美光新型DRAM芯片問世！繞過EUV光刻機 能效和內存密度大幅提升

財聯社11月2日訊（編輯 馬蘭）美國內存芯片製造商美光科技公司周二表示，已開始向智能手機制造商提供最新的DRAM芯片樣品，以供測試。

美光在低功耗LPDDR5X移動內存上採用新一代尖端的製造技術1-beta，使其最高速率可達到8.5Gb。

技術創新

美光目前批量生產基於1-alpha技術製造的LPDDR5X芯片，而據美光稱，1-beta芯片的能效比1-alpha提高了15%，且內存密度提升了35%。

能效的提升意味着芯片可以為更強大的處理器騰出容量，從而延長電池使用壽命。內存密度的提升則意味客户可以將更多的數據放到更為緊湊的空間中，為進一步的性能提升釋放空間。

此外，美光高管Scott DeBoer表示，1-beta技術是通過美光專有的多重曝光光刻技術結合領先工藝和先進材料實現的，是內存創新的又一次飛躍。1-beta GRAM製程技術帶來了前多未有的內存密度，為新一代數據密集型、智能化和低功耗的技術革命奠定了基礎。

而憑藉其專有的多重曝光光刻技術，美光成功繞開了其它芯片公司必須使用的極紫外（EUV）光刻機。

DRAM的擴展性很大程度上取決於每平方毫米半導體晶圓面積上繼承更多更快閃存的能力，各公司目前通過不斷縮小電路面積來進行競爭。而隨着芯片尺寸的縮小，這一方向的努力變得越來越難以實現目標。

目前各大芯片公司使用EUV光刻技術來克服難關，但該技術仍處於發展初期。

美光另闢蹊徑，採用其先進的多重曝光技術和浸潤式光刻技術，以最高精度在微小面積上形成圖案，再一次確立了其全球領先的技術地位。

未來的生產

美光DRAM工藝集成副總裁Thy Tran表示，新的DRAM將首先在美光位於日本廣島的工廠生產，然后會在包括中國臺灣地區在內的其他基地大批量投產。

這些芯片將先在移動設備上應用，此后也會在通信、人工智能、機器學習等高耗能領域應用。

美光表示，它計劃在明年擴大其1-beta產品組合的其余部分，包括在客户端、工業、數據中心和汽車等領域的量產，推出包括顯示內存和高帶寬內存等產品。