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2026-11-04 07:03
华盛资讯11月4日讯,纳微半导体公布2026财年Q3业绩,公司Q3营收0.14亿美元,同比增长38.4%,归母净利润亏损0.37亿美元,同比亏损扩大92.9%。
一、财务数据表格(单位:美元)
| 指标 | 截至2026年9月30日三个月 | 截至2025年9月30日三个月 | 同比变化率 | 截至2026年9月30日九个月 | 截至2025年9月30日九个月 | 同比变化率 |
| 营业收入 | 0.14亿 | 0.10亿 | 38.4% | 0.33亿 | 0.39亿 | -14.2% |
| 归母净利润亏损 | -0.37亿 | -0.19亿 | 92.9% | -2.99亿 | -0.85亿 | 251.3% |
| 每股基本亏损 | -0.14 | -0.09 | 55.6% | -1.23 | -0.43 | 186.0% |
| 毛利率 | 21.5% | -2.0% | * | 6.8% | -1.7% | * |
| 净利率 | -265.2% | -190.2% | -75.0% | -903.2% | -220.5% | -682.7% |
二、财务数据分析
1、业绩亮点:
① 第三季度总营业收入达到0.14亿美元,同比增长38.4%(环比增长33.0%),实现自2024年以来的首次同比增长,这主要得益于“纳微2.0”战略转型的成功推进以及高功率市场的加速拓展。
② 核心高功率市场(包括AI数据中心及电网与能源基础设施等)表现强劲,其营收贡献环比增长超过50.0%,有效抵消了公司主动退出移动和低端消费电子市场带来的影响。
③ 盈利能力显著改善,第三季度GAAP毛利率由去年同期的-2.0%大幅转正至21.5%,主要原因是营收规模扩大以及部分已开发技术无形资产摊销完毕使得计入营业成本的无形资产摊销费用由0.04亿美元降至0.03亿美元;非GAAP毛利率也同比提升1.3个百分点至40.0%。
④ 非GAAP净利润亏损实现收窄,第三季度非GAAP净亏损为0.07亿美元(合每股亏损0.03美元),较去年同期的净亏损0.10亿美元(合每股亏损0.05美元)同比收窄32.2%,显示出核心业务运营效率的提升。
⑤ 现金储备大幅充裕,截至2026年9月30日,公司持有的现金及现金等价物达到5.31亿美元,较2025年底的2.37亿美元大幅增长124.4%,为公司投资“从电网到xPU”技术及建立战略库存提供了坚实的资金保障。
2、业绩不足:
① 第三季度GAAP归母净利润亏损达0.37亿美元,较去年同期的亏损0.19亿美元同比扩大92.9%;每股基本亏损也由去年同期的0.09美元扩大55.6%至0.14美元。
② 受战略转型期主动剥离移动和低端消费电子业务的影响,今年前九个月累计营业收入为0.33亿美元,较去年同期的0.39亿美元同比下降14.2%。
③ 前九个月累计GAAP归母净利润亏损高达2.99亿美元,同比大幅扩大251.3%,主要原因是期间确认了高达2.11亿美元的或有对价(earnout)负债公允价值变动非现金损失。
④ 营业费用支出压力剧增,第三季度总营业费用达到0.40亿美元,较去年同期的0.23亿美元同比增长71.6%,进而导致当季GAAP营业亏损同比扩大77.1%至0.34亿美元。
⑤ 销售、一般及行政费用(SG&A)和重组成本显著上升,第三季度SG&A费用从去年同期的0.05亿美元激增251.6%至0.18亿美元(主要受股权激励费用及非经常性交易和法律费用增加影响),同时当季还产生了0.03亿美元的重组费用(去年同期为0)。
三、公司业务回顾
