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2026-04-23 07:47
TradingKey - 本周四早間,韓國存儲芯片巨頭SK海力士披露了創立以來最為亮眼的單季成績單,營收與利潤指標雙雙刷新歷史紀錄,季度營收首次突破50萬億韓元大關,盈利能力在全球半導體行業中脫穎而出。
根據最新財報,SK海力士2026財年第一季度實現營業收入52.58萬億韓元,較上一季度激增160%,同比2025年同期更是大幅增長298%;營業利潤達到37.61萬億韓元,環比暴漲196%,同比增幅高達505%。
對應的營業利潤率升至72%,創下公司成立以來的單季最高水平,對於SK海力士這類重資產屬性的存儲廠商而言,如此強勁的利潤彈性比較少見。

從行業橫向對比來看,SK海力士72%的營業利潤率不僅超過了英偉達(NVDA)2025年第四季度創下的65%的半導體行業峰值紀錄,也大幅領先臺積電(TSM)2026年第一季度58.1%的營業利潤率。
對於業績大幅增長的原因,SK海力士將其歸結為DRAM和NAND閃存產品價格的持續上漲,以及高附加值產品在營收結構中佔比的不斷提升。
公司管理層強調,當前人工智能計算對高性能存儲芯片的戰略需求日益凸顯,而全球範圍內的高端存儲產能仍處於緊張狀態,這一供需失衡格局預計將在未來較長時間內持續,為產品價格維持高位提供支撐。
儘管一季度通常是存儲芯片行業的傳統淡季,但人工智能基礎設施建設的大規模投資創造了強勁的需求增量,推動公司盈利能力逆勢攀升。
受財報利好影響,該公司股價在韓國早盤交易中一度上漲3.6%,隨后漲幅收窄,最終收漲0.16%。
受AI算力需求爆發帶動,全球DRAM市場正上演激烈的技術與份額爭奪戰。
Mirae Asset Securities估算,第一季度DRAM平均售價較上一季度上漲60.8%,NAND閃存漲幅則達55.3%,隨着數據中心投資規模的擴大,企業級固態硬盤(SSD)的需求也出現顯著增長。
Counterpoint Research最新監測數據顯示,受內存價格持續走高的拉動,DRAM市場已連續兩個季度實現30%的環比增長,而這一輪漲價潮的核心動力,正是AI芯片對高帶寬內存(HBM)的爆發式需求。
公司財報顯示,當前客户需求已全面超出供應能力,基於這一市場格局,SK海力士將2026年定位為戰略性產能擴張關鍵期——本財年資本開支將較上年顯著提升,重點用於龍仁集群基礎設施建設、M15X產線爬坡及關鍵設備採購。
SK海力士明確表示,2026年的投資規模將顯著高於2025年的30.2萬億韓元,核心聚焦M15X技術產線、龍仁園區基礎設施以及EUV設備佈局。截至今年一季度末,公司現金及現金等價物已增至54.3萬億韓元,有息負債則降至19.3萬億韓元,實現35萬億韓元的淨現金儲備。
與此同時,SK海力士正推進規模約19萬億韓元的先進封裝工廠投資計劃,並將在2027年前向ASML採購總價值約11.95萬億韓元的EUV設備。可以看到,行業利潤正逐步從企業利潤表,流向設備採購、封裝技術升級及產能擴張環節。
SK 海力士表示:「我們將戰略性地擴大生產規模,以便能夠積極應對中長期需求的增長,我們將確保供應的穩定性和財務的穩健性。」
在AI核心的HBM領域,公司正與客户深度協同推進HBM4開發,計劃按約定進度實現量產爬坡。
同時DRAM領域已率先完成業界首款1cnm LPDDR6開發,將於下半年隨某頭部智能手機客户的下一代旗艦機型規模化供貨,同時針對英偉達Vera Rubin平臺優化的1cnm 192GB SOCAMM2已啟動量產。
在NAND閃存領域,採用CTF架構321層QLC技術的PQC21客户端固態硬盤已推向市場,企業級固態硬盤(eSSD)佈局了高性能TLC與高容量QLC的均衡產品線,還將藉助Solidigm在高容量QLC eSSD上的技術優勢,深化AI數據中心與AI PC存儲市場的競爭力。
SK海力士判斷,人工智能正從大模型訓練階段向自主式AI演進,實時推理循環場景的普及將持續拓寬內存需求基本面,DRAM與NAND閃存兩大品類均將受益於這一長期趨勢。
為此,公司明確將通過持續迭代新品覆蓋多樣化需求場景,尤其針對HBM產品,將從性能、良率、質量與供應穩定性四大維度強化全鏈路交付能力,以匹配AI時代的結構性增長需求。