鍇威特正式登陸A股：功率半導體細分龍頭，SiC和高可靠產品可期

日前，功率半導體細分領域龍頭鍇威特正式上市，A股國產功率半導體賽道再添一員。

根據招股書，鍇威特堅持「自主創芯，助力核心芯片國產化」的發展定位，憑藉產品可靠性高、參數一致性好等特點，鍇威特迅速在細分領域打開市場，產品廣泛應用於高可靠、工業控制及消費電子領域。在高可靠領域，公司客户羣已覆蓋國內高可靠領域電源龍頭企業及國家重點科研院所，並獲得眾多高可靠領域客户的高度認可；在工業控制領域，公司持續深挖工業儲能、光伏逆變、新能源汽車及充電樁、工業電源等細分應用領域的產品需求，細分品類的產品研發及市場開拓取得良好成效。

功率半導體行業的細分賽道龍頭

根據招股書，鍇威特深耕功率半導體市場多年，目前已在功率IC及功率分立器件領域皆構建了寬廣的競爭護城河。

功率半導體，是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用於改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等，應用領域非常廣泛。其中，鍇威特核心佈局的高壓MOSFET賽道，是功率半導體市場中最具備發展潛力的核心細分市場之一。

一方面，高壓MOSFET更強的功能性決定了其具備更廣闊的市場前景。區別於中低壓MOSFET，高壓MOSFET指的是400V以上MOSFET產品。伴隨着新能源汽車直流充電樁、新能源汽車車載充電機、5G基站電源及通信電源等下游需求旺盛，高壓MOSFET迎來爆發式的終端需求。

另一方面，高壓MOSFET具備巨大的進口替代空間。

當前，我國對中低端功率分立器件的相關技術已經實現了較大的突破，在功率二極管、功率三極管、晶閘管、中低壓MOSFET領域取得了很大的成功。但是，高壓MOSFET、IGBT等高端分立器件等領域技術門檻更高、工藝複雜性更強，因此我國整體產業技術水平仍與全球領先水平的仍存在較大差距。

根據財通證券的數據，高壓平面MOSFET市場依然由英飛凌、安森美、意法半導體等國際龍頭主導。2021年該產品的整體國產化率不到30%，低於中低壓平面(400V以下)MOSFET的國產化率為42.2%。

鍇威特擁有領先技術，是該領域的細分市場龍頭。鍇威特的平面MOSFET工藝平臺已經實現了40-1500V的電壓段覆蓋，憑藉產品可靠性高、參數一致性好等優勢快速打開市場。其中，公司設計研發了FRMOS(快恢復高壓功率MOSFET)產品，並取得了較大的成功。在國內廠商中，以2021年的銷售額計，鍇威特在FRMOS市場排名第四，僅次於華潤微、士蘭微、華微電子(數據來源：江蘇省半導體行業協會)。

不難看出，由於較強的技術與產品優勢，公司一舉抓住國產替代的黃金機遇，並躍升爲具備較大行業影響力的玩家。

SiC與高可靠領域的發展值得期待

值得一提的是，在領先的技術平臺的基礎上，公司在SiC功率器件方面實現了較大突破。目前，鍇威特已攻克SiC功率器件技術，是國內少數覆蓋650V-1700V SiC功率器件產品設計的企業之一。

半導體材料的發展是半導體芯片演進的主要路線之一。第一代為硅(Si)，鍺(Ge)為代表，第二代為化合物半導體材料，目前半導體材料已發展到第三代，即以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料。對比一二代材料，第三代半導體具有高擊穿電壓、高功率密度、耐高温、高頻工作等優勢，是功率半導體的未來。Yole預計SiC功率器件市場規模將於2025年將增長至44.67億美元，五年的平均複合年增長率高達43.62%。

當前，隨着技術正在走向奇點，SiC功率器件正邁向大規模產業化的新階段。技術的奇點，由行業龍頭共同推動。以鍇威特為例，公司不僅已順利地實現對SiC功率器件的產品佈局，還正在進入產業化階段。本次上市后，鍇威特有望進一步推動國產SiC功率器件的量產。根據招股書，鍇威特計劃將一部分募集資金投入於SiC功率器件研發升級項目中，包括用於650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工藝優化、器件升級及SiC功率模塊的規模化量產。

此外，鍇威特在高可靠領域亦取得較為可觀的成果。

「高可靠」這一領域往往遭到投資者的誤解。不少人認為「高可靠」指的是產品品質可靠，發生故障少。但事實上，高可靠領域的技術要求比上述的理解高得多——高可靠性領域要求半導體器件能夠在各種極端條件下保持可靠的性能，對器件的能耗、結温、壽命、抗輻射、抗干擾等方面的要求是顯著超前的。

消費電子領域競爭壁壘較低，競爭較為激烈，拼價格是常態。而高可靠性產品是無法被普通產品替代的。因此，在該領域，只有少數具有足夠技術實力和資源的企業能夠成功進入市場。在良好的競爭格局下，鍇威特為代表的領先玩家有望能持續領跑，實現強者恆強。

展望未來，公司能否無懼逆風，走出靚麗的風景線？

可以拭目以待。