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【DRAM江湖春秋】歐洲存儲器巨頭,奇夢達破產后,卻被中國救活了?

2022-08-29 11:28

奇夢達前世

歐洲三大芯片巨頭分別是德國英飛凌公司,荷蘭恩智浦公司和意法半導體公司。

其中英飛凌公司起源於德國西門子公司半導體事業部;

恩智浦公司起源於荷蘭飛利浦公司半導體事業部和美國摩托羅拉公司半導體事業部;

意法半導體公司則由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合併而成。

DRAM版美國演義和日本演義過程中,歐洲人一直處於DRAM江湖的邊緣。在這三大歐洲芯片巨頭中,英飛凌公司曾經在DRAM江湖中留下一段精彩傳説。

1985年,西門子公司生產了*台現代意義上的商用移動電話,其重量約為3公斤。同年,西門子半導體事業部成立。1994年,西門子公司推出了*款基於GSM制式標準的手機——西門子S1 Marathon。

1999年4月1日,西門子旗下半導體事業部正式獨立,於2000年在法蘭克福交易所上市,代碼IFX,並於2002年改名為英飛凌公司。2004-2005年,全球DRAM市場增長了57%,但內存平均價格下跌了40%。爲了規避風險,2006年5月,英飛凌公司決定專注於邏輯芯片業務,並將其內存事業部剝離。英飛凌公司內存事業部正式獨立,命名為奇夢達(Qimonda)公司。

與日本爾必達公司成立之初的狀況不同,奇夢達公司成立之初營收額達到49億歐元。2006年8月,奇夢達公司在紐約證券交易所上市,股票代碼「QI」,是「剝離獨立即上市」的典型。奇夢達公司在全球DRAM廠商中率先採用12英寸晶圓製造DRAM。儘管12英寸晶圓廠的投資比8英寸晶圓廠的投資高出近一倍,但是可以使單顆DRAM的製造成本降低30%左右。

這使奇夢達公司在2006年個別季度超過當時的海力士公司,曾經成為DRAM江湖的榜眼。2008年,奇夢達公司成為全球*宣佈突破30nm工藝的DRAM廠商,在歐洲、亞洲和北美擁有五個12英寸晶圓生產基地,全球擁有約13000名僱員。

2007-2009年全球DRAM產業第三次大蕭條的故事上面已經描述過了。這時候,奇夢達公司首先頂不住了,一個原因是其員工福利較好,DRAM製造成本比競爭對手的製造成本高。現金流很快就清零了,被迫廉價出售和中國臺灣省南亞科技公司合資的華亞科公司。

2007上半財年,奇夢達税前息前淨利3.35億歐元,2008上半財年,淨虧損超過10.58億歐元。

2008年10月,奇夢達公司宣佈了3000人的裁員計劃,並向德國政府申請貸款,用於提升改造其在德國本土德累斯頓晶圓廠的生產線。

2008年11月,奇夢達公司再次向德國政府、英飛凌公司(持有奇夢達77.47%股份)和葡萄牙州立銀行(奇夢達公司在葡萄牙設立了DRAM生產基地)申請3.25億歐元貸款。

然而,德國政府設置了兩個前提條件,一是英飛凌公司同等出資,奇夢達公司部分國有化;二是歐洲委員會需批准。設置兩個前提條件的結果可想而知,英飛凌公司拒絕出資,德國政府認為大股東都不救了,所以也就放棄注資了。

奇夢達今生

2009年1月23日,歐洲大陸碩果僅存的DRAM廠商,奇夢達公司終於宣佈破產,從而正式宣告歐洲告別全球DRAM江湖。當時的難兄難弟,日本爾必達公司是非常希望和奇夢達公司結盟以應對危機的,結果只好獨自前行了,隨后日本爾必達公司也告別了DRAM江湖。

2009年下半年,隨着Windows 7操作系統,iPhone3等各種智能手機的陸續上市發佈,「需求提出-供不應求-價格上漲」的市場規律再次得到驗證。

2009年年末和2010年年初,即將熬過DRAM產業第三次大蕭條的各大廠商又一次迎來了DRAM江湖的小希望,開始小規模盈利。此時,DRAM江湖上奇夢達公司已經成爲了傳説。

最早期的DRAM是平面式的架構,隨着線寬減少,表面積相應縮減,電容值已經無法滿足讀取需求。因此,不斷縮微的DRAM架構演變技術路線有兩條:一是堆疊式(Stack)電容器,二是溝槽式(Trench)電容器,其基本原理都是以空間結構的變化來獲取更大的表面積。

前者將電容疊加在晶體管上面,可以用內表面、外表面這兩面作為電容,工藝相對簡單。后者在晶體管下面挖溝槽,工藝相對複雜,但是單元所佔的面積更小,功耗更低(這對智能手機特別重要)。

奇夢達公司是溝槽式技術路線的提出者,對堆疊式技術路線的發展也有重要貢獻。破產之前,奇夢達公司提出了類似堆棧式技術的埋入式字線DRAM單元」,並在實驗室驗證了46nm工藝的產品的可行性。

可惜的是,既沒有等到德國政府的注資,也沒有熬到半年后DRAM的價格回升,來不及進行量產銷售,就倒閉了。在這兩條技術路線並存20多年后,隨着奇夢達的結束倒閉,加上技術聯盟規模太小,溝槽式技術路線最終被棄用。

從2008年開始,DRAM江湖的三大巨頭開始採用堆疊式技術路線。但是,這三大巨頭的DRAM產品或多或少都可以找到「埋入式字線DRAM單元」的元素,比如,採用了內外兩面的電容增大面積。

奇夢達公司的「埋入式字線DRAM單元」,圖片來源:2008年IEDM會議 奇夢達公司的「埋入式字線DRAM單元」,圖片來源:2008年IEDM會議

為此,【芯光社特邀專家】還專門找到了奇夢達公司在芯片產業界的*會議、美國電氣和電子工程師協會(IEEE)舉辦的IEDM會議(國際電子器件會議)上發表的「埋入式字線DRAM單元」的論文。這篇論文的引用次數僅為63次,但是卻代表了當今DRAM不斷縮微的一條技術路線。

奇夢達公司發表的經典論文,圖片來源:2008年IEDM會議 奇夢達公司發表的經典論文,圖片來源:2008年IEDM會議

如上所述,2009年1月23日,歐洲大陸碩果僅存的DRAM廠商,奇夢達公司宣佈破產。2009年4月,山東華芯半導體有限公司(山東華芯)聯合浪潮集團,完成對奇夢達全球*大研發中心——西安研發中心的收購,5月成功交割,8月正式開業,採取了保留團隊、提升技術、研發產品和開拓市場等多種措施,被廣泛認為是一個成功的抄底動作。2015年,又被紫光國芯收購。

浪潮集團聯合山東華芯收購奇夢達西安研發中心的,圖片來源:CCTV 浪潮集團聯合山東華芯收購奇夢達西安研發中心的,圖片來源:CCTV

奇夢達公司不存在了,但是,其技術衣缽最終傳到了中國,后回故事還會詳述。

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