ACM Research推出超精密电化学去镀工具 用于化合物半导体金蚀刻工艺

Ultra ECDP 系统为高精度金凸点、薄膜和深孔去镀提供卓越的均匀性和最小化的底切

加州弗里蒙特，2025年9月17日（环球新闻社）—— ACM Research, Inc. （“ACM”）（纳斯达克股票代码：ACMR），一家领先的半导体和先进封装应用晶圆及面板加工解决方案供应商，今日宣布推出其首款专为宽带隙化合物半导体制造设计的 Ultra ECDP 电化学去镀（“Ultra ECDP”）设备。Ultra ECDP 设备专为在晶圆图案区域外进行电化学晶圆级金 (Au) 蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的底切和更佳的金线外观。

Ultra ECDP 设备提供专业工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻和深孔金退镀，并由集成预湿和清洁腔体提供支持。该系统采用精确的化学循环和先进的多阳极电化学退镀技术，可最大程度地减少侧蚀，实现卓越的表面光洁度，并在整个工艺过程中保持优异的均匀性。

“随着电动汽车、5G/6G 通信、射频和人工智能应用等领域的需求强劲，化合物半导体市场持续增长，”盛美半导体总裁兼首席执行官王大卫博士表示。“黄金正成为这些器件的有利材料，它具有高导电性、耐腐蚀性和延展性，但也带来了蚀刻和电镀方面的挑战。我们相信盛美半导体的 Ultra ECDP 设备能够克服这些障碍，提供可靠、可立即投入生产的解决方案，帮助客户实现高性能成果。这是我们通过创新应对客户挑战的又一例证。”

Ultra ECDP 设备专为满足化合物半导体制造不断变化的需求而设计，能够适应各种基材（包括碳化硅 (SiC)、砷化镓 (GaAs)、磷酸锂 (Li₃PO₄) 等）的独特物理特性，例如重量、应力和厚度。Ultra ECDP 设备采用模块化设计，可灵活地将电镀和退镀工艺集成在一个平台上，并利用多阳极技术控制不同区域的退镀。Ultra ECDP 设备还提供水平全表面退镀，以防止加工过程中的交叉污染。

关于 Ultra ECDP 工具
Ultra ECDP 设备兼容 6 英寸和 8 英寸平台，可容纳 150 毫米 (mm)、159 毫米和 200 毫米晶圆尺寸。该系统可配置两个开放式晶圆盒和一个真空臂，从而能够适应各种制造环境。

前瞻性陈述

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关于 ACM Research, Inc.

ACM 开发、制造和销售半导体工艺设备，涵盖清洗、电镀、无应力抛光、垂直炉工艺、轨道式工艺、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 以及晶圆级和面板级封装设备，助力先进和半关键半导体器件制造。ACM 致力于提供定制化、高性能、经济高效的工艺解决方案，帮助半导体制造商在众多制造步骤中提升生产力和产品良率。欲了解更多信息，请访问https://www.acmr.com/ 。

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