賽晶科技：頂級技術團隊加持 國產IGBT正在直線超車

新能源是大勢所趨，IGBT國產化也必須勢在必行。賽晶科技董事長項頡公開發言稱：「從目前的研發與生產進度看來，三年內，賽晶研發的芯片和模塊技術將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場。」

當下，我國汽車年產量2500萬輛，新能源車年產量已經突破330萬輛。中央制定2030年前二氧化碳排放達到峰值，努力爭取2060年前實現碳中和目標，世界各國都在大力發展新能源產業，一場能源革命已經展開。據乘聯會最新銷量數據統計，5月份國內狹義乘用車市場銷量達135.4萬輛，同比下降16.9%；1-5月份累計銷量731.5萬輛，同比下降12.8%。其中新能源狹義乘用車銷量28.2萬輛，同比增長78.5%；累計銷量135.2萬輛，同比增長128.4%。

能源革命與IGBT

業內人士指出，新能源電力與新能源汽車是能源革命的兩個主力軍，而這兩者的發展離不開半導體，尤其是功率半導體中的IGBT。IGBT的核心作用是將直流電壓逆變成可調的交流電，是電能轉換與應用的核心芯片，被廣泛應用在電網、高鐵、汽車等領域。

根據全球知名的研究機構TrendForce集邦諮詢的數據顯示，預計今年全球IGBT的市場規模將達到67.2億美元，其中中國為39.6億美元，佔比達到59%。是全球IGBT最大的市場。

另一方面，雖然中國是IGBT最大的需求市場，但並不是IGBT的供給市場，換句話來説，中國的在IGBT領域既不算大也不算強。從行業集中度來看，中國市場中IGBT供給前三的企業分別是德國的英飛凌、日本的三菱和美國的安森美，三家企業合計佔到了中國IGBT一半的市場份額。

難以彎道超車的IGBT

縱觀IGBT甚至整個功率半導體行業，幾乎都被美國（TI、ADI）、歐洲（Infineon、ST、NX）以及日本（FUJI）等所壟斷，其中一個很重要的原因在於與數字芯片相比，功率半導體對於技術經驗的積累要求更高，是一個幾乎無法彎道超車的產業。

以IGBT為例，從設計端，芯片參數優化對工程師的知識儲備和經驗積累要求極高，到了製造端，生產流程長、設備多、工藝要求高，工程師還需要針對不同客户的需求對封裝進行細微調整。這些經驗都是千百次試錯而來的，背后不僅僅是資金成本，更重要的是時間成本。除了這些顯性的技術壁壘之外，還有看不見的品牌壁壘，英飛凌等巨頭在行業深耕多年，其產生的品牌效應是國產IGBT短期內難以追趕的。所以，對於國產IGBT企業想要獲得客户的認可，打入新能源發電、汽車供應鏈中就變得尤為困難。

分析人士認為，從經驗來看，國產半導體唯一的出路就是自主創新，沒有第二條路可以選擇，IGBT固然壁壘高，但依然需要國產半導體企業去攻克，而賽晶科技（00580.HK）就是這樣一家企業。

客户與資本市場雙認可

賽晶科技成立於2002年，起初是依託分銷業務起步的，賺得第一桶金之后開始投身自主技術的研發，短短几年時間，賽晶就研發了中國首個擁有自主技術的特高壓直流輸電用陽極飽和電抗器。此后賽晶科技一路飛速發展，不僅創造了眾多自主技術研發成果，還在40余個特高壓直流輸電、柔性直流輸電工程，以及風電、光伏、電動汽車、工業電控等領域，取得出色成績，成為多個領域的國內獨家或主要供應商。

目前，賽晶科技在工業電控與新能源發電領域是國產IGBT、層疊母排等多種功率半導體的行業領先者。同時也是中國柔性直流輸電最主要的器件供應商，在特高壓直流輸電領域累計供應量陽極飽和電抗器近2萬台，電力電容器近4千萬千乏。賽晶科技不僅在技術上獲得了客户認可，其在市場表現方面也獲得了資本市場的認可，2021年11月，賽晶科技被正式納入「MSCI中國小型股指數」，這充分體現了國際資本市場對於賽晶科技經營成績和發展前景的認可。

頂級技術團隊

IGBT領域技術難度大，想獲得客户認可難度更大。作為一個國產半導體企業，賽晶科技能夠發展如此迅速並且獲得新能源汽車和新能源發電領域的訂單，與其雄厚的技術實力密不可分，確切來説，與其技術團隊密不可分。

賽晶科技的董事長和創始人項頡，不僅在ABB半導體的瑞士總部工作了3年，並在此后與ABB半導體深入合作了20年，從而積累了豐富的技術經驗與行業人脈。ABB是全球電力和自動化技術領域的領導者，與英飛凌、三菱等公司同爲功率半導體行業的國際領軍企業，並且在3300V及以上電壓等級，特別是在直流輸電領域具有顯著的技術和市場優勢。

除了董事長之外，賽晶科技的IGBT專家團隊，幾乎都來自ABB半導體公司，並且是設計、工藝、測試、應用等各個部門的核心專家，真正做到了國際頂級技術實力和經驗。賽晶科技的技術團隊在國內的IGBT領域堪稱豪華，這也是賽晶科技能夠快速崛起的重要原因。

國內稀缺的精品IGBT芯片

高速發展之下，賽晶科技也開啟了國產IGBT擴張之路，2019年成立了瑞士SwissSEM、賽晶亞太半導體公司，並啟動IGBT研發生產項目，其主要研發650V~1700V中壓IGBT，面向新能源汽車、新能源發電、工業變頻等領域。經過日以繼夜的攻堅克難，於2021年11月正式開始交付自主研發的i20 IGBT芯片。而採用i20芯片組的ED-Type模塊、ST-Type模塊，在分別與業內同類產品對比中，均取得了明顯的優勢，這與技術團隊的豐富經驗和創新密不可分。

資料顯示，i20 IGBT芯片採用了先進的3D結構和P設計，超薄N-基層設計和緩衝層和陽極激光退火工藝，帶來了高達250A電流和175℃最大工作結温的卓越性能，測試性能優於目前國際主流供應商第4代同類芯片水平，接近其第7代芯片技術的性能。目前賽晶的i20 IGBT芯片以出色的表現，通過了電動汽車領域中國最強車企客户的測試驗證，並已經開始大批量交付裸芯片和採用自主芯片的模塊產品給客户使用。此外，公司碳化硅產品佈局也正在啟動中，預計明年推出第一代碳化硅模塊。

展望未來 賽晶助力國產替代

新能源是大勢所趨，IGBT國產化也必須勢在必行。長期以來，我國在IGBT領域面臨卡脖子問題，如今透過賽晶科技可以看到國產IGBT正在飛速發展，國產替代的曙光也在一步步變得更加明亮。從賽晶科技的發展策略可以看出，雖然榮譽加身，但其依然再不斷前進。按照其策略，賽晶科技在IGBT芯片領域，佔領更多的電動汽車及充電樁領域市場份額，在新能源發電領域積極擴展自身的優勢。

當然賽晶科技也有雄心壯志去完成國產化的使命，根據其董事長項頡公開發言稱：「從目前的研發與生產進度看來，三年內，賽晶研發的芯片和模塊技術將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場。」