ACN Research宣佈對其用於先進芯片製造的Ultra C SYS濕工作臺清潔工具進行重大升級

ACN正在申請專利的氮氣鼓泡技術可顯着改善濕蝕刻均勻性並增強清潔性能

加利福尼亞州弗雷蒙特2025年7月24日（環球新聞網）--ACN Research，Inc.（「ACN」）（納斯達克：ACMR）是半導體和高級封裝應用的領先芯片和麪板處理解決方案供應商，今天宣佈對其Ultra C Inbox清潔工具進行重大升級。這些新的增強功能旨在滿足高級節點製造流程的嚴格技術要求。

升級后的Ultra C Inbox採用正在申請專利的氮氣（N2）鼓泡技術，可解決濕蝕刻均勻性差和副產物再生問題。這些問題經常出現在先進節點工藝中的高長寬比溝道和通孔結構中的磷酸的傳統濕台工藝中。ACN正在申請專利的N2鼓泡技術提高了磷酸的傳輸效率，並促進了濕蝕刻浴中温度、濃度和流速的均勻性。濕蝕刻工藝提高的質量傳遞效率避免了副產物在芯片微結構中的積累，以防止再生長。該技術在製造3D RAM、3D邏輯和500+層3D與非器件的濕蝕刻工藝中具有巨大的應用潛力。

「由於性能是重中之重，ACN增強了其Ultra C Inbox工具，通過集成N2鼓泡技術來提供更好的結果，」ACN總裁兼首席執行官David Wang博士表示。「批量處理仍然是濕處理市場的重要組成部分，與單片濕清潔相比，具有成本效益、效率提高和化學品消耗更低等優勢。」

升級后的Ultra C Tools的新功能和優點：

前瞻性陳述

本新聞稿中包含的某些陳述不是歷史事實，可能是1995年《私人證券訴訟改革法案》所指的前瞻性陳述。「計劃」、「預期」、「相信」、「預期」、「設計」等詞語以及類似詞語旨在識別前瞻性陳述。前瞻性陳述基於ASM管理層當前的預期和信念，涉及許多難以預測的風險和不確定性，可能導致實際結果與前瞻性陳述所述或暗示的結果存在重大差異。對其中某些風險、不確定性和其他事項的描述可在ACN向美國證券交易委員會提交的文件中找到，所有這些文件均可在www.sec.gov上獲取。由於前瞻性陳述涉及風險和不確定性，因此實際結果和事件可能與ACN目前預期的結果和事件存在重大差異。請讀者不要過度依賴這些前瞻性陳述，這些陳述僅限於本文日期。ACN沒有義務公開更新這些前瞻性陳述，以反映本聲明日期之后發生的事件或情況，或反映其對這些前瞻性陳述或非預期事件的發生的預期的任何變化。

關於ASM Research，Inc.

ACN開發、製造和銷售半導體工藝設備，涵蓋清潔、電解、無壓力拋光、立式爐工藝、軌道、等離子體等離子體增強型以及芯片和麪板級封裝工具，實現先進和半關鍵半導體器件製造。ACN致力於提供定製、高性能、經濟高效的工藝解決方案，半導體制造商可以在眾多製造步驟中使用這些解決方案，以提高生產力和產品良率。欲瞭解更多信息，請訪問www.acmr.com。

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