Atomera與IQE簽署聯合開發協議，旨在將高性能、低成本的RF GaN產品推向市場。

此次合作結合了Atomera公司最近推出的Mears Silicon Technology™（MST®）技術，以及IQE公司在化合物半導體外延技術方面的專業經驗。根據協議，兩家公司將共同努力，在Atomera公司採用MST技術的硅片上實現GaN的外延生長。最初的重點是硅上GaN的應用領域，后續工作旨在為大規模射頻應用提供性能卓越的器件，確保產品具有最佳的直線度與損耗性能。

Atomera和IQE預計會經歷一個多階段的開發過程，兩家公司的工程團隊將共同協作，優化多層結構，以找出性能最佳的射頻材料。此外，該項目還預留了空間，讓兩家公司能夠進一步改進硅上GaN的技術，並探索其他GaN的應用領域，包括功率電子器件。

該項目的主要目標是生產和測試採用MST技術的硅上GaN器件，力求快速開發出性能最佳的此類器件，並將樣品提供給晶圓廠、IDM企業以及無晶圓廠企業使用。