三星「挑動」芯片產業神經，為何韓國工廠失火備受關注？

　　3月21日，有消息稱位於韓國京畿道龍仁市的三星SDI大樓出現火災。隨后有市場分析認為這可能影響三星的存儲芯片業務。3月22日，三星半導體相關負責人向第一財經記者表示，此次火災與其半導體業務無關。

　　火災挑動大眾神經背后，存儲芯片市場剛經歷一輪低谷，目前正從谷底回暖，而處於市場龍頭位置的三星的產能也因此備受關注。

　　集邦諮詢數據，NAND Flash品牌廠商中，三星經歷了2023年第二季度的營收環比下滑和第三季度的止跌，第四季度營收才恢復增長。在終端消費電子等需求仍不強勁的情況下，此前三星和其他NAND廠商都通過減產維持價格。

　　此外，值得注意的是，有消息稱，三星電機（三星集團旗下子公司）計劃在本月至下月期間，與主要移動端、PC端及服務器端客户就NAND閃存價格展開新一輪的談判，旨在將價格提升15~20%。在經歷了長達一年多的供過於求的市場環境后，三星電子的NAND閃存售價一度逼近成本線。因此，公司決定與大客户展開談判，以期將價格調整至一個更為合理的水平。

　　但三星半導體內部人士對記者表示，電機業務跟三星半導體業務分開運營。對方稱，不清楚電機業務相關情況。

火災何起？

　　根據公開信息顯示，三星韓國工廠此次火災起火原因是焊接工作冒出火花，位於韓國京畿道龍仁市的基興工廠研究開發洞增建工地。當時現場有27名工人，工人都逃離現場，無人員傷亡。三星SDI消防監督員向消防部門報案，隨后2輛消防車和消防員等人員到達現場，花了約20分鍾撲滅火情。三星SDI一名有關負責人表示，今后將更注意防止安全事故發生。

　　據瞭解，三星SDI的主營業務是電池和電子材料。在國內，三星SDI此前在天津設有工廠，生產動力電池等。

　　三星旗下業務此前也曾多次發生火災，包括電池業務、芯片業務等。2017年，三星天津電池工廠發生火災，有消息稱起火點為廢棄品倉庫，過火面積約290平方米，事故未造成人員傷亡。據消防部門現場處置發現，起火物質為生產車間內鋰電池及部分半成品。

　　2020年3月，三星電子位於華城的半導體工廠發生火災，起火點是工廠的廢水處理設施，但對晶圓生產沒有造成影響，也無人員傷亡。彼時，三星剛經歷2019年的存儲器價格下降，2020年存儲器價格開始有漲價趨勢。三星華城工廠主要用於生產DRAM顆粒和NAND存儲芯片。彼時有研究機構認為，火災疊加疫情影響等，可能使供給端產能提升難度加大。

　　2022年，有消息稱泰國北欖府的三星倉庫發生火災，無人員傷亡，但一些貨物被損壞。20輛消防車前往現場，消防員花了約1個小時控制住局勢，倉庫內有電器。

　　火災之外，三星工廠也多次發生停電事故。

　　2016年6月，西安變電站發生爆炸事故，導致三星半導體工廠流水線短暫停止作業。2018年，三星平澤芯片工廠發生半小時停電，預計導致損失大約 500 億韓元。2020年，三星電子位於韓國的華城芯片廠發生約一分鍾的停電，導致部分半導體生產暫停，有報道稱由於一區域電纜發生問題導致停電，三星電子部分DRAM和NAND芯片生產線中止，預計要兩三天左右才能完全恢復，且有報道引述分析師的分析，稱該事件可能有助抑制三星電子龐大晶片庫存的增加。2021年，由於冬季風暴，美國德克薩斯州出現電力短缺，三星電子彼時暫停了當地的半導體工廠運營。

「挑動」存儲芯片產業神經

　　三星的一舉一動都在影響着當下存儲芯片市場價格走向。

　　NAND Flash、DRAM是目前最主要的存儲芯片，前者用於製作固態硬盤和嵌入式存儲等，后者為內存。據集邦諮詢數據，至2023年第四季度，NAND Flash品牌廠商中，三星市佔率達到36.6%，排行第一，此外，SK集團、西部數據、鎧俠、美光市佔率分別為21.6%、14.5%、12.6%和9.9%。此前受疫情、消費市場疲弱等多種因素影響，存儲芯片價格經歷下滑，三星等主要存儲芯片廠商進行了減產，當前存儲芯片行業還在擺脫下行周期影響。

　　全球NAND Flash品牌廠商營收排行榜中，三星營收位列第一，2023年第二季度，三星營收環比下降1%，第三季度環比持平，第四季度環比才恢復增長，增長44.8%．

　　DRAM市場更加集中。據集邦諮詢數據，DRAM廠自有品牌中，2023年第四季度，三星市佔率45.5%，排名第一，其次是佔比31.8%的SK海力士、佔比19.2%的美光，這三家是最主要的DRAM廠商。DRAM市場也經歷了從谷底復甦的過程，該排行榜中，三星第四季度營收環比增長51.4%。

　　「存儲市場經歷兩年下滑后，今年開始重新回到正軌，再加上先進技術及新興市場應用，預計今年市場規模同比提升至42%以上，原廠利潤率去年第一季度觸底后，第四季度個別公司開始恢復盈利，今年第一季度預計絕大部分公司利潤率會得到全面有效扭轉。」深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示。

　　其中，受AI服務器等需求影響，DRAM較早復甦，近期有消息稱隨着生成式AI帶動高帶寬存儲器（HBM）及DDR5需求暴增，存儲器原廠集體減產動作將進入尾聲，隨着需求的增長，三星、SK海力士及美光全面調升上半年稼動率。

　　目前，三星已加入HBM「戰局」。集邦諮詢資深研究副總吳雅婷近日表示，目前英偉達現有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應商，但供應不足以應付整體AI市場所需，至2023年，三星以1Znm產品加入英偉達供應鏈。此外，近日有消息稱三星為彌補HBM3良率不足，下達了相應的芯片製造設備採購訂單。

　　NAND也在望向復甦，但復甦速度可能不快。集邦諮詢研報表示，今年3月起鎧俠、西部數據率先將產能利用率恢復至近九成，但其余廠商未明顯增加投產規模。預計NAND Flash合約價漲幅自今年第二季度將收斂至10~15%，至第三季度降至0~5%。記者瞭解到，NAND也在適應AI服務器等對存儲容量增加的需求，業界認為這將有利於拉昇NAND行情，但有存儲主控芯片廠高管告訴記者，復甦可能沒有預想的強勁，因為AI服務器需求已消化一部分，要在終端應用需要時間，也需要等待AI產品價格下降。