巨头预警磷化铟供需缺口，AI光互连“隐形基石”迎价值重估

（来源：财闻）

无独有偶，英伟达此前预测，2026年至2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增约20倍，并已要求供应商在5年内将产能扩充至相应规模。

近期A股科技板块在前期剧烈波动后逐步修复，但内部轮动明显加快。8月6日，沪指上涨0.57%并重新站上3900点，半导体材料板块领涨，而深成指、创业板指分别下跌0.24%、0.55%，显示资金在算力硬件、半导体材料等方向中继续寻找供需逻辑更清晰、产业兑现度更高的细分环节。

今日（8月7日）上午，A股磷化铟相关概念集体走强。云南锗业（002428.SZ）录得4连板，此前公司控股子公司云南鑫耀与客户签订供货协议，约定销售磷化铟晶片（衬底），预计合同总金额区间为5.7亿元至8.55亿元；有研新材（600206.SH）亦录得3连板，博杰股份（002975.SZ）、欧莱新材（688530.SH）等纷纷上涨。截至11时07分，科创半导体ETF华夏（588170）涨2.15%，半导体设备ETF华夏（562590）涨1.97%，科创综指ETF华夏（589000）涨1.59%。

消息面上，海外光通信龙头Lumentum首席执行官Michael Hurlston近日在RAISE Summit警告称，磷化铟（InP）的供需缺口现在已经超过了DRAM和NAND，使其成为人工智能数据中心光互连扩展的最关键制约因素之一。

Hurlston指出，尽管Lumentum运营着多家磷化铟晶圆制造工厂，但受客户需求增速远超产能影响，公司面临的供应短缺仍在持续加剧。受英伟达（NVDA.US）以及超大规模数据中心厂商拉动，电信客户以往数百件量级的订单，现已飙升至数亿件器件规模。无独有偶，英伟达此前预测，2026年至2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增约20倍，并已要求供应商在5年内将产能扩充至相应规模。

一、产能扩容难解“芯”渴：供需剪刀差持续扩大，价格步入长周期上行通道

真正值得关注的并非某一轮现货涨价，而是需求扩张速度已经明显超过产业链愿意，也能够兑现的扩产速度。即使厂商开始增加资本开支，供需剪刀差仍可能在较长时间内存在。东吴证券表示，“据Rosenblatt Securities研究报告，英伟达要求供应链在2025-2030年间将InP激光器整体产能提升约20倍，但上游厂商态度整体偏谨慎保守，仅同意规划约12倍的产能扩容。需求端与供给端的预期差清晰可见——下游要20倍，上游只愿给12倍。截至2025年末，基于InP的数据通信元件供给缺口约70%。即便完成12倍扩容，行业供给到2030年仍落后需求约50%。缺口不收敛，景气度非周期性向上，至少延续至2030年之后”（来源：东吴证券《【东吴计算机王紫敬】扩产12倍仍缺口50%：磷化铟的N年稀缺周期》）。

当缺口从“预期”进一步传导到交付与价格端，行业景气的观察重点也随之变化：不仅要看下游光模块订单有多旺，还要看上游衬底能否及时扩产、良率能否跟上。供给弹性越低，价格对需求上行的反应就越明显。东吴证券指出，“磷化铟是光模块核心基础材料，下游800G/1.6T 光模块出货量持续上修，而全球InP 产能扩张受限于单晶生长良率和长周期设备交付，短期供给弹性极低。Coherent（COHR.US） 认为，磷化铟供需失衡至少将持续整个2026 和2027 年。2025 年初-2026 年4 月，2英寸光通信级磷化铟衬底涨幅近2 倍。随着高端衬底供需缺口扩大，我们预计2026H2 磷化铟衬底价格还将继续上涨。”（来源：东吴证券《云南锗业(002428.SZ)2026H1业绩预告点评：磷化铟量价齐升，业绩超市场预期》）。

