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在中國總理電子會議上,Navitas聚焦GaNSafe:世界上最受保護的GaN功率半導體

2023-10-20 08:30

綜合新一代氮化鎵(GaN)和碳化硅(SIC)半導體平臺在20W至20 mW的應用中提供突破性性能

Navitas聚焦GaNSafe:世界上最受保護的GaN電源

全面的下一代氮化鎵(GaN)和碳化硅(SIC)半導體平臺在20W至20 mW的應用中提供突破性性能。

納維塔斯半導體公司(納斯達克股票代碼:NVTS)宣佈繼續贊助2023年中國電力電子與能源轉換大會暨第26屆中國電力供應學會會議暨展覽會(CPSS2023),展示了包括全球最安全的GaN功率半導體在內的主要下一代GaN(GaN)和碳化硅(SIC)功率半導體平臺。

11月10日至13日,CPSSC 2023在廣州舉行,慶祝成立40周年,促進電力電子、能源轉換和電力技術領域的學術和技術交流,促進技術創新和相關產業。

Navitas是GaN的技術和市場領導者,GaN的GaNFast功率IC出貨量超過1億塊,GeneSiCPOWER MOSFET和二極管出貨量超過1200萬塊,年總市場商機達220億美元。

通過GaNSafe,Navitas優化了其第四代GaN技術,以滿足數據中心、太陽能/能源存儲和電動汽車市場中要求苛刻的高功率應用,這些市場對效率、功率密度和穩健可靠的操作至關重要。GaNSafe採用了一種新穎、堅固、運行酷炫的表面貼裝收費方案,集成了各種特性和功能,包括:

保護、調節、集成柵極驅動控制,門源環路電感為零,實現可靠的高速2 MHz開關,最大限度地提高功率密度。

高速短路保護,可在50 ns內自動「檢測和保護」,比競爭對手的分立解決方案快4倍。

靜電放電(ESD)保護為2千伏,而離散GaN晶體管為零。

650/800 V容量,可幫助在特殊應用條件下存活。

簡單易用、功能齊全、高功率、高可靠性、高性能的功率IC,只有4個管腳,加速了客户的設計。

可編程通斷(dv/dt),簡化EMI監管要求。

Navitas的CPSSC 2023計劃包括全面、深入的技術、應用和市場演示,包括全體會議主旨演講、完整的會議論文、四個行業會議、一個嘉賓PSMA演示、一個3.5小時的深入技術研討會和完整的GaNSafe發佈。參觀者將在Navitas展臺發現突破性的技術演示和完整的電力系統平臺設計。

日程安排:

11月11日

主題演講:「高功率、高電壓、高速度:GaN和碳化硅為我們的世界充電。」

Navitas副總裁兼總經理查理斯(英傑)中國

11月12日

「使用SIC成功實現高頻應用」

13:30高級員工應用工程師賈敏麗

「用於大功率車載充電器的集成磁件的碳化硅雙向三相CLlLC諧振轉換器。」

16:20,陳雲琪、賈敏麗、孫浩、陳金龍、張海松、周珍

「為零碳賦能:釋放Navitas SIC在太陽能和能源儲存系統中的潛力。」

16:50,Justin朱,高級技術營銷經理,李斌,高級應用總監

「給我們的世界通電:從硅到氮化鎵/碳化硅的轉變如何加速我們擺脫化石燃料的旅程。」

電源製造商協會(PSMA)應用工程高級總監、移動設計中心(深圳)負責人黃秀成博士

11月13日

「新一代GaN功率IC驅動變壓器革命。」

08:30-09:00高級應用總監黃秀成

「第三代設備驅動超功率密度CRPS185 3,200 W鈦服務器設計。」

14:00-14:30陶偉高級應用經理

3.5小時技術研討會暨GaNSafe發佈會11月13日,Navitas將舉辦一場3.5小時的深度技術研討會,內容包括最新的GaN和SIC平臺新聞以及GaNSafe官方發佈會。

CPSSC將於11月10日至13日在廣州越秀國際會議中心舉行。參觀Navitas展臺(#b005)的參觀者將體驗下一代GaNFast和GeneSiC技術,並與經驗豐富的Navitas銷售和現場應用團隊以及分銷商見面,以獲得專業的技術支持,並在設計方面取得快速進展。一系列完整的移動快速充電器、消費類和家電硬件將展出,重點放在高功率系統上,包括3,200 W CRPS185數據中心電源,功率密度接近100 W/in3和‘鈦+’能效性能。還將展示一種新的大功率、雙向車載電動汽車充電器設計。

Navitas中國副總裁兼總經理查理斯表示:「我們再次高興地出席了電力電子領域的這一關鍵活動,我們為自2017年以來贊助CPSSC而感到自豪。」在與GaN和SIC實施了一年純粹的‘雙引擎’戰略后,Navitas在實現我們讓世界電氣化的使命的道路上取得了重大突破。我們迫不及待地想與學術界和工業界分享這些令人興奮的成果。

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