半導體巨頭英飛凌重金押注！氮化鎵未來市場規模望超千億，產業鏈受益上市公司梳理

財聯社3月26日訊（編輯 宣林）歐洲芯片製造商英飛凌近期官宣以8.3億美元現金（57億人民幣）收購氮化鎵全球技術領導者GaN Systems，並斥資20億歐元擴大其位於馬來西亞居林和奧地利菲拉赫工廠的氮化鎵和碳化硅芯片的產能。英飛凌功率和傳感器系統總裁懷特表示，英飛凌特別看好氮化鎵（GaN）芯片。該公司預測，到2027年，氮化鎵芯片市場將以每年56%的速度增長。

GaN是第三代半導體材料的典型代表，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，國家「十四五」研發計劃明確將大力支持第三代半導體產業的發展。國聯證券分析，英飛凌收購GaN Systems一方面體現了GaN在汽車、數據中心、工業等應用領域的未來發展前景，另一方面也預示着產業鏈競爭或將進入整合階段。

氮化鎵目前與新能源汽車、光伏、5G、消費快充等下游領域深度綁定。2017年-2021年，氮化鎵市場規模從78.7億元提高至358.3億元，年複合增長率40.1%。頭豹研究院指出，隨着氮化鎵在新能源汽車應用滲透率提升，及在垃圾處理領域等應用的拓展，預計到2026年氮化鎵市場規模將增長至1029.7億元，年複合增長率27.7%。

氮化鎵產業鏈上游為襯底和外延，中游為器件製造商。碳化硅襯底+氮化鎵外延層可製成射頻器件，碳化硅基氮化鎵射頻器件可應用於5G宏基站、衞星通信、微波雷達、航空航天等軍事/民用領域；硅襯底+氮化鎵外延層可製成功率器件，硅基氮化鎵功率器件可在大功率快充充電器、新能源車、數據中心等領域實現快速滲透；藍寶石/氮化鎵襯底+氮化鎵外延層可製成光電器件，氮化鎵光電器件在MiniLED、MicroLED、傳統LED照明領域應用優勢突出。

襯底材料中，碳化硅襯底與氮化鎵器件匹配度高、性能好、且成本相對較低，受到廣泛應用。全球碳化硅襯底市場集中度高，美國企業CREE和II-VI集團佔據約60%的市場份額，天岳先進、天科合達等中國本土企業合計市佔率僅10%左右。外延片材料方面，蘇州晶湛、聚能晶源、聚燦光電是中國生產製造氮化鎵外延片的代表企業。

氮化鎵器件製造方面，IDM模式的代表廠商有三安光電、英諾賽科、士蘭微電子、蘇州能訊、江蘇能華、大連芯冠科技等公司，Fabless廠商主要有華為海思、安譜隆等，同時海威華芯和三安集成可提供GaN 器件代工服務（Foundry模式）。

業內人士指出，氮化鎵功率器件技術在快充領域最為成熟，在數據中心、工業領域也已經逐步開始使用，技術相對比較成熟。根據天風證券的測算，若全球採用硅芯片器件的數據中心都升級為氮化鎵功率芯片器件，將減少30%-40%的能源浪費。

氮化鎵器件用於新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉換器等領域時，可在節能70%的同時使充電效率達到98%，增加5%續航，目前已有豐田、寶馬等多家汽車廠商入局氮化鎵領域。據Yole預測，車用GaN將從2021年的530萬美元增長到2027年的3.09億美元，CAGR高達97%。

上市公司方面，除了上述的天岳先進、聚燦光電、三安光電、士蘭微外，另據財聯社梳理，富滿微、金溢科技、利亞德、北方華創、揚傑科技、賽微電子、華燦光電、新潔能、天箭科技、易事特、臺基股份、兆馳股份也在氮化鎵領域有相關業務佈局，具體情況如下：