二、利润向“金字塔尖”聚拢：核心环节议价权凸显，全栈IDM与衬底龙头迎缺口溢价

供不应求并不会让整条产业链平均受益。越靠近稀缺资源、核心衬底和高端光芯片，技术门槛越高、客户切换成本越大，企业越容易把缺口转化为议价权和利润弹性，产业链价值也会向这些“金字塔尖”环节集中。银河证券认为，“产业链利润向“衬底/外延+高端光芯片”双集中，垂直整合厂商议价权放大。衬底技术壁垒、厂商集中度最高；外延因MOCVD可采购而分散，但定制化程度高、客户粘性强；下游EML/CW/UHP芯片与CPO ELS模块ASP具备2–3倍弹性。拥有InP长晶+外延+芯片+模块全栈能力的IDM（Lumentum、Coherent）与衬底材料龙头（住友、AXT（AXTI.US）/通美）将享受缺口溢价。”（来源：银河证券《光器件行业深度报告：磷化铟，光互连“隐形基石”的产业链卡位与价值重估》）。

进一步看，磷化铟的需求并不只来自单一代际的光模块升级。800G向1.6T迭代、数据中心光互联扩容，以及电信和激光雷达等应用共同抬升需求基数，使上游材料的成长逻辑从单一产品周期逐渐转向多场景共振。国信证券强调，“铟（InP）作为具备直接带隙与高电子迁移率特性的Ⅲ-V 族化合物半导体，完美契合光纤通信的低损耗窗口，是制备高速光芯片不可替代的核心基底材料。当前，在AI 算力集群扩容与数据中心光互联升级的强劲驱动下，800G 光模块全面普及及1.6T光模块加速部署正引发对InP 衬底材料的需求爆发。据Lumentum 预测，AI驱动的InP 光通道出货量年复合增长率（CAGR）高达85%。叠加电信网络扩容与车载激光雷达等新兴应用，全球磷化铟产业链正步入高景气周期。”（来源：国信证券《基础化工行业红磷-磷化铟产业链专题：AI算力重塑供需格局，核心材料迎价值重估》）。

三、资源管制与工艺壁垒双重加锁：技术演进推高大尺寸门槛，供给稀缺性全面显性化

需求可以在数个季度内迅速放大，但磷化铟供给端很难用同样速度响应。原料的稀散属性只是第一道门槛，后续还要经过高纯化、单晶生长、缺陷控制、晶圆加工和客户认证；当行业继续向更大尺寸升级时，每一道工艺难点都会被进一步放大。财通证券表示，“出口许可强化磷化铟供给稀缺性：磷化铟兼具稀散金属资源属性与高纯化合物半导体工艺属性，其最终产能受铟资源可得性、磷源纯度、晶体缺陷控制、晶圆加工一致性及客户认证等多重约束。2025年商务部与海关总署第10号公告将InP材料及生产技术同步纳入出口管制，磷化铟供给稀缺性进一步显性化。大尺寸产业化或是下一阶段供给瓶颈：从4英寸向6英寸升级，并非线性放大，热场、应力、位错及翘曲控制难度正在同步跃升。”（来源：财通证券《磷化铟产业稀缺性与AI需求共振》）。

技术路线变化也并不意味着磷化铟需求会被轻易替代。无论当前EML，还是向CW+硅光、CPO+外置光源演进，核心矛盾仍在高性能光源，架构变化更多是在重新分配器件形态，而非削弱磷化铟在光源侧的作用。银河证券指出，“下游EML短缺倒逼技术路径分化，InP在光源侧不可替代性强化。光芯片沿EML（现行）→CW+SiPh（高速发展）→CPO+ELS（2026–2028）→硅基单片Ⅲ-V（2030+）四代演进；EML被NVIDIA等锁产能、交付延至2027年后，800G供需缺口40–60%，驱动CW+SiPh加速渗透，InP基底仍依赖AXT，InP需求不减反增。”（来源：银河证券《银河通信 | 光通信行业高景气，磷化铟需求缺口持续扩大》）。

