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2026-07-01 09:22
7月1日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备”的专利,授权公告号CN121659880B,授权公告日为2026年6月30日。申请公布号为CN121659880A,申请号为CN202610170035.2,申请公布日期为2026年6月30日,申请日期为2026年2月6日,发明人张立涛、方昕、张雅琳,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师鲍诗娴,分类号G06F30/367、G06F111/10、G06F119/08。
专利摘要显示,本申请实施例提供了一种MOSFET模拟模型的构建方法、MOSFET漏电流的模拟方法及电子设备,该模型包括用于表征MOSFET的漏电流随温度的变化关系的目标模拟参数;该MOSFET模拟模型的构建方法包括:获取MOSFET在多个测试温度下的测量漏电流和每个测试温度相对于基准温度的温度增量;以单调递增的指数多项式模型作为拟合模型,拟合测量漏电流随温度增量的变化关系,得到拟合结果;在基于拟合结果得到的任一测试温度下的模拟漏电流与测量漏电流之间的误差落入指定误差范围的情况下,将拟合结果赋予目标模拟参数,得到目标MOSFET模拟模型。通过本申请实施例,提升了MOSFET模拟模型对漏电流的模拟准确度。
晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。它是国内知名的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发与应用能力,在行业内具有一定优势。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,专注于研发并应用行业先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及MCU概念、汽车芯片、半导体等概念板块。
2025年,晶合集成营业收入达108.85亿元,在行业7家企业中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹宏力为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润为4.66亿元,同样排名行业第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种半导体结构的制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610795445.6 | 2026-06-04 | CN122318838A | 2026-06-30 | 马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮 |
| 2 | 干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610757823.1 | 2026-05-29 | CN122314744A | 2026-06-30 | 李文超、刘然、罗成、杨智强 |
| 3 | MOM电容结构的SPICE模型的建立方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610759023.3 | 2026-05-29 | CN122311103A | 2026-06-30 | 胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然 |
| 4 | 半导体结构及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610761688.8 | 2026-05-29 | CN122318267A | 2026-06-30 | 张德培、周宁宁、王梦慧 |
| 5 | 晶圆清洗方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610747037.3 | 2026-05-28 | CN122270072A | 2026-06-23 | 刘苏涛、曹平 |
| 6 | 半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610740384.3 | 2026-05-27 | CN122265950A | 2026-06-23 | 毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪 |
| 7 | 栅极介质层的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610741566.2 | 2026-05-27 | CN122269774A | 2026-06-23 | 周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先 |
| 8 | 半导体器件的外延层结构形成方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610719734.8 | 2026-05-25 | CN122248783A | 2026-06-19 | 谢斌根、董宗谕 |
| 9 | 安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610705221.1 | 2026-05-21 | CN122238814A | 2026-06-19 | 刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小 |
| 10 | 图像传感器及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610702601.X | 2026-05-21 | CN122248817A | 2026-06-19 | 张鹏鹏、贾涛 |
| 11 | 接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品 | 发明专利 | 公布 | CN202610694586.9 | 2026-05-20 | CN122218003A | 2026-06-16 | 李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕 |
| 12 | 半导体缺陷智能分析方法及装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610693288.8 | 2026-05-20 | CN122244026A | 2026-06-19 | 杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕 |
| 13 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610695713.7 | 2026-05-20 | CN122318270A | 2026-06-30 | 魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞 |
| 14 | 一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610685344.3 | 2026-05-19 | CN122221790A | 2026-06-16 | 前田圭司、伊藤真浩 |
| 15 | 集成功率器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610685210.1 | 2026-05-19 | CN122248782A | 2026-06-19 | 周宁宁、王梦慧、陈信全 |
| 16 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610677493.5 | 2026-05-18 | CN122227654A | 2026-06-16 | 姜恒、李毅、施平 |
| 17 | 检索模型的训练方法、检索方法和电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610674244.0 | 2026-05-15 | CN122198022A | 2026-06-12 | 张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬 |
| 18 | LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610667846.3 | 2026-05-15 | CN122205903A | 2026-06-12 | 陈晓妍、王梦慧 |
| 19 | 一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610667786.5 | 2026-05-15 | CN122217543A | 2026-06-16 | 王昆、周俊、刘志强、徐阳 |
| 20 | 一种半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610660032.7 | 2026-05-14 | CN122205918A | 2026-06-12 | 韩小虎、邓少鹏 |
| 21 | 半导体版图结构及双栅氧化层制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610663071.2 | 2026-05-14 | CN122205953A | 2026-06-12 | 徐锐、宋聪强 |
