儘管業績不佳，但Micron仍下跌，人工智能資本支出揮霍讓投資者感到不安

TradingKey -東部時間3月18日星期三，美光（MU）披露的財務業績和指引顯着超出預期，但其股價在盤后交易中下跌了6%。

2026財年第二季度，美光的季度銷售額幾乎增加了兩倍，達到239億美元。每股收益攀升至12.20美元，遠超分析師預期。彭博社數據顯示，分析師此前預計平均收入為197億美元，每股收益為9美元。

不過，美光還透露，本財年的資本支出將超過250億美元，並預測2027財年的支出將在此基礎上增加超過100億美元。分析師認為，這一下降反映了市場對美光過度資本支出的擔憂。

首席執行官Sanjay Mehrotra表示，2027財年資本支出內的建築相關成本將增加超過100億美元。

美光正在愛達荷州和紐約建造兩座新的大型晶圓廠，以提高其在美國的存儲容量。愛達荷州工廠預計將於2027年中期開始生產，而紐約工廠預計將於2028年下半年開始生產晶圓廠。

不僅僅是美光;其競爭對手三星和SK海力士也在擴大產能。三星目前正在建設平澤P4和P5工廠，以及德克薩斯州的泰勒工廠。SK Hynix正在建設清州M15 X工廠和龍仁半導體集羣，同時還升級其位於利川的M16工廠的產能。

目前，美光的HBM產能僅為三星的三分之一，截至2026年底的產能已經售罄。如果不擴大產能，就無法增加訂單量來獲得市場份額。對於市場份額最低的美光來説，維持現狀不是一個選擇;在產能競賽中，未能擴張相當於將未來的訂單交給競爭對手。

儘管如此，產能擴張導致的資本支出高於預期也有令人擔憂的一面：它是否會對美光未來的毛利率和自由現金流構成壓力？美光的產能規模明顯小於三星和SK海力士，這意味着其每芯片的固定資產折舊成本更高，對毛利率的影響更大。

特別是作為周期性行業，半導體最終將面臨市場需求下降的問題。美光目前正在建設的晶圓廠將成為資產負債表上嚴重的固定資產折舊。此外，與三星和SK海力士在當地建設相比，美光在美國建設工廠的成本要高得多。

更嚴重的問題是，整個行業，內存價格的每一次歷史性暴跌都是由產能過剩造成的，三星、SK Hynix和美光新工廠的投產日期高度同步，幾乎都集中在2027年左右。

當然，更樂觀的觀點是，目前由人工智能基礎設施需求驅動的內存需求將規模更大、持續時間更長、迭代速度更快。這一次，產能擴張不一定會導致供需失衡，三大巨頭加大投資正是因為對這一預期充滿信心。

着眼於更近期的未來，市場更擔心美光可能會在與三星和SK海力士的競爭中落后。美光最近宣佈HBM 4將於2026年第一季度進入批量生產，駁斥了有關其被排除在英偉達（NVDA）Vera Rubin供應鏈之外的傳言。上個月，在首席財務官馬克·墨菲（Mark Murphy）表示該公司已實現HBM 4大批量生產后，股價飆升。

然而，英偉達將在多大程度上依賴美光的HBM 4供應仍然是一個問題。目前，英偉達的HBM 4供應商還包括SK Hynix和三星。前者憑藉與英偉達和臺積電（TSB）的長期合作伙伴關係和深度整合，牢牢確立了英偉達主要供應商的地位，也是第一家通過英偉達資格的公司;此前有傳言稱其獲得了英偉達70%的HBM訂單。

英偉達對Vera Rubin產品線內存的採購決策將直接影響甚至決定美光的HBM市場份額;如果英偉達轉向競爭對手，美光將遭受重大打擊。

但從英偉達的角度來看，將HBM三大巨頭納入其供應鏈的原因是爲了抵消SK Hynix的主導地位，打破其壟斷定價，從而獲得討價還價的能力。此前有傳言稱，英偉達派出工程團隊進駐美光進行實時調試，以加快產品認證。鑑於英偉達對HBM芯片的迫切需求，美光的產品既具有功耗優勢，又可以檢查競爭對手的溢價;英偉達不太可能放棄美光轉而競爭對手。

今年迄今，美光股價已累計上漲62%，成為費城半導體指數中表現最好的成分股，也是美國市值前十大科技公司中唯一一家今年上漲的公司。美光目前的下跌也部分歸因於投資者的獲利回吐。

從基本面來看，美光第二季度毛利率達到74.4%，表明該公司盈利恢復能力較強。由於HBM供應供不應求，訂單積壓到2027年，美光最大的問題不是缺乏訂單，而是缺乏產能。由於人工智能基礎設施需求仍然很高，美光今天投資數百億美元的產能擴張只會在未來產生可觀的財務回報。