Vishay Intertechnology將在PCIM Asia 2026上展示人工智能基礎設施和物理人工智能解決方案

公司將在一系列參考設計和產品演示中重點介紹廣泛的半導體和無源技術組合，重點關注網到板人工智能電力傳輸、軟件定義車輛和人形機器人技術

賓夕法尼亞州馬爾科姆2026年8月26日（環球新聞網）-- Vishay Intertechnology，Inc. (NYSE：VSH）今天宣佈，該公司將在2026年亞洲PCIM上展示其最新的半導體和無源技術。在16號展廳的C12展位，參觀者受邀探索Vishay針對人工智能基礎設施和物理人工智能應用快速變化的需求量身定製的產品和參考設計。

在PCIM Asia上，Vishay將重點介紹涵蓋完整人工智能電力架構的參考設計和產品，從電網級電力基礎設施到董事會級系統電力輸送。特色展品包括固態變壓器（CST）、AC/DC電源單元（MPS）、高壓DC（高壓DC）、DC/DC電源轉換、電池備用單元（BU）、電容器備用單元（CBU）、熱交換系統、軟件定義車輛（SDV）和人形機器人電機控制。其他亮點將包括下一代汽車平臺的汽車電源模塊。

對於人工智能電網基礎設施，SST參考設計將採用輸入、隔直、輸出和電壓平衡級組件，包括額定值為11 µF和1800 V的緊湊型金屬化聚丙烯DC-Link薄膜電容器;高達310 µF和2000 V的高可靠性電力電子電容器;具有高紋波電流和長壽命的四端卡入式鋁電解電容器;工作電壓高達5000 V的無感功率電阻器;以及採用EMIPAK 2B封裝的SiC MOSFET功率模塊。AC/DC NSO解決方案將包括用於功率轉換器和LLC級的Gen 5 E系列MOS;用於同步整流和OR應用的TrenchFT ® Gen V功率MOS;低剖面整流器;低正向電壓橋整流器;具有高正向電湧能力的玻璃鈍化整流器;針對高速硬開關進行優化的用於鉗位保護;和Power Metal Strip®電阻器，用於大功率、低阻電流檢測。高壓直流電源轉換展覽將重點介紹用於功率轉換、自舉、過濾和預充電功能的解決方案。特色產品將包括第4代SiC Schottky二極管，幾乎沒有恢復尾部、開關損耗低，保證最小爬電距離為3.2 mm; DC-Link薄膜電容器工作温度高達+125 °C，具有高波紋電流能力和高濕度魯棒性;以及用於電湧限制的PTC晶體管，能量吸收高達300 J。

板級功率轉換展品將包括低規格的PowerPAK® SO-8DC MOS解決方案，可提供高達+175 °C的高温工作，並將低接通電阻與低柵極和輸出電荷結合起來以實現高效切換，以及用於柵極驅動應用的厚膜貼片電阻器，提供出色的脈衝負載能力、增強的功率等級和雙面印刷電阻器元件。BEP和CBU展品將配備邊繞式電感器，電流容量高達260 A，線圈與核心隔離為350 V直流電; IHDV功率電感器，電流容量高達150 A，線圈與核心隔離為1500 V; IHLP®功率電感器，電流容量高達100 A;和輸出過濾電容器。熱交換系統將展示用於預充電和放電應用的功率電阻器，功率電阻器的功率電阻器功率高達150 W，脈衝吸收高達75 J/0.1 s。

SDV展品將重點關注POL轉換器、保護和電流傳感。特色產品將包括符合AEC-Q100標準的集成智能功率級，連續電流高達50 A，峰值電流高達80 A，採用熱增強型PowerPAK MLP 5 x 6封裝;符合AEC-Q200標準的聚合物鈦電容器，具有超低SR和85 °C /85%RH的電壓能力;具有7千瓦電湧保護和平坦鉗位電壓的汽車級CVS設備;符合OPEN Alliance規範的以太網靜電放電保護二極管;具有極低電阻值的4端電流檢測電阻器;以及用於反向保護的熱增強型MOS器件。人形機器人電機控制展品將展示開關、門極驅動電路和電流傳感，使用PowerPAK SO-8和TOLL封裝的MOS器件、高功率至8 W的4端分流電阻器和具有200 V工作電壓的汽車級電感器。用於EV /HEPA充電站和48 V微移動系統的汽車電源模塊將採用結合高阻塞電壓、低接通電阻、高速開關和低電容的SiCMOS/ Si MOS電源模塊，以及集成電流和温度傳感的半橋逆變器模塊與電隔離的暴露DBC基片。

2026年亞洲PCIM上推出的其他參考設計將包括：

PCIM Asia 2026將於8月26日至28日在中國深圳的深圳世界會展中心舉行。有關該活動的更多信息，請訪問https://pcimasia-shenzhen.cn.messefrankfurt.com/shenzhen/en.html。

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