中泰证券：AI算力高功耗驱动需求上行 稀土供给约束打开替代空间

中泰证券发布研究报告称，在AI算力功耗呈指数级跃升的背景下，陶瓷基板正从传统封装材料升级为算力硬件的核心刚需，其中氮化铝(AIN)基板凭借优异热导率、合适热膨胀系数、低介电损耗、良好机械性能等综合优势，成为功率半导体器件散热与电路承载的关键衬底材料。全球AIN基板呈现日本主导、中国追赶的竞争格局。国内企业迎历史性替代机遇，正加速构建“粉体-基板-金属化”纵向一体化布局。

中泰证券主要观点如下：

需求端：AI产业链四大场景共振，拉动AlN基板量价齐升

①高速光模块：800G开始导入AlN材料，1.6T中成为必选，典型产品有陶瓷基板及TEC冷却片等。据测算，2026、2027年AIN基板(包含TEC冷却片用陶瓷基板)总需求量分别为5.94、8.96亿片，2027年同比增长50.84%;对应市场规模分别为7.50、13.18亿美元，2027年同比增长75.73%。后续随3.2T及更高速率光模块逐步规模化落地，算力场景下芯片散热需求进一步提升，AIN基板市场空间有望继续上行。

②CPO共封装光学/NPO近封装光学：光引擎与交换/计算芯片高密度集成带来严重热串扰，TEC制冷片是激光器精准温控的核心方案，AlN基板作为TEC三明治结构不可或缺的核心基材，新场景下需求有望提升。

③GPU-HBM热管理：HBM堆叠层数增加导致热点集中且散热路径受限，TEC主动制冷成为破解堆叠热点的关键方案，AlN基板作为TEC核心结构材料，有望在这一趋势中充分受益。

④PCB/陶瓷HDI混压：算力芯片功耗持续突破传统材料性能边界，行业当前采用用HDIPCB+局部嵌入陶瓷基板混压方案。当前AI服务器板卡中，陶瓷基板对传统PCB的替代比例已接近30%，主要局部应用于GPU底部、正交背板等高发热区域，伴随芯片功耗上行，替代空间将持续扩容

供给端：稀土管制加速本土一体化布局，高端市场海外壁垒松动，国内企业迎来切入良机

全球AIN基板呈现日本主导、中国追赶的竞争格局。日本企业凭借粉体、烧结、金属化等各环节优势主导高端市场，京瓷、丸和、日本精密陶瓷三家垄断80%以上高端DPC基板;国内厂商在中低端基板领域已实现规模化供货，目前正加速向高端市场突围。

稀土管制下，AIN粉体成为卡脖子环节

上游粉体为决定基板性能的核心，氧含量、杂质、粒度直接影响成品热导率。高端AlN粉体长期被日美企业垄断，日本德山占据全球70%以上高端粉体份额，海外合计占据90%高端粉体市场。氧化钇是AlN烧结必需稀土助剂，受国内中重稀土出口管制影响，海外厂商面临原料断供与交期拉长，产能释放受限。国内企业迎历史性替代机遇，正加速构建“粉体-基板-金属化”纵向一体化布局。

重点个股

氮化铝产业链涵盖上游高纯粉体、中游电子陶瓷制品(含裸板及金属化)，目前少数头部企业已打通全链条，实现垂直一体化布局。围绕上述产业链环节及技术演进趋势，建议重点关注：1)粉体-金属化-基板一体化标的：国瓷材料、旭光电子;2)氮化铝粉体新兴玩家：金博股份;3)DPC载板、光通信基板及管壳领先厂商：富乐德、中瓷电子;4)陶瓷混压PCB主要厂商：科翔股份。

风险提示：下游需求不及预期、技术迭代与路线替代风险、行业竞争加剧、稀土出口政策不确定性、第三方数据失真及信息滞后、数据结果测算偏差风险