隨着散户投資者尋求半導體投資，Roundhill基金成為有史以來增長最快的ETF

散户投資者推動DSA ETF在五周內創紀錄60億美元資產

分析師警告稱，快速流入可能導致波動和超買狀況

RAM提供SK Hynix和三星等不屬於美國指數或基金的公司的訪問權限

蘇珊·麥吉

羅德島州普羅維登斯，5月13日（路透社）--根據市場數據和分析師的數據，個人投資者似乎無法滿足半導體股火熱市場的需求，使一隻成立五周的交易所交易基金成為歷史上最成功的ETF推出。

自4月2日推出以來，Roundhill內存ETF DSA.Z（RAM）已積累超過60億美元的資產，甚至擊敗了貝萊德（BlackRock）的BLK.N iShares Bitcoin Trust IBIT.O 2024年的重磅首次亮相。

這一軌跡反映了華爾街對數據中心需求的蓬勃發展正在導致支持人工智能的存儲芯片長期短缺的前景有多着迷。

ETF Trends首席投資官戴夫·納迪格（Dave Nadig）表示：「人們正在全力以赴。」他指出，動態存儲器僅用了10個交易日就籌集了首批10億美元。

上周五，在全球芯片製造商迎來了一個輝煌的日子之后，該公司在一個交易日就獲得了10億美元的淨流入。「這是瘋狂的勢頭，」他説。

韓國暴露

交易員和市場分析師表示，內存已成為參與半導體市場繁榮的一種引人注目的方式，部分原因是它比試圖挑選一兩隻股票更簡單。

Roundhill ETF策略師Thomas DiFazio表示，半導體領域的大多數ETF基準只有一家大型存儲芯片製造商：美國-上市Micron MU.O.

許多其他半導體基金，例如貝萊德的BLK.N iShares半導體ETF SOXX.O，並沒有向美光的主要競爭對手韓國SK Hynix 000660.KS和三星電子005930.KS提供風險敞口，這兩家公司的交易一直處於創紀錄水平，並且是RAM投資組合的一部分。

盈透證券（Interactive Brokers）市場策略師史蒂夫·索斯尼克（Steve Sosnick）表示：「許多投資者認為這是誘人但難以獲得的韓國股票的代表。」他指出，該基金還持有該行業的日本和臺灣參與者。

零售流入

追蹤零售交易活動的Vanda Research周一計算出，散户投資者購買了5500萬美元的ETF，這是自該ETF推出以來自自我引導個人每日最大的資金流入，超過了同一群體在Nvidia NVDA.O等股票時投入的資金。他們尋求更廣泛的行業風險敞口。

Vanda在給客户的一份報告中表示：「動態存儲器正在迅速成為持續的半導體熱潮的典範。」

萬達全球宏觀策略師維拉吉·帕特爾（Viraj Patel）告訴路透社：「我找不到散户投資者在如此短的時間內買入如此多的ETF。」

大量資金流入和市場上漲的缺點是，它使市場波動不定，容易受到間歇性拋售的影響，例如周二隨着芯片製造商從近期高點回落，在費城證券交易所半導體指數小幅下跌的情況下，內存暴跌7%。

即使是對存儲芯片長期前景保持樂觀的投資者也開始擔心該領域超買，過熱的交易將不可避免地降温。

但Interactive Brokers的Sosnick指出，周二的回落仍使RAM交易處於高於近期移動平均線的水平。

「上升趨勢仍然完好無損，」他説。

（蘇珊娜·麥吉在羅德島州普羅維登斯報道;傑米·弗里德編輯）

（（Suzanne. thomsonreuters.com））