未来十年 SK海力士有望超越美光的三大原因

SK海力士与美光均为本轮AI存储芯片热潮核心厂商，前者为尚未美股上市的韩国存储企业，正推进美国上市计划，最快2025年8月落地，年内累计股价涨幅292%，高于美光同期268%的涨幅。

支撑未来十年SK海力士有望超越美光的三大核心理由如下：

• HBM领域占据全球领先地位，为英伟达AI平台核心供应商，已提前布局HBM4研发，产品客户粘性、替换成本高，竞争壁垒稳固。
• AI增长动力不局限于HBM，全栈AI存储产品线同步受益：已推出全球首款1z制程LPDDR6产品，启动适配英伟达Vera Rubin平台的192GB SOCAMM2产品量产，同时扩大321层堆叠NAND及企业级固态硬盘出货。
• AI需求已转化为高盈利水平，2025年第一季度营收同比涨198%至52.6万亿韩元，创历史单季新高，净利润40.3万亿韩元，毛利率达77%；当季DRAM平均单价环比涨60%中段，NAND闪存平均单价环比涨70%中段，财务韧性充足。

目前美股投资者可通过安硕MSCI韩国ETF（EWY）、Roundhill存储赛道ETF（DRAM）、富兰克林富时韩国ETF（FLKR）间接布局SK海力士。

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