籌資百億美元擴產能，SK海力士能靠赴美上市打破存儲行業格局嗎？

TradingKey - AI浪潮催動的存儲芯片需求爆發，正推動頭部廠商加速全球佈局與資本運作。

韓國存儲巨頭SK海力士正計劃通過發行美國存託憑證（ADR）赴美上市，擬募集10萬億至15萬億韓元（約合67至100億美元）資金，這筆資金將主要投向AI相關基礎設施建設與產能擴張，以鞏固其在高帶寬內存（HBM）領域的領先地位。

根據業內消息，SK海力士計劃通過增發新股推進ADR上市，募集資金的核心投向十分明確。一方面將用於擴大HBM產能，強化與英偉達（NVDA）等AI算力巨頭的供應鏈綁定，另一方面則會助力韓國龍仁半導體集羣的建設，搭建下一代AI半導體的研發與製造基地。

SK海力士發言人對外迴應稱，公司正評估包括ADR上市在內的多項提升股東價值的方案，但目前尚未有最終定論。

資本佈局與估值重塑

作為全球HBM市場佔有率達57%的行業龍頭，SK海力士過去一年股價漲幅超360%，成為韓國綜合股價指數（Kospi）上漲的核心推動力。

但在估值層面，SK海力士與美國同行仍存在顯著差距——目前其市盈率僅約5.7倍，而美光科技（MU）的市盈率則達到12.1倍。市場分析認為，赴美上市將幫助SK海力士直接對接全球科技股定價中心，引入更多美國機構投資者，有望縮小這一估值差。

尤金資產管理公司首席投資官河碩根指出，一旦美國資本能通過ADR直接參與AI基礎設施投資，SK海力士在HBM領域的技術壁壘優勢，將更充分地反映在其估值溢價中。

除了估值重塑，赴美上市還能為SK海力士帶來長期資本流動性支持。若成功納入費城半導體指數等全球核心科技指數，海量被動投資基金與ETF的流入將為其股價提供穩定支撐。

這一路徑已被臺積電（TSM）驗證，臺積電通過ADR赴美上市后，吸引了大量海外資本，其美股與臺股的估值差曾一度超過30%。

SK海力士此次擬發行的新股規模約佔總股本的2.4%，與今年年初註銷的1530萬股庫存股數量大致相當，這一安排也被視為公司優化股權結構、提升股東價值的配套舉措。

值得注意的是，SK海力士的美國佈局早已超出資本層面。公司已計劃斥資100億美元在美國成立獨立AI法人實體，並重組加州子公司Solidigm，將其打造為全球AI戰略研發中心。

同時，印第安納州的先進封裝工廠也在加速建設。從資本融資到技術研發再到製造落地，SK海力士正在美國構建起一套完整的AI供應鏈生態閉環，以應對全球半導體產業鏈的格局變化與AI技術的快速迭代。

SK集團會長崔泰源此前在NVIDIA GTC 2026大會上明確表示，赴美上市是公司全球化戰略的關鍵一步，將助力其吸引全球資本關注，提升國際品牌影響力。

目前，SK海力士已向多家投資銀行發出招標邀請，篩選上市承銷商。若此次交易最終落地，將成為近年來外國企業赴美上市的最大規模案例之一，也將進一步凸顯AI賽道全球資本競爭的激烈程度。

砸80億美元買EUV

在推進資本運作的同時，SK海力士也在技術與產能層面加大投入，周二宣佈將斥資約11.95萬億韓元（約合79.7億美元）向荷蘭光刻設備廠商ASML採購極紫外（EUV）光刻機，這筆投資規模相當於公司2024年底總資產的近10%，是其為爭奪AI內存主導權推進的最大規模設備採購之一。

根據公告，這筆訂單的執行周期約為兩年，涵蓋設備採購、安裝及升級服務，預計2027年12月全部完成。

SK海力士表示，採購的EUV設備將主要用於滿足HBM（高帶寬內存）等AI核心存儲產品的產能需求，同時支撐通用DRAM的擴產計劃，而這一動作也將直接助力公司加速推進第六代（1c）DRAM製程的落地。

當前存儲行業的製程競賽已進入白熱化階段，三星已率先在HBM4產品中應用1c製程，這對SK海力士構成直接競爭壓力。

除了設備採購，SK海力士的產能擴張步伐也在加速，清州M15X晶圓廠第二潔淨室提前兩個月啟動設備安裝，兩座潔淨室已進入全面運營準備階段，將依託該工廠滿足下一代HBM需求，直至2027年龍仁半導體園區首座晶圓廠投產。

SK海力士在EUV領域佈局已具規模，是全球首家將High-NA EUV技術引入存儲芯片量產的製造商——目前已在利川M16工廠部署該技術生產內存芯片。

公司計劃到2027年再引進約20台EUV設備，屆時其EUV機隊規模將較當前翻倍，總投入預計超6萬億韓元，彰顯其在下一代內存製造競爭中押下重注的戰略決心。