財報前瞻 | ​戰勝英特爾與三星，臺積電2025年繼續領跑半導體代工行業

概括：臺積電在半導體制造代工業務中占主導地位，並正在擴大資本支出以進一步提高其領先地位。2025年，臺積電將在<7nm節點產能領先三星電子和英特爾。作為上游領先的無晶圓廠公司之一，臺積電成功的關鍵在於其客户羣。

臺積電的股票的表現落后於聯電等同行，以及包括蘋果、AMD、Nvidia和Marvell Technology在內的主要客户。

臺積電是全球領先的代工企業，2021年在這個價值920億美元的行業中佔有57%的市場份額，但低於2020年的59%。根據信息網絡題為《熱門IC：AI、5G、汽車和內存芯片的市場分析》的報告，第二的三星電子僅以7%的份額領先於UMC和GlobalFoundries。

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臺積電為何領先三星、英特爾？

1.資本支出

表1顯示了2019年至2023年間領先代工廠的資本支出。繼2019年以來兩位數的同比增長之后，2022年資本支出預計增長44%。

這部分資本支出是建築和晶圓廠設備的組合，比例約為 50:50。三星的資本支出僅用於代工，不包括DRAM或NAND資本支出。

2021 年，臺積電是半導體代工企業中最大的支出者，資本支出為285億美元，較 2020 年增長 91.3%。三星的資本支出在 2021 年增長了 114.3%。2021 年，英特爾的資本支出僅增長了 14.6%。

在2020年至2023年間，臺積電的資本支出高於競爭對手英特爾和三星。這種增加的支出將導致晶圓廠產能增加和芯片產量增加。

2.工廠建設

2022 年的大部分強勁增長將來自於 2021-2022 年開始建設的晶圓廠，這主要是因為「促進製造的半導體法案」（FABS）旨在為工廠的建設、擴建或現代化提供基於税收的激勵措施。

FABS為私營公司購買、建造、製造或使用將用於芯片設計或加工的半導體制造設施或相關設備提供 25% 的税收抵免。在設施或設備投入使用之前，公司或組織可以選擇接受税收抵免作為直接付款。

3.節點轉換

表 3 顯示了三個代工廠的工藝路線圖。

5nm 工藝技術首次由主要代工廠在 2020 年左右推出，其特點是在關鍵尺寸上廣泛使用 EUV，以及鰭片的四邊形圖案和金屬疊層的其余部分的雙重圖案。英特爾 7nm 工藝可媲美代工 5 納米節點。

臺積電將在 2022 年第四季度量產 3nm 工藝，並計劃在進入 2nm 工藝時引入 GAA（Gate All Around）技術，並在 2024 年開始量產 2nm 工藝芯片。

三星的 3nm 工藝採用帶有 MBCFET的 GAA 設計，與 5nm EUV 工藝相比，封裝面積減少了 35%，性能提高了 30%，或功耗降低了 50%。

三星早前透露，2022年上半年將推出第一代3nm 3GAE技術（3nm gate-all-around early）。

英特爾在 14nm 工藝上呆了 7 年，直到 2019 年才真正量產 10nm，相當於臺積電 7nm 工藝的晶體管數量。爲了趕上臺積電和三星，英特爾計劃在三年內製定 4 個節點的激進路線圖。

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英特爾奮起直追，臺積電保持領先

臺積電和三星在<7nm 節點生產領先主要是因為英特爾起步較晚。根據表 5，5 年后情況將發生變化，英特爾將成為強大的競爭對手。當然，臺積電仍將是領先供應商。

圖 1 顯示，臺積電的股價自 2022 年第一季度中期以來一直低於其 200 天移動平均線。

圖1

圖 2 顯示了 TSM、SSNLF 和 INTC 的毛利率。請記住，TSM 的價值是針對其整個業務的，它是一家純粹的代工廠。英特爾的 GPM 目前針對其內部業務，因為其代工業務處於起步階段。SSNLF 的 GPM 是針對整體業務的，但該業務不僅是代工，還包括內存、顯示器、智能手機和消費產品。

圖 2

圖 3 顯示了這三家公司的各種評級。TSM 對 INTC 的量化評級為強烈買入與持有。

圖 3

圖 4 顯示了 Seeking Alpha 的量化因子等級，臺積電是與英特爾相比的明顯選擇。

圖 4

綜上，臺積電在半導體代工領域優勢地位短期內不會動搖，它是歷史上唯一市場份額超過 50%的主要代工廠，並且在<7nm 節點上也主導着晶圓產能。