世界上最小體積芯片！存儲巨頭量產238層NAND閃存，受益上市公司梳理

財聯社6月11日訊（編輯 劉越）存儲巨頭SK海力士周四宣佈，已開始量產238層4D NAND閃存，並正在與生產智能手機的海外客户公司進行產品驗證。238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。此產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。

大數據時代，算力等各種需求仍將不斷刺激存儲市場增長。據Yole預測，從2021到2027年，DRAM將以9%的年均增長率增長，2027年市場規模將達到1585億美元，NAND Flash將以6%的複合增長率增長，市場規模將達到960億美元。整個存儲業的複合年均增長率預計為8%。國信證券分析師胡劍等3月27日發佈的研報指出，NAND主要應用於存儲端和手機端。據IDC統計，應用於存儲器的NAND佔比57.1%，應用於手機端的NAND佔比30.6%。

胡劍指出，大模型訓練產生海量數據存儲需求，3D NAND需求提升，隨着算力的不斷進步，所需存儲的數據量在以指數級的增長速度攀升。存儲單元在水平方向上變得不易持續，尺寸微縮不再能夠滿足存儲器的成本需求，垂直堆疊存儲單元的3D NAND逐漸成為市場主流。浙商證券分析師陳抗等4月3日發佈的研報指出，3D NAND是低成本/大容量非易失存儲的主流技術方案，是先進存力的前進方向之一。

中泰證券分析師王芳等5月22日發佈的研報指出，2D到3D大勢所趨。2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3D NAND將佔閃存總市場的97.5%。

國元證券指出，NAND Flash的產業鏈分為NAND Flash原廠顆粒、主控芯片設計、封裝工廠與品牌銷售。各產業鏈環節中，封裝企業與半導體封測企業有較大的重合，如日月光、長電科技、華天科技、通富微電等，我國在半導體封測領域處於國際上的第一梯隊，因此在NAND Flash存儲的封裝領域表現也較為優異。

從競爭格局來看，3D NAND市場被海外廠商佔據，長江存儲努力突圍。截至2022年，全球3D NAND市場主要被三星、SK海力士、鎧俠、西部數據、美光等海外大廠所壟斷，佔比高達97%。胡劍指出，國內優秀存儲廠商長江存儲厚積薄發，在全球NAND市場中已佔據一席之地，創新研發的Xtacking技術進一步提高了芯片的集成度，在堆疊層數上率先進入了200層以上的第一梯隊。

據財聯社不完全統計，中微公司、國科微、東芯股份和德明利有3D NAND相關佈局。

中微公司在互動平臺表示，在3D NAND芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備可應用於64層和128層的量產，同時公司根據存儲器客户的需求正在開發驗證新一代設備。

國科微在互動平臺表示，公司自研的固態硬盤控制器芯片，屬於微處理器和邏輯集成電路的範疇，主要用於后端控制2.5/3D NAND存儲顆粒，前端符合SATA等類型的接口規範要求。

東芯股份在互動平臺表示，與2D NAND相比，3D NAND可以通過將存儲單位進行多層堆疊的設計方式，在相同的產品體積下，堆疊內存能夠實現數倍於傳統內存的存儲容量，公司在3D NAND方面具有相應的技術儲備。

德明利在互動平臺表示，我國的長江存儲（YMTC）經過多年的研發和設備投入，已逐步開始量產並向市場供應NAND Flash芯片產品，從根本上打破了NAND Flash芯片長期由境外廠商壟斷的市場格局，公司於2020年11月成為長江存儲（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生態合作伙伴，並開始批量採購和產品驗證，有望儘快實現移動存儲產品從晶圓到閃存主控芯片的100%國產化大規模替代。