Transphorm宣佈推出兩款4引線TO-247設備，擴大大功率服務器、可再生能源、工業電源轉換的產品組合

新型FET可作為SiC的原始設計選項或直接替代品

Transphorm，Inc.（NASDAQ：TGAN）今天宣佈推出兩款採用4引腳TO-247封裝（TO-247-4L）的新型SuperGaN®器件。新的TP 65 H 035 G4 YS和TP 65 H 050 G4 YS場效應管分別提供35 mOhm和50 mOhm的導通電阻，配有開爾文源端子，為客户提供多功能的開關功能，甚至更低的能量損耗。新產品將在Transphorm成熟的硅基GaN-on-Silicon基片製造工藝上運行，該工藝具有成本效益、可靠性，並且非常適合在硅生產線上進行大批量生產。50 mOhm TP 65 H 050 G4 YS場效應晶體管目前已上市，而35 mOhm TP 65 H 035 G4 YS場效應晶體管正在採樣，並計劃於2024年第一季度發佈。

Transphorm的4引線Supergan器件可以作為原始設計選項，也可以作為4引線硅和SiC解決方案的直接替代品，支持廣泛的數據中心、可再生能源和廣泛的工業應用中的1千瓦及以上電源。如前所述，4引線配置為用户提供了靈活性，進一步提高了交換性能。在硬開關同步增壓轉換器中，與具有相當通阻的SiOhm SuperGap器件相比，35 mOhm SuperGap 4引線場效應晶體管在50千赫茲（GHz）下的損耗降低了15%，在100 GHz下的損耗降低了27%。

Transphorm的SuperGap因提供差異化優勢而聞名，例如：

TO-247-4L設備具有相同的穩健性、可設計性和可駕駛性，具有以下核心規格：

Transphorm業務開發和營銷高級副總裁Philip Zuk表示：「我們繼續擴大我們的產品組合，將Gap場效應晶體管推向市場，幫助客户在任何設計要求下利用我們的Supergan平臺性能優勢。」「四引線TO-247封裝為尋求更大幅度降低電力系統損耗的設計師和客户提供了靈活性，而無需對硅或碳化硅系統進行設計修改。隨着我們進入更高功率應用，這是我們產品線的重要補充。"