黃詹森表示感謝。三星是Nvidia GTC的最大贏家嗎？

TradingKey -在英偉達GTC 2026大會上，三星電子與英偉達（NVDA）之間的深度合作已成為行業焦點。

雙方不僅在芯片代工領域取得突破，還在存儲技術、系統架構等多個維度展開合作，共同推動人工智能推理時代的產業轉型。此次合作也推動三星電子韓國股價在宣佈這一消息后周二交易時段上漲逾4%。

在本次大會上，英偉達正式推出了基於Groq技術的LPX推理架。該產品採用「分解推理」架構，將人工智能推理過程分為兩個階段：預填充和令牌生成，分別由Rubin GPUs和Groq LPU芯片處理。

其中，Groq的核心LP 30芯片由三星電子製造，這標誌着英偉達首次將服務器芯片訂單授予臺積電（TSB）以外的製造商。

黃詹森在主旨演講中特別感謝三星：「感謝三星全力以赴生產Groq 3 LPU芯片;他們的產能擴張超出了預期」，公開證實了兩家公司在代工領域的深度合作。

硬件配置方面，單個LPX機架可容納256顆LP 30芯片，而一個Vera Rubin NVL 72系統對應一個LPX機架（GPU-LPU比例為72：256）。

根據市場需求預測，如果在全球部署10萬個LPX機架，三星代工業務預計將產生近100億美元的收入。與臺積電為單個Rubin圖形處理器提供的1，000 - 2，000美元的代工服務相比，三星通過LPX芯片製造以及附帶的HBM和RAM供應獲得的總業務價值可能是臺積電的三到四倍。

同一天，三星電子還在其GTC展位首次公開展示了其下一代高帶寬內存HBM 4 E的物理芯片和核心芯片，展示了其與英偉達在人工智能存儲領域的深度協同效應。

三星存儲器業務部門負責人表示，該公司將利用HBM 4批量生產積累的第六代10納米級RAM工藝，以及4納米基礎芯片設計能力，加速HBM 4 E的商業化。預計今年下半年將向全球客户提供樣品。

在這次會議上，三星是唯一一家公開展示下一代HBM產品的內存製造商，此舉被視為擴大了與SK Hynix和Micron等競爭對手在人工智能內存競賽中的技術差距。

除了HBM 4 E，三星還展示了混合銅鍵合（HCB）技術。與傳統的熱壓焊（TCB）相比，HCB技術可以降低20%的熱阻，支持16層或更多層的芯片堆疊，為下一代HBM產品的性能提升奠定了基礎。

三星強調，強大的人工智能系統是推動行業創新的關鍵，它將繼續為NVIDIA的Vera Rubin平臺提供高性能內存解決方案。

三星在展位上設立了專門的「NVIDIA Gallery」，重點介紹雙方在存儲領域的合作成果，包括HBM 4、SOCAMM 2服務器內存模塊和PM 1763 SSD。

其中，SOCAMM 2是業內首款批量生產的低功耗服務器內存模塊，將高帶寬與靈活的系統集成能力結合在一起; PM 1763 SSD利用PCIE 6.0接口，為人工智能應用提供高速數據傳輸和大容量存儲支持。

同時，三星在大會上展示了其在人工智能計算領域的全面佈局，涵蓋從邊緣設備到數據中心的場景。

在個人設備場景方面，三星展示了配備NVIDIA DGX Spark的PM 9 E3和PM 9 E1 RAM產品，以及針對高端智能手機和平板電腦的LPDDR 5X和LPDDR 6 RAM解決方案。值得注意的是，LPDDR 6將帶寬增加到每針30- 35 Gbps，並引入自適應電壓縮放和動態刷新控制，以支持下一代設備上AI工作負載的性能。

在數據中心領域，三星的PM 1753 SSD作為NVIDIA Vera Rubin平臺加速存儲基礎設施參考架構的一部分，可以提高推理工作負載的能源效率和系統性能。

此外，三星還展示了與英偉達在人工智能工廠開發方面的合作成果。雙方計劃引入英偉達加速計算技術，以擴大三星人工智能工廠的規模，並加速實施基於英偉達Omniverse庫的數字雙胞胎製造。

隨着人工智能市場的快速增長，三星與英偉達之間的深度合作有望為業務提供持續增長和技術創新動力。