三星电子将采用台积电（TSM）3nm工艺 代工英伟达（NVDA）NVHBM基底芯片

金吾财讯 | 据外媒报道，三星电子将采用台积电（TSM）3纳米工艺，为英伟达（NVDA）下一代定制高带宽存储芯片NVHBM生产基底芯片。英伟达已经向三星、SK海力士（SKHY）以及美光科技（MU）提出统一要求：NVHBM基底芯片交由台积电工艺制造，核心芯片使用第六代DRAM技术。这也是三星首次在HBM制造环节和台积电开展合作。

NVHBM于8月正式发布，芯片将英伟达定制存储控制器集成至基底芯片，意在实现多家存储厂商产品标准化。三星经过内部评估接受英伟达相关要求，但标准HBM以及面向其他客户的定制产品仍会维持自有产线制造。同时三星也在评估备选方案，一旦台积电产能无法满足需求，不排除动用自家晶圆代工业务来生产NVHBM基底芯片。