onsemi推出垂直型氮化鎵半導體：人工智能和電氣化的突破

Onsemi的垂直式氮化鎵架構基於新穎的GaN-on-GaN-GaN-on-GaN-Technology，為功率密度、效率和堅固性樹立了新基準

onsemi垂直型Gap

onsemi垂直型Gap芯片

亞利桑那州斯科茨代爾，2025年10月30日（環球新聞網）--摘要-隨着人工智能數據中心、電動汽車和其他能源密集型應用的全球能源需求激增，Onsemi推出了垂直式氮化鎵（vGaN）功率半導體，為這些應用設定了功率密度、效率和堅固性的新基準。這些開創性的下一代GaN-on-GaN-Power半導體通過化合物半導體垂直導電，實現更高的工作電壓和更快的開關頻率，從而節省能源，為人工智能數據中心、電動汽車（EV）、可再生能源以及航空航天、國防和安全提供更小、更輕的系統。

新聞亮點

新內容：onsemi的vGaN技術是一項突破性的功率半導體技術，為人工智能和電氣化時代的效率、功率密度和堅固性樹立了新基準。Onsemi由Onsemi位於紐約州錫拉丘茲的晶圓廠開發和製造，擁有130多項全球專利，涵蓋垂直型氮化鎵技術的一系列基礎工藝、器件設計、製造和系統創新。

「垂直型氮化鎵改變了行業的遊戲規則，並鞏固了onsemi在能源效率和創新方面的領導地位。隨着電氣化和人工智能重塑行業，效率已成為定義進步衡量標準的新基準。在我們的電源產品組合中添加垂直型氮化鎵，為我們的客户提供了提供無與倫比性能的終極工具包。憑藉這一突破，Onsemi正在定義能源效率和功率密度成為競爭力貨幣的未來。」 Dinesh Ramanathan，Onsemi企業戰略高級副總裁。

重要原因：世界正在進入一個新時代，能源成為技術進步的決定性限制。從電動汽車和可再生能源到現在消耗比一些城市更多電力的人工智能數據中心，電力需求的增長速度超過了我們高效發電和輸送電力的能力。現在節省的每一瓦特都很重要。

onsemi的vGaN技術設計用於在單片芯片中處理1，200伏及以上的高電壓-以高頻率切換高電流，具有卓越的效率。採用該技術構建的高端電源系統可以將損耗降低近50%，並且通過在更高頻率下工作，還可以減小尺寸，包括類似數量的電容器和電感器等無源器件。此外，與市售的橫向GaN相比，vGaN器件大約小三倍。這使得Onsemi的vGaN非常適合功率密度、熱性能和可靠性至關重要的關鍵高功率應用，包括：

工作原理：大多數市售的Gap器件都構建在非Gap的基片上，主要是硅或藍寶石。對於超高壓器件，onsemi的vganan使用GaN-on-GaN-GA技術，該技術允許電流垂直流過芯片，而不是流過其表面。該設計在極端條件下提供更高的功率密度、更好的熱穩定性和穩健的性能。憑藉這些優勢，vGaN超越了硅基GaN和藍寶石基GaN器件，提供更高的電壓能力、更高的開關頻率、卓越的可靠性和增強的堅固性。這使得開發更小、更輕、更高效的電力系統，同時降低冷卻要求和更低的總體系統成本。主要好處包括：

可用性：立即向搶先體驗客户提供樣品

其他信息：垂直式氮化鎵概況介紹垂直式氮化鎵概述演示

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