安森美半导体（ON）推出第四代碳化硅平台EliteSiC M4 应对AI数据中心及电动汽车功率密度升级

金吾财讯 | 安森美半导体（ON）宣布推出第四代碳化硅（SiC）技术平台EliteSiC M4。该平台基于沟槽（trench）架构打造，旨在应对AI数据中心、电动汽车及能源基础设施日益增长的高功率密度与能效需求。

据介绍，与上一代产品相比，EliteSiC M4将功率密度提升最高30%，能量损耗降低35%，导通电阻降低20%至50%。在开关性能方面，硬开关和软开关性能品质因数分别提升67%和50%，且耐受温度达185°C，满足高压及严苛工况需求。

产品交付方面，用于电动汽车主驱逆变器的750V裸芯片现已正式供货，1200V等更高电压规格预计将于2027年起陆续推出。

业内人士分析指出，随着AI数据中心和高压电动车对电能转换效率要求的不断提高，EliteSiC M4在减小系统体积、优化散热和提升续航方面展现出显著竞争优势。