Navitas支持NVIDIA下一代AI工廠計算平臺的800 V直流電源架構

Navitas推出了新型100 V Gap場效應晶體管，以及650 V Gap和高壓Sic器件，專為英偉達的800 V AI工廠架構而設計，提供突破性的效率、功率密度和性能。

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加利福尼亞州託倫斯2025年10月13日（環球新聞網）--納維半導體（納斯達克：NVTS）是下一代GaNFast™氮化鎵（GaNFast™）和GeneSic™碳化硅（Sic）功率半導體領域的行業領導者，宣佈開發先進的中高800伏電壓的Gap和Sic功率器件取得進展，以實現英偉達宣佈的下一個800伏電壓的功率架構-一代AI工廠計算平臺。

隨着「人工智能工廠」的出現，這是一種專門為大規模、同步人工智能和高性能計算（IPC）工作負載而構建的新型數據中心，它帶來了一系列電源挑戰。傳統的企業和雲數據中心依賴於傳統的54 V架內配電，無法更長時間地滿足當今加速計算平臺所需的多兆瓦機架密度。這些挑戰需要根本性的架構轉變。

800 V直流配電提供：

800 VDC架構可在數據中心電源室或周邊將13.8 kVAC公用電源直接轉換為800 VDC。通過利用固態變壓器（SST）和工業級整流器，這種方法消除了多個傳統的AC/DC和DC/DC轉換級，最大限度地提高了能源效率，降低了損耗，並提高了整體系統的可靠性。

800 VDC配電直接為IT機架供電，無需額外的AC-DC轉換級，並通過兩個高效DC-DC級（800 VDC至54 V/12 VDC，然后至負載點GPU電壓）降壓，以驅動NVIDIA Rubin Ultra平臺等高級基礎設施。

這些最先進的人工智能工廠需要前所未有的功率密度、效率和可擴展性，而Navitas的高性能GaNFast和GeneSic技術可以實現這一目標。

Fig. 1.從電網到圖形處理器，Navitas先進的Eu和Si技術為人工智能數據中心的各個階段提供動力。

作為一家純粹的寬帶寬功率半導體公司，Navitas提供突破性的Gap和Sic技術，可在人工智能數據中心的各個階段（從公用電網到圖形處理器）實現高效和高功率密度的功率轉換。

Navitas的新100 V Gap場效應晶體管產品組合在先進的雙面冷卻封裝中提供卓越的效率、功率密度和熱性能。這些場效應晶體管專門針對圖形處理器電源板上的低壓DC-DC級進行了優化，其中超高密度和熱管理對於滿足下一代人工智能計算平臺的需求至關重要。樣本、數據表和評估板可供合格客户使用。

此外，通過與Power Chip的新戰略合作伙伴關係，這些高效率100 V GaN-on-Si工藝製造這些高效率100 V GaN-on-Si工藝，實現可擴展、大批量製造。

Navitas的650 V GaNSafe ™功率IC包括一系列新的高功率GaNSafe™功率IC，集成了控制、驅動、傳感和內置保護功能。這確保了卓越的穩健性和可靠性，支持下一代人工智能基礎設施的嚴格性能和安全要求。

GaNSafe™是世界上最安全的氮化鎵平臺，具有超快短路保護（最大350 ns響應）、所有管腳上的2 kV靜電放電保護、消除負柵極驅動和可編程壓擺率控制。所有這些功能均由4針控制，使封裝可以像分立式Gap一樣處理，無需任何LCC針。

憑藉20多年的SiC創新領導地位，GeneSiC™專有的「溝道輔助平面」在整個溫度範圍內提供卓越的性能，為大功率、高可靠性應用提供高速、冷運行操作。GeneSic技術提供行業最廣泛的電壓範圍，從650 V到6，500 V，並已在多個兆瓦級儲能和併網逆變器項目中實施，包括與美國能源部（DoE）的合作。

Navitas總裁兼首席執行官Chris Allexandre表示：「隨着英偉達推動人工智能基礎設施的轉型，我們很自豪能夠通過先進的Eu和Si電源解決方案來支持這一轉變，這些解決方案能夠實現下一代數據中心所需的效率、可擴展性和可靠性。」「隨着行業迅速轉向兆瓦級人工智能計算平臺，對更高效、可擴展和可靠的電力傳輸的需求變得絕對至關重要。從傳統54 V架構到800 V DC的過渡不僅是進化性的，而且是變革性的。」

「Navitas正在經歷一場根本性的轉型，這是由Gap和Sic技術融合的推動，為世界上最先進的系統提供動力。從電網到圖形處理器，我們現在的重點遠遠超出了移動領域，我們通過差異化的高性能電力解決方案來滿足人工智能工廠、智能能源基礎設施和工業平臺的兆瓦級需求。」

有關Navitas最新100 V和650 V Gap場效應晶體管以及我們的高壓Sic場效應晶體管產品組合的更多信息、樣本、數據表和評估板，請聯繫info@navitassemi.com。

閲讀Navitas關於「重新定義數據中心電源：適用於下一代800 V DC基礎設施的石墨烯和SiC技術」的白皮書的更多信息。關於Navitas Navitas Sem導體（納斯達克股票代碼：NVTS）是一家下一代功率半導體領導者，致力於滿足以下要求：氮化鎵（Eu）和IC集成器件以及高壓碳化硅（Si）技術，推動人工智能和數據中心、能源和電網基礎設施、功率性能計算和工業應用領域的創新。GaNFast™功率IC憑藉30多年的寬帶帶隙技術專業知識，集成了GaNFast™功率、驅動、控制、傳感和保護，提供更快的功率傳輸、更高的系統密度和更高的效率。GeneSic™高壓Sic器件利用專利的溝道輔助平面技術，為中壓電網和基礎設施應用提供行業領先的電壓能力、效率和可靠性。Navitas擁有300多項已發佈或正在申請的專利，是世界上第一家獲得CarbonNeutral®認證的半導體公司。

Navitas Sem導體、GaNFast、GaNSense、GeneSic和Navitas徽標是Navitas半導體有限公司及其附屬公司的商標或註冊商標。所有其他品牌、產品名稱和標記都是或可能是用於識別其各自所有者的產品或服務的商標或註冊商標。

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Llew Vaughan-Edmunds，產品管理與營銷高級總監info@navitassemi.com

Lori Barker，投資者關係ir@navitassemi.com

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