新的BZPACK mSiC®功率模块专为恶劣环境中的高要求应用而设计。

BZPACK mSiC 功率模块采用 Microchip 先进的 mSiC 技术，融合了其 MB 和 MC SiC MOSFET 系列的卓越性能。

美国亚利桑那州钱德勒市，2026年3月19日（GLOBE NEWSWIRE） —— Microchip Technology （纳斯达克股票代码：MCHP）今日宣布推出BZPACK ^mSiC®功率模块，该模块旨在满足严苛的高湿度、高压、高温反向偏置（HV-H3TRB）标准。BZPACK模块具有卓越的可靠性，可简化制造流程，并为最苛刻的电源转换环境提供多样化的系统集成选项。该模块提供多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相和PIM/CIB配置，使设计人员能够灵活地优化性能、成本和系统架构。

BZPACK mSiC 功率模块经测试符合 HV-H3TRB 标准，其耐久性超过 1000 小时标准，为工业和可再生能源应用提供了可靠的保障。该模块采用 600V 比较跟踪指数 (CTI) 外壳，在各种温度范围内均具有稳定的导通电阻 (Rds _{( on))} ，并提供氧化铝 ( _Al₂O₃ ) 或氮化铝 (AlN) 基板选择，从而提供卓越的绝缘性、散热性和长期耐久性。

“我们推出的BZPACK mSiC功率模块进一步巩固了Microchip致力于为最严苛的电源转换环境提供坚固耐用的高性能解决方案的承诺，”Microchip高功率解决方案业务部副总裁Clayton Pillion表示。“通过利用我们先进的mSiC技术，我们为客户提供了一条更简便的途径，帮助他们在工业和可持续发展市场构建高效、持久的系统。”

为了简化生产流程并降低系统复杂性，BZPACK 模块采用紧凑的无底板设计，配备压入式免焊端子，并可选配预涂导热界面材料 (TIM)。这些灵活的选项可加快组装速度，提高制造一致性，并通过符合行业标准的封装实现更便捷的多供应商采购。此外，这些模块采用引脚兼容设计，方便用户使用。

Microchip 的 MB 和 MC 系列 mSiC MOSFET 为工业和汽车应用提供可靠的解决方案，并提供符合 AEC-Q101 标准的选项。这些器件支持共栅源电压 (VGS ≥ 15V)，并采用行业标准封装，便于集成。成熟的 HV-H3TRB 功能有助于降低因潮湿引起的漏电或击穿而导致的现场故障风险，从而确保长期可靠性。MC 系列集成了栅极电阻，可实现更佳的开关控制，保持低开关能耗，并在多芯片模块配置中提高稳定性。目前提供 TO-247-4 槽型封装和芯片封装（华夫饼封装）。

Microchip 在 SiC 器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持方面拥有超过 20 年的经验，致力于帮助客户轻松、快速、自信地采用 SiC 技术。公司的 mSiC 产品和解决方案旨在降低系统成本、加快产品上市速度并降低风险。Microchip 提供丰富且灵活的 SiC 二极管、MOSFET 和栅极驱动器产品组合。更多信息，请访问www.microchip.com/sic 。

价格和供货情况

BZPACK mSiC 功率模块现已量产。您可以直接从 Microchip购买，或联系 Microchip 销售代表。

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注：Microchip 名称和徽标以及 Microchip 徽标是 Microchip Technology Incorporated 在美国和其他国家/地区的注册商标。mSiC 是 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标。本文提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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