國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規級認證並通過HV-H3TRB加嚴可靠性考...

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后，近日，國星光電開發的 1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了AEC-Q101車規級認證並通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考覈 ，使公司成為國內少數SiC功率分立器件產品通過雙重考覈的廠商之一。

創新突破，無懼極限考驗

AEC-Q101 是車規元器件重要的認證標準之一。對於1200V耐壓器件，AEC-Q101在H3TRB（高温高濕反偏試驗）考覈標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB（高壓高温高濕反偏試驗）考覈中，1200V耐壓器件的耐壓提高到960V，這對器件的設計、製造及封裝技術提出了更嚴苛的要求，因而通過HV-H3TRB可靠性驗證，意味着功率器件在極端運行環境下仍有優良耐受能力及使用壽命。當前，獲得AEC-Q101車規級認證並通過HV-H3TRB可靠性考覈逐漸成為各大主流汽車廠家對高可靠性功率器件的通用要求。

聚焦SiC-MOSFET器件性能的優化 升 級 ，國星光電充分發揮領先的封裝技術優勢，本次的車規器件採用了自主研發的國星NSiC-KS封裝技術，可靠性和電性能優勢明顯：

▊ 可靠性方面 ， 器件以帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為封裝形式，實現了在開關損耗等方面的創新突破，有效減少器件的發熱量，使得器件的可靠性和穩定性顯著提升，確保器件在惡劣的環境下仍能穩定運行，並保持長壽命。

▲以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產品，產品的封裝形式上增加了一個S極管腳，其可稱為輔助源極或者開爾文源極腳KS(Kelvin-Source)

▊ 電性能方面 ，採用NSiC-KS封裝的SiC-MOSFET器件，因避免了驅動迴路和功率迴路共用源極線路，實現了這兩個迴路的解耦，器件的開關損耗、開通損耗均明顯降低，開關頻率更快，寄生電感與誤開啟風險更低。

因需而至，應用場景豐富

為滿足市場多樣化需求，近年來，國星光電積極推進功率分立器件封裝產品的優化升級，並完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN貼片類優勢封裝結構的開發。目前，公司已擁有主流電壓規格650V與1200V平臺的SiC-MOSFET和SiC-SBD兩大產品系列，可廣泛應用於光伏逆變、工業電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網等領域的電力轉換裝置。

▲應用場景示意圖

依託豐富的半導體封裝經驗、嚴格的質量把控標準、先進的功率器件生產線以及經驗豐富的專業技術人才隊伍，國星光電可根據客户需求提供高性能、高可靠性、高品質的封裝產品及技術解決方案。

10月30日-11月1日

2023慕尼黑華南電子展

將在 深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦

國星光電將攜自主開發的

高性能全系列碳化硅器件產品精彩亮相

展位號：1G25

相約盛會，不見不散！

撰稿：王冠玉

編輯：翁雯靜

編審：胡強

(國星光電)