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晶合集成取得漏电测试相关专利,漏电测试可排寄生漏电,提精度省空间

2026-07-01 09:20

7月1日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“漏电测试结构及方法”的专利,授权公告号CN121933982B,授权公告日为2026年6月30日。申请公布号为CN121933982A,申请号为CN202610405431.9,申请公布日期为2026年6月30日,申请日期为2026年3月31日,发明人李响、丁峰、芮倩、汪小小,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师傅梦婷,分类号G01R31/52、G01R31/26、H10P74/00、H10P74/20。

专利摘要显示,本申请提供了一种漏电测试结构及方法,属于半导体技术领域,其第一待测试结构和第二待测试结构均包括第一电极和第二电极;其第一互联结构及第二互联结构均包括第一互联件和第二互联件;第一互联结构的第一互联件与第一待测试结构的第一电极之间具有间距,第一互联结构的第二互联件与第一待测试结构的第二电极电性连接,第二互联结构的第一互联件和第二互联件分别与第二待测试结构的第一电极和第二电极电性连接;第一互联件和第二互联件分别用于接收第一电压和第二电压,第一电压的绝对值大于第二电压的绝对值。本申请测试得到的漏电流能够排除寄生漏电,测试结果接近待测试结构的真实漏电流,显著提升了测试准确性,还可以节约切割道的空间。

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内知名的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发与应用能力,在行业内颇具竞争力。

晶合集成所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及MCU概念、汽车芯片、半导体等概念板块。公司主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用行业先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。

