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2025-09-24 15:00
器件将低至 105 nC 的Qrr、低至 1.45 V 的VF以及低结电容和恢复时间结合在一起,从而降低开关损耗并提高效率
宾夕法尼亚州马尔文,2025年9月24日讯——Vishay Intertechnology, Inc.(纽约证券交易所股票代码:VSH)今日宣布,其第七代1200 V FRED Pt®超高速整流器平台新增四款采用eSMP®系列SlimSMA HV (DO-221AC)封装的全新器件。1 A和2 A整流器针对工业和汽车应用进行了优化,不仅在同类器件中实现了反向恢复电荷( Qrr )和正向压降之间的最佳平衡,而且还提供了最低的结电容和恢复时间。
Vishay Semiconductors 今日发布的整流器包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3 ,以及符合 AEC-Q101 标准的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3 。为了降低开关损耗并提高效率,这些器件将快速恢复时间缩短至 45 ns, Qrr典型值低至 105 nC,正向压降低至 1.45 V,结电容低至 2.5 pF。这些坚固耐用的整流器采用 2.6 mm x 5.2 mm 的紧凑封装,可提供高达 21 A 的非重复峰值浪涌电流,高度仅为 0.95 mm,而同类竞争产品 SMA 封装的高度则为 2.3 mm。该器件具有最小 3.2 毫米爬电距离和相对漏电起痕指数 (CTI) ≥ 600(材料组 I)的成型化合物,可根据 IEC 60664-1 对高压应用的要求减少元件数量并降低 BOM 成本。
VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3 和 VS-E7JX0212HM3 可在反激式辅助电源和高频整流器中用作钳位二极管、缓冲器和续流二极管,以实现自举驱动器功能,同时为最新的快速开关 IGBT 和高压 Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。这些器件的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车 (EV) 的车载充电器和电机、发电和储能系统、Ćuk 转换器和工业 LED SEPIC 电路。
该整流器采用平面结构和铂掺杂寿命控制技术,在不影响性能的情况下确保系统可靠性和稳健性,同时其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地降低开关损耗并降低功耗。这些器件符合RoHS标准且无卤素,其湿度敏感度等级为1级(符合J-STD-020标准),并可在高达+175°C的高温下工作。
设备规格表:
零件编号 | VS-E7JX0112-M3 | VS-E7JX0112HM3 | VS-E7JX0212-M3 | VS-E7FX0212HM3 |
我F(AV) | 1个 | 1个 | 2 A | 2 A |
虚拟现实 | 1200伏 | |||
V F和 I F | 1.45伏 | 1.45伏 | 1.60伏 | 1.60伏 |
t rr | 50纳秒 | 50纳秒 | 45纳秒 | 45纳秒 |
Q rr | 105纳摄氏度 | 105纳摄氏度 | 165纳摄氏度 | 165纳摄氏度 |
计算机断层扫描 | 2.5 皮法 | 2.5 皮法 | 3.0 皮法 | 3.0 皮法 |
有限状态机 | 十四 | 十四 | 21 A | 21 A |
包裹 | SlimSMA HV (DO-221AC) | |||
AEC-Q101 | 不 | 是的 | 不 | 是的 |
新型第七代整流器的样品和量产批量现已上市,供货周期为八周。
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件制造商之一,其产品对于汽车、工业、计算、消费电子、电信、军事、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。Vishay 服务于全球客户,秉承科技基因。® Vishay Intertechnology, Inc. 是一家在纽约证券交易所 (VSH) 上市的《财富》1000 强企业。更多关于 Vishay 的信息,请访问www.Vishay.com 。
DNA of tech®是Vishay Intertechnology, Inc. 的注册商标。
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数据表链接:
http://www.vishay.com/ppg?97319 (VS-E7JX0112-M3)
http://www.vishay.com/ppg?97246 (VS-E7JX0112HM3)
http://www.vishay.com/ppg?97318 (VS-E7JX0212-M3)
http://www.vishay.com/ppg?97106 (VS-E7JX0212HM3)
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彼得·亨利奇,+1 408 567-8400
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