存儲芯片春天雖迟但到？AI點燃需求HBM「救場」海力士、三星等巨頭財報，A股能否全面吹響「反攻集結號」

財聯社7月30日訊（編輯 劉越）隨着各路資本持續加註人工智能，高帶寬內存（HBM）供不應求，包括英偉達、AMD、微軟和亞馬遜等全球科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。近日HBM「救場」存儲芯片巨頭財報，三星電子存儲業務所在DS部門二季度虧損收窄，SK海力士二季度銷售額超出分析師預期，公司表示，生成式AI市場的擴張已迅速推高了對AI服務器內存的需求，因此，HBM3和DDR5等高端產品的銷量增加。從二級市場表現來看，沾上HBM概念的A股上市公司也乘風而起，HBM環氧塑封料供應商華海誠科、HBM代理商香農芯創和HBM基板供應商中富電路股價自5月迄今累計最大漲幅分別達157%、158%和136%。

美光科技此前曾表示，AI服務器對DRAM和NAND的容量需求分別是常規服務器的8倍和3倍。存儲芯片按照斷電后數據是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是DRAM，非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。據WSTS統計，2021年存儲芯片市場中，DRAM佔比達到61%，NAND Flash佔比為36%，其他存儲芯片佔比僅為3%。

東方財富證券2月研報指出，DRAM的市場頭部企業為三星、SK海力士、美光等，中國大陸代表企業包括長鑫存儲、福建晉華等；NAND Flash的市場頭部企業為三星、鎧俠、西部數據等，中國大陸代表企業主要為長江存儲；NOR Flash的市場頭部企業為華邦、旺宏、兆易創新等，中國大陸代表企業主要為兆易創新。

▌全球存儲芯片三大龍頭SK海力士、三星和美光業績反彈 研報指出價格、供需和空間端等吹響行業復甦號角

HBM是當下數據處理速度最快的DRAM產品，是基於3D堆疊工藝的DRAM內存芯片，將多個DDR芯片堆疊后與GPU封裝在一起，能夠實現更高帶寬、更高位寬、更低功耗、更小尺寸。最新財報顯示，存儲芯片DRAM三大龍頭SK海力士、三星和美光業績端開始反彈。三星電子23Q2由於智能手機出貨量下降而營收下降，但存儲業務較上一季度有所改善，官方稱主要是由於公司專注於HBM和DDR5產品；SK海力士在截至6月30日的一個季度中，其銷售額為7.31萬億韓元（約57億美元），同比下降47%，但超出分析師預計的6.05萬億韓元。雖然目前HBM在SK海力士的營收佔比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%；美光23Q2業績結束連續三季度的下降迎來反彈，此外，中國臺灣地區原廠月度業績亦連續環比改善。

天風證券潘暕7月17日發佈的研報指出，近期存儲芯片利好頻傳拐點或已現，復甦號角似乎已在耳畔。從歷史周期維度看，存儲行業周期約為3-4年，本周期自2020Q1起始，於2022Q1價格階段性見頂，目前已連續6個季度降價，處於周期築底階段。

價格方面，今年Q2起，多家供應商發出觸底信號。先是三星和美光向經銷商發出通知，不再低價接單DRAM及NANDFlash，拒絕接受低於4月的報價。5月份，有消息稱長江存儲原廠閃存正式開始漲價3-5%幅度后，三星電子、SK海力士等正在考慮提高報價。6月下旬，供貨商中僅三星願意進行cSSD（消費級固態硬盤）提前交易，經銷商希望供貨商讓步但都遭拒絕。

潘暕指出，供給需求端，6月美光公佈預計減產到2024年，早前2022Q4各原廠大幅削減資本開支，如果按正常生產周期3-4個月來看，供給有明顯收縮減產效果將在Q2、Q3加速顯現。南亞科表示公司在部分應用領域已出現急單。華邦近期消費電子、電視、物聯網等三大應用客户需求回溫，工控相關接單也持續發燙，客户急單湧入，而且「量也不少」。

此外，空間端，短期來看23Q2起存儲芯片規模或將逐季增長，長期來看AI催化下存儲需求有望數倍提升。地緣政治端，海外大廠逐步退出利基市場，美光事件加速本土替代。

▌存儲芯片將至未至的底部反轉或「迟到」兩個季度 機構預計DRAM或較NAND Flash更快復甦 多家A股上市公司跨界佈局

值得注意的是，目前存儲芯片行業似乎正從多角度證實即將觸底反彈，但760億A股龍頭兆易創新股價「依然冷靜」。事實上，將至未至的反轉甚至已經「姍姍來迟」。近日，市場調研機構Yole Intelligence更新了一份存儲芯片市場的監測數據報告，在Yole原本的預測中，全球存儲芯片市場將於2023年第二季度開始復甦，但其最新報告指出對於2023年第三季度的存儲芯片市場不用再抱太大的希望，樂觀估計市場將從今年第四季度開始回暖。

不過，預測存儲市場將在即將到來的第四季度復甦的不只是Yole一家。據臺灣經濟日報、科技新報援引美國市場調查機構發佈的最新報告稱，美光、西部數據等存儲芯片供貨商認為產品價格已跌到底，開始取消以折扣價提前進行批量交易的模式，甚至開始抬高價格。該調查機構預計，Q3起，存儲芯片價格下跌幅度將會收窄，部分產品合約價格很可能從Q4起出現上升拐點，不同產品線情況有別，明年有望全面復甦。

從市場面的消息來看，DRAM的復甦可能相比NAND Flash來得更快一些。TrendForce集邦諮詢最新預計稱，第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0-5%。半導體產業縱橫7月25日發佈的文章《存儲芯片的寒風，要停了》中指出，DRAM三季度觸底，NAND再等一季。此前有產業鏈人士表示，三星、SK海力士和美光三大廠商都希望在第三季度拉昇DRAM訂單的合約價，目標漲幅7%-8%。不過，由於終端市場沒有看到明顯的復甦跡象，因此上下游目前有明顯的拉鋸跡象。NAND方面，近日市場也傳出上游NAND原廠計劃從7月開始調漲價格的消息。

此外，據網信辦5月消息，在中國存儲市場「佔地不菲」的美光公司未能通過網絡安全審查，平安證券研報指出，2022年美光在中國大陸的營業收入為33.11億美元。分析人士指出，倘若美光在中國的業務受限，首先受益的自然是利基存儲市場。在技術壁壘相對較低的利基存儲領域，兆易創新是成長最快、實力最強的公司。此外，車載存儲龍頭北京君正和國內SLC NAND領域龍頭東芯股份有望受益。下游的存儲模組行業，江波龍和佰維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍的eMMC及UFS產品在全球市場佔有率為6.5%，全球第六，國內第一；佰維存儲的eMMC及UFS全球市佔率2.4%，全球第八，國內第二。這兩家公司的主要供應商都包括美光。

分析人士指出，雖然存儲芯片下游的庫存壓力還在，但通過主要廠商的動態以及行業分析數據來看底部就在眼前，爲了趕上行業拐點之后的下一波旺周期，萬潤科技、力源信息、香農芯創和國芯科技等眾多廠商跨界佈局。不過，分析人士亦指出，就算把國產存儲已有的公司兆易創新、北京君正、東芯股份和普冉股份等算上，目前國產存儲產品大都是在SSD模組和NOR Flash層面，很難觸及國際廠商大力推行的高端DRAM等市場，這就導致國產存儲廠商很難享受增量市場的紅利，需要在存儲市場供需中隨波逐流。