纳微半导体: 我们第三季度的强劲业绩以及在高功率市场的持续加速,反映了“纳微2.0”战略转型的成功执行。本季度我们实现了0.14亿美元的营业收入,环比增长33.0%,同比增长38.4%。高功率市场的营收贡献环比增长超过50.0%,推动GAAP毛利率提升至21.5%,非GAAP毛利率达到40.0%。在业务与技术拓展方面,我们完成了对Claros的收购,通过将服务于垂直供电(VPD)和嵌入式供电(EPD)架构的集成电压调节器(IVR)技术栈加入现有的氮化镓(GaN)以及高压和超高压碳化硅(SiC)产品组合中,完善了我们“从电网到xPU”的AI基础设施供电战略布局。此外,我们与英伟达(NVIDIA)合作开发了800V转12V供电板以支持下一代AI基础设施架构,与Microchip合作交付了面向下一代AI数据中心的800V参考设计;同时,公司被美国政府选中开发下一代10kV碳化硅功率半导体,宣布首批由GlobalFoundries在美国制造的最新第5代GaNFast器件已出货,并与Magnachip达成战略合作伙伴关系以加速高压和超高压碳化硅的普及。
四、回购情况
公司在报告中未披露回购情况。
五、分红及股息安排
公司在报告中未披露分红及股息安排。
六、重要提示
1、收购与业务整合风险:公司于2026年10月6日完成了对Claros, Inc.的收购。Claros的IVR业务对公司而言属于全新的市场和技术领域,整合过程可能复杂、昂贵且耗时,若未能成功整合或出现意外延迟,可能会产生未预期的费用、干扰日常运营并损害公司执行业务战略的能力。
2、高功率市场战略转型风险:公司正在执行向AI数据中心、能源和电网基础设施、高性能计算及工业电气化等高功率市场的战略转型,并逐步退出移动和消费电子产品市场。这一战略调整伴随着重大的运营、技术和市场风险,包括能否成功开发满足严苛要求的半导体解决方案、应对老牌企业的激烈竞争,以及底层新兴系统架构(如800V系统)的市场接受度不及预期等风险。
七、公司业务展望及下季度业绩数据预期
纳微半导体: 我们预计2026年第四季度净营业收入将增至0.16亿美元(上下浮动0.01亿美元),按中位数计算,相当于环比增长14.0%,同比增长119.0%,这将是过去七个季度以来的最高单季营收。预计第四季度非GAAP毛利率将为40.5%(上下浮动1.0个百分点),按中位数计算环比提升0.5个百分点;预计非GAAP营业费用将为0.25亿美元(上下浮动0.01亿美元),其中包含了所收购的Claros业务的相关运营费用。到今年年底,我们预计移动和低端消费电子业务将基本从我们的营收结构中剔除,由AI数据中心及为其供电的能源电网基础设施组成的AI基础设施业务预计将占总营收的40.0%以上。按第四季度指引的中位数计算,我们预计2026年全年营收将实现7.0%的增长,其中核心高功率业务营收同比增长125.0%,并且公司将以远高于1的强劲订单出货比(book-to-bill ratio)和延伸至2027年年中的积压订单迈入新的一年。
八、公司简介
纳微半导体(Navitas Semiconductor,纳斯达克股票代码:NVTS)是下一代功率半导体和供电解决方案的领导者,致力于为AI基础设施(包括数据中心、能源和电网系统)以及高性能计算和工业电气化等市场开拓氮化镓(GaN)、高压及超高压碳化硅(SiC)和集成电压调节器(IVR)技术。这些技术共同构建了完整的“从电网到xPU”电源架构,打破了AI基础设施的功耗墙,在整个电源链中实现更高的效率、更大的功率密度和更强的性能。公司的GaNFast™ FET和功率IC集成了氮化镓功率、驱动、控制、传感和保护功能;GeneSiC™产品组合结合了专有的沟槽辅助平面(TAP)碳化硅技术与先进的分立封装及SiCPAK™功率模块;Claros™ IVR技术则将供电直接延伸至xPU,支持垂直供电(VPD)和嵌入式供电(EPD)架构。纳微半导体目前已拥有或正在申请的专利超过450项,是800V直流电(VDC)和先进AI电力基础设施生态系统的领导者。
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