| 22 | 一种半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610659999.3 | 2026-05-14 | CN122205917A | 2026-06-12 | 韩小虎、邓少鹏 |
| 23 | 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610646614.X | 2026-05-12 | CN122174775A | 2026-06-09 | 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬 |
| 24 | 半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610644817.5 | 2026-05-12 | CN122180135A | 2026-06-09 | 巫振伟、汪雪春 |
| 25 | 一种半导体器件的测试方法及测试装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610644841.9 | 2026-05-12 | CN122193862A | 2026-06-12 | 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲 |
| 26 | 光阻层的形成方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610637283.3 | 2026-05-11 | CN122161422A | 2026-06-05 | 赵志豪、李海峰、沈俊明 |
| 27 | 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610627967.5 | 2026-05-09 | CN122180129A | 2026-06-09 | 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚 |
| 28 | 半导体结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610602466.1 | 2026-05-06 | CN122138409A | 2026-06-02 | 胡文婷、许春龙、陈婉露 |
| 29 | 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610605065.1 | 2026-05-06 | CN122138671A | 2026-06-02 | 黄周远、许春龙、孟娟 |
| 30 | OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610590152.4 | 2026-04-30 | CN122113466A | 2026-05-29 | 王康、罗招龙 |
| 31 | 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610588770.5 | 2026-04-30 | CN122110631A | 2026-05-29 | 何赵鑫、黄胜 |
| 32 | 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610578907.9 | 2026-04-29 | CN122121294A | 2026-05-29 | 郇小伟、金文祥、褚冉 |
| 33 | 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610570245.0 | 2026-04-28 | CN122110595A | 2026-05-29 | 赵广、罗招龙、张国乾 |
| 34 | 降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610551158.0 | 2026-04-24 | CN122094205A | 2026-05-26 | 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽 |
| 35 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610544911.3 | 2026-04-23 | CN122094153A | 2026-05-26 | 王文智、王仲盛 |
| 36 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610525621.4 | 2026-04-21 | CN122069775A | 2026-05-19 | 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤 |
| 37 | 静态存储器的最小工作电压的预测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610525469.X | 2026-04-21 | CN122067580A | 2026-05-19 | 田志锋、沈洁 |
| 38 | 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610526758.1 | 2026-04-21 | CN122094097A | 2026-05-26 | 王文智、刘哲儒、刘飞飞 |
| 39 | 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610526755.8 | 2026-04-21 | CN122094096A | 2026-05-26 | 王文智、刘哲儒、刘飞飞 |
| 40 | 一种半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610516789.9 | 2026-04-20 | CN122069999A | 2026-05-19 | 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷 |
| 41 | 一种接触孔及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610516915.0 | 2026-04-20 | CN122070006A | 2026-05-19 | 贾涛、董宗谕、王佳佳 |
| 42 | 半导体结构的制作方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610508501.3 | 2026-04-17 | CN122069766A | 2026-05-19 | 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞 |
| 43 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610502429.3 | 2026-04-16 | CN122028719A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 44 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610500449.7 | 2026-04-16 | CN122028718A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 45 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610491922.X | 2026-04-15 | CN122054986A | 2026-05-15 | 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊 |
| 46 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610479111.8 | 2026-04-13 | CN122028725A | 2026-05-12 | 宋富冉、刘乃硕 |
| 47 | 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610476328.3 | 2026-04-13 | CN122018227A | 2026-05-12 | 王康、罗招龙 |
| 48 | 电性测试结构及其测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610476299.0 | 2026-04-13 | CN122028713A | 2026-05-12 | 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼 |
| 49 | 伽马电阻的阻值波动的监控方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610475623.7 | 2026-04-13 | CN122028712A | 2026-05-12 | 李健、邵迎亚、汪雪春 |
| 50 | 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610475734.8 | 2026-04-13 | CN122047157A | 2026-05-15 | 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 |
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