Transphorm宣佈推出兩款4引腳TO-247器件，擴大了用於高功率服務器、可再生能源和工業電源轉換的產品組合

新型FET作為SIC的原始設計選項或替代

堅固耐用GaN功率半導體的全球領先者TRANSPHORM公司(納斯達克股票代碼：TGAN)今天宣佈推出兩款採用4引線TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN®器件。新的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET分別提供35歐姆和50歐姆的導通電阻，並配有開爾文源端子，為客户提供多功能開關功能和更低的功耗。新產品將採用Transphorm成熟的硅上氮化鎵襯底製造工藝，該工藝具有成本效益、可靠性，非常適合在硅生產線上進行大批量生產。50 Mohm的TP65H050G4YS FET目前已上市，而35 Mohm的TP65H035G4YS FET正在樣品中，計劃於2024年第一季度發佈。

Transphorm的4引線SuperGaN器件可作為原始設計選項或替代4引線硅和碳化硅解決方案，在廣泛的數據中心、可再生能源和廣泛的工業應用中支持1千瓦及以上的電源。如上所述，4引線配置為用户提供了靈活性，以進一步提高交換性能。在硬開關同步升壓轉換器中，與具有同等導通電阻的SiCMOSFET器件相比，35Mohm SuperGaN 4引線FET在50千赫茲(KHz)時的損耗降低了15%，在100 kHz時降低了27%。

Transsphorm的SuperGaN FET以提供差異化優勢而聞名，例如：

TO-247-4L設備具有相同的堅固性、可設計性和可操控性，核心規格如下：

Transsphorm負責業務開發和市場營銷的高級副總裁Philip Zuk表示：「我們繼續擴大我們的產品組合，將GaN FET推向市場，幫助客户在任何設計要求中利用我們的SuperGaN平臺性能優勢。」四引線TO-247封裝為尋求更大的電力系統損耗降低的設計人員和客户提供了靈活性，只需對硅或碳化硅系統進行很少或根本不需要修改設計。隨着我們逐步進入更高功率的應用，這是我們產品線的重要補充。