊或者雙面集成芯片與元器件的多元封裝方式，實現更小的尺寸、更高的集成密度和更高/完整的性能。

甬矽電子自成立以來，始終堅持研發及技術創新和工藝改進，在高密度SiP技術開發中，研發實現先進的雙面SiP(DSM-BGA SiP)技術,將傳統XY平面芯片與元器件集成技術向空間Z方向延伸，實現SiP模組芯片、元器件、射頻器件的雙面高密度集成整合封裝技術，與傳統的單面SiP封裝相比，能有效減小模塊體積，DSM-BGA SiP模組具有更完善系統功能。甬矽電子在研發過程中取得了一系列的技術突破。

甬矽電子DSM-BGA SiP技術圖示

甬矽電子高密度SiP集成方案：

1.高密度倒裝(FC)、正裝(DB)引線鍵合(WB)與表面貼裝(SMT)技術：

利用FC、DB、WB及高密度SMT，實現芯片、元器件、射頻器件等在同一封裝體內的高密集成，以及GaAs FC芯片與Si FC芯片的異質集成，通過優化的設計仿真技術，確保多模塊在同一封裝體內性能的兼容性和可靠性。

2.電磁干擾屏蔽技術：

通過濺鍍(Sputter)、噴塗(Spray)等方式在封裝體最外側形成微米級厚度的金屬屏蔽層（共形屏蔽,Conformal shielding），及通過植入金屬體形成隔離牆（分區屏蔽,Compartment shielding）的多種工藝方式結合，完美解決高密度模組封裝內部器件之間的電磁兼容性問題。

3.雙面封裝技術：

採用優化芯片互聯設計，提高空間利用率，以及通過高精度研磨減薄技術(Strip grinding)對雙面SiP封裝厚度進行精確的厚度控制，進一步減小封裝體體積。採用鐳射激光技術(Laser ablation)去除焊球周圍塑封料，保證焊球的焊接可靠性。

4.射頻前端器件的集成設計：

通過WLP/CSP/IPD/LTCC filter與L/M/H頻段模組的集成、以及BDMP覆膜等技術手段實現的高性能、高集成和低成本的封裝芯片，再二次進行整合集成SiP模組技術。

甬矽電子作為國內前列的IC封測企業，已將高密度SiP封裝技術應用於5G全系列射頻前端集成模組（DiFEM、LPAMiD、PAMiD、PAMiF、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等）、IoT物聯網通訊等產品中，並佈局進階Phase 8的L/M/HB All-in-one大集成5G射頻模組技術開發。公司正同步加速研發更加先進的封裝技術Fan-out，2.5D、3D封裝，Chiplet技術，實現芯片在基板上的異質異構互連與多芯片的高密度堆疊，打破集成電路封裝極限，開發高性能、高算力、高集成密度的先進晶圓級封裝技術。

針對5G射頻通信、智能物聯網終端和車載電子等應用市場所使用的射頻前端芯片、傳感器芯片、功率芯片、運算芯片和存儲芯片等，甬矽電子的高密度SiP集成方案，均具有顯著的優勢。未來，甬矽將繼續致力於研發先進技術方案，為國內外客户提供更多的選擇，更高性價比的方案，以及更完善、更優質的技術服務。

/關於我們/

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甬矽電子（寧波）股份有限公司成立於2017年11月，致力於中高端半導體芯片封裝和測試業務。

公司以承諾誠信、公平公開、專注合作的企業文化，為客户提供一流的品質及專業的服務；堅持為客户實現價值最大化服務及質量為本的經營理念，堅持長期拼搏奮鬥及自我審視不斷進步的優良傳統，打造併成為集成電路封測業界的后起之秀！

(甬矽電子)