Navitas贏得三星Galaxy S23手機25W快速充電器設計

從S22到S23，新一代GaNFast技術繼續在超便攜、快速充電的移動市場取代傳統的硅電源芯片

加利福尼亞州託蘭斯-2023年10月31日-Navitas半導體公司(納斯達克股票代碼：NVTS)今天宣佈又一次在三星贏得GaNFast，這一次是旗艦產品Galaxy S23智能手機的新25W充電器。氮化鎵(GaN)是下一代電力半導體技術，在從移動和消費到數據中心、太陽能和電動汽車的市場中正在取代傳統的硅芯片。

高配置的Galaxy S23配備了一個動態AMOLED 2X，120赫茲的屏幕，峰值對比度為1750尼特，將1080 x 2340像素延伸到90.1平方釐米的康寧大猩猩玻璃上。憑藉高通驍龍8 Gen 2芯片、高達512 GB/8 GB的內存和高達50 MP的三攝像頭，S23在移動通信性能方面出類拔萃。

在電源方面，S23採用了3900mAh鋰離子電池，並配合帶USB PD 3.0接口的GaNFast 25W充電器(EP-T2510型)，僅需30分鍾就能充滿50%的電量，在睡眠模式下，功耗僅為5 mW。PD 3.0規格意味着新的充電器可以為從Galaxy Buds2音頻到Galaxy Z Fold5、Galaxy Flip和Galaxy A23等一系列設備供電。

Navitas的GaNFast技術用於150 kHz的高頻準共振(HFQR)拓撲。GaNFast領先的高頻性能使充電器縮小了30%以上，Navitas設備完全符合三星嚴格的資格要求，具有出色的交付性能、質量和可靠性。

「作為移動快速充電的先驅，Navitas繼續引領下一代市場，前十大移動OEM中的10家都在生產GaNFast產品，」全球銷售高級副總裁David Carroll説。從25瓦到20兆瓦，我們不斷擴大的尖端GaN和碳化硅產品範圍涵蓋從移動和消費到電動汽車、太陽能和工業應用的所有領域。

關於Navitas

納維塔斯半導體(納斯達克股票代碼：NVTS)是唯一一家純粹的下一代電力半導體公司，成立於2014年。GaNFast電源IC將氮化鎵(GaN)電源和驅動與控制、傳感和保護相結合，以實現更快的充電、更高的功率密度和更大的節能效果。互補的Gene碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓和高可靠性碳化硅(SIC)解決方案。重點市場包括電動汽車、太陽能、儲能、家電/工業、數據中心、移動和消費。超過185項Navitas專利已頒發或正在申請中。GaN和SIC的出貨量已超過1億台，並擁有業界首個也是唯一一個20年的GaNFast保修。Navitas是世界上第一家獲得碳中性認證的半導體公司。

Navitas半導體、GaNFast、GeneSiC和Navitas標識是Navitas半導體有限公司及其附屬公司的商標或註冊商標。所有其他品牌、產品名稱和標記是或可能是用於識別其各自所有者的產品或服務的商標或註冊商標。

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