三星HBM4良率超预期提升 加速高端存储产能释放

金吾财讯 | 据首尔经济日报相关报道，三星电子（SSNLF）HBM4产品良率实现大幅攀升，自2月份量产启动阶段不足60%提升至约80%，该进度已经提前达成公司原本设定的2026年底良率目标，工艺改善速度超出行业前期预期。业内分析将良率提升归功于两方面因素，其一为热压缩非导电电薄膜（TC-NCF）工艺完成优化迭代，其二是HBM4底层1cDRAM裸片良率得到改善，两大技术条件共同推动产品生产稳定性提高。

伴随着良率爬坡取得突破，三星也上调HBM4业务经营预期，计划在第三季度将HBM4相关收入提升至原先三倍以上。机构预估进入2026年下半年之后，HBM4将占到三星HBM整体销售额的60%以上。依托良率企稳带来的产能扩张，公司把年末HBM整体市场份额目标设置在38%左右。HBM4产出规模扩张，有望对英伟达（NVDA）下一代AI加速器Vera Rubin的生产形成供给支撑，也能够帮助下游头部AI厂商丰富供应链选择，推进供应商多元化布局，缓解此前行业普遍面临的高端显存供给紧张局面。

行业同行SK海力士（SKHY）的HBM4良率同样来到约80%水平。依靠多代HBM产品量产积累的实践经验，加上自研Advanced Mass Ref Molded Underfill（MR-MUF）工艺技术储备，SK海力士同样计划在下半年持续推进HBM4产能爬坡。两大韩系存储厂商新一代高带宽内存同步实现良率突破，预示全球HBM4供给能力会迎来集中释放，将进一步重塑AI存储产业链的供需格局。