从市场交易到产业逻辑，磷化铟本轮升温的核心并不只是一个材料价格故事。AI算力集群快速扩张把光互连从配套环节推向基础设施瓶颈，800G、1.6T与CPO持续抬升高性能光源需求，而上游衬底又受到资源、工艺、设备和认证周期多重约束。需求端快、供给端慢，决定了缺口短期难以快速弥合；在这一过程中，具备稳定衬底供给、核心光芯片能力以及全栈整合能力的环节，产业价值和议价权有望继续被重新审视。

四、核心标的逐一拆解：

中微公司（688012.SH）是国内高端半导体设备代表企业，产品覆盖等离子体刻蚀设备、MOCVD设备及薄膜沉积设备。刻蚀是晶圆制造中形成微观结构的核心工艺，随着逻辑芯片、存储芯片和先进封装不断提升工艺复杂度，刻蚀步骤及设备需求有望相应增加。今日开盘跌0.21%，开盘价360.84元。  

拓荆科技（688072.SH）主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，产品覆盖PECVD、ALD、Gap Fill及3D IC设备，核心业务集中于薄膜沉积和三维集成环节。随着先进制程对薄膜层数、均匀性和沉积精度提出更高要求，叠加存储扩产与先进封装发展，公司产品的应用空间有望继续扩大。今日开盘跌0.30%，开盘价680.00元。  

富创精密（688409.SH）主要为半导体设备企业提供工艺零部件、结构零部件、气体传输系统及模组产品，是连接上游精密制造与半导体整机设备的重要环节。随着国产设备厂商产品验证和出货规模扩大，对高洁净、高耐腐蚀及高精度零部件的需求也有望同步增长，公司受益逻辑主要来自设备放量与核心零部件国产化。今日开盘跌0.82%，开盘价182.29元。  

有研硅（688432.SH）是国内重要的半导体硅材料企业，主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，产品包括重掺硅片、轻掺硅片和区熔硅片等，主要应用于集成电路、功率器件等领域。硅片是晶圆制造的基础衬底材料，随着国内晶圆厂产能扩张以及半导体材料国产化持续推进，公司产品的市场空间有望进一步打开。今日开盘涨0.03%，开盘价37.86元。

欧莱新材（688530.SH）主要从事高性能溅射靶材的研发、生产和销售，产品包括铜靶、铝靶、钼及钼合金靶、ITO靶等，可应用于半导体显示、集成电路及封装、太阳能光伏等领域。溅射靶材是薄膜沉积环节的关键材料，随着先进封装、集成电路制造及新型显示产业发展，对高纯度、高性能靶材的需求有望持续增长。今日开盘跌0.29%，开盘价58.33元。  

有研新材（600206.SH）业务覆盖高纯金属靶材、先进稀土材料、特种红外光学及光电材料、生物医用材料等多个新材料领域，其中集成电路用高纯金属靶材与半导体制造关联度较高。公司近期进一步加码半导体材料业务，拟投资4.86亿元建设集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目，提升高纯铜及铜合金、高纯钽、高纯钛靶材产能，并面向先进制程推进技术突破，随着国内晶圆制造扩产和高端靶材国产化推进，公司相关业务有望受益。今日开盘涨5.05%，开盘价46.00元。

相关ETF：科创半导体ETF华夏（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中存储芯片含量超70%，长鑫存储概念含量55%，先进封装含量超67%，聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357）：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高（约66%），长鑫存储概念含量在全市场指数中最高（61%），直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”（设备商）的确定性需求。

如果担心押注单行业波动太大，可以关注科创综指ETF华夏（589000）一指布局科创板全景，无需选择行业/个股，低门槛参与20CM；硬科技含量足，半导体含量53%，宽基中仅次于科创50指数；灵活调仓机制，科创板上市以来日均市值前十个股，上市3个月以后即可纳入，有望率先纳入长鑫科技（688825.SH）。