在2025年经营业绩方面,晶合集成营业收入为108.85亿元,行业排名4/7,与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹宏力的172.91亿元相比有差距,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。主营业务构成中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润为4.66亿元,行业排名同样为4/7,第一名中芯国际达72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种半导体结构的制造方法 发明专利 公布 CN202610795445.6 2026-06-04 CN122318838A 2026-06-30 马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮
2 干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法 发明专利 公布 CN202610757823.1 2026-05-29 CN122314744A 2026-06-30 李文超、刘然、罗成、杨智强
3 MOM电容结构的SPICE模型的建立方法 发明专利 公布 CN202610759023.3 2026-05-29 CN122311103A 2026-06-30 胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然
4 半导体结构及其制作方法 发明专利 公布 CN202610761688.8 2026-05-29 CN122318267A 2026-06-30 张德培、周宁宁、王梦慧
5 晶圆清洗方法 发明专利 公布 CN202610747037.3 2026-05-28 CN122270072A 2026-06-23 刘苏涛、曹平
6 半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备 发明专利 公布 CN202610740384.3 2026-05-27 CN122265950A 2026-06-23 毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪
7 栅极介质层的制备方法和半导体结构 发明专利 公布 CN202610741566.2 2026-05-27 CN122269774A 2026-06-23 周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先
8 半导体器件的外延层结构形成方法 发明专利 公布 CN202610719734.8 2026-05-25 CN122248783A 2026-06-19 谢斌根、董宗谕
9 安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质 发明专利 公布 CN202610705221.1 2026-05-21 CN122238814A 2026-06-19 刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小
10 图像传感器及其制作方法 发明专利 公布 CN202610702601.X 2026-05-21 CN122248817A 2026-06-19 张鹏鹏、贾涛
11 接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品 发明专利 公布 CN202610694586.9 2026-05-20 CN122218003A 2026-06-16 李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
12 半导体缺陷智能分析方法及装置 发明专利 公布 CN202610693288.8 2026-05-20 CN122244026A 2026-06-19 杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕
13 半导体结构及其制备方法 发明专利 公布 CN202610695713.7 2026-05-20 CN122318270A 2026-06-30 魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞
14 一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法 发明专利 公布 CN202610685344.3 2026-05-19 CN122221790A 2026-06-16 前田圭司、伊藤真浩
15 集成功率器件及其制备方法 发明专利 公布 CN202610685210.1 2026-05-19 CN122248782A 2026-06-19 周宁宁、王梦慧、陈信全
16 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 公布 CN202610677493.5 2026-05-18 CN122227654A 2026-06-16 姜恒、李毅、施平
17 检索模型的训练方法、检索方法和电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610674244.0 2026-05-15 CN122198022A 2026-06-12 张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬
18 LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610667846.3 2026-05-15 CN122205903A 2026-06-12 陈晓妍、王梦慧
19 一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备 发明专利 公布 CN202610667786.5 2026-05-15 CN122217543A 2026-06-16 王昆、周俊、刘志强、徐阳
20 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610660032.7 2026-05-14 CN122205918A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
21 半导体版图结构及双栅氧化层制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610663071.2 2026-05-14 CN122205953A 2026-06-12 徐锐、宋聪强
22 一种半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610659999.3 2026-05-14 CN122205917A 2026-06-12 韩小虎、邓少鹏
23 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610646614.X 2026-05-12 CN122174775A 2026-06-09 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
24 半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610644817.5 2026-05-12 CN122180135A 2026-06-09 巫振伟、汪雪春
25 一种半导体器件的测试方法及测试装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610644841.9 2026-05-12 CN122193862A 2026-06-12 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
26 光阻层的形成方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610637283.3 2026-05-11 CN122161422A 2026-06-05 赵志豪、李海峰、沈俊明
27 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610627967.5 2026-05-09 CN122180129A 2026-06-09 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
28 半导体结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610602466.1 2026-05-06 CN122138409A 2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露
29 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610605065.1 2026-05-06 CN122138671A 2026-06-02 黄周远、许春龙、孟娟
30 OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610590152.4 2026-04-30 CN122113466A 2026-05-29 王康、罗招龙
31 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610588770.5 2026-04-30 CN122110631A 2026-05-29 何赵鑫、黄胜
32 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610578907.9 2026-04-29 CN122121294A 2026-05-29 郇小伟、金文祥、褚冉
33 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610570245.0 2026-04-28 CN122110595A 2026-05-29 赵广、罗招龙、张国乾
34 降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610551158.0 2026-04-24 CN122094205A 2026-05-26 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽
35 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610544911.3 2026-04-23 CN122094153A 2026-05-26 王文智、王仲盛
36 半导体器件及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525621.4 2026-04-21 CN122069775A 2026-05-19 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤
37 静态存储器的最小工作电压的预测方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610525469.X 2026-04-21 CN122067580A 2026-05-19 田志锋、沈洁
38 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610526758.1 2026-04-21 CN122094097A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
39 一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610526755.8 2026-04-21 CN122094096A 2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞
40 一种半导体结构的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516789.9 2026-04-20 CN122069999A 2026-05-19 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷
41 一种接触孔及其形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610516915.0 2026-04-20 CN122070006A 2026-05-19 贾涛、董宗谕、王佳佳
42 半导体结构的制作方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610508501.3 2026-04-17 CN122069766A 2026-05-19 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞
43 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610502429.3 2026-04-16 CN122028719A 2026-05-12 李飞、董宗谕
44 半导体器件及其制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610500449.7 2026-04-16 CN122028718A 2026-05-12 李飞、董宗谕
45 一种半导体结构及其制造方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610491922.X 2026-04-15 CN122054986A 2026-05-15 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
46 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610479111.8 2026-04-13 CN122028725A 2026-05-12 宋富冉、刘乃硕
47 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476328.3 2026-04-13 CN122018227A 2026-05-12 王康、罗招龙
48 电性测试结构及其测试方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610476299.0 2026-04-13 CN122028713A 2026-05-12 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
49 伽马电阻的阻值波动的监控方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475623.7 2026-04-13 CN122028712A 2026-05-12 李健、邵迎亚、汪雪春
50 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610475734.8 2026-04-13 CN122047157A 2026-05-15 杨杰、郭哲劭、郭廷晃

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