利好突袭！三星、海力士领衔韩股暴力反攻！美银：大幅上调美光、英特尔目标价

今日早间，韩国股市开盘后，存储芯片巨头三星电子大幅拉升，一度暴涨超10%，SK海力士亦大幅走强，大涨超5%。消息面上，此前有报道称三星电子可能宣布90万亿韩元的股份回购。

与此同时，多家华尔街机构看好半导体行业前景，美国银行在最新发布的报告中表示，大幅上调包括英特尔、美光科技在内的多家半导体巨头的目标股价，理由是AI（人工智能）相关支出的可见性已清晰延伸至2028年。美银还将半导体市场的总潜在规模(TAM)预期从此前的2.3万亿美元大幅上调至2.7万亿美元。

芯片巨头飙涨

北京时间6月24日早间，韩国股市开盘后，SK海力士、三星电子股价集体走强，截至08:30，涨幅分别为5.09%、9.19%。受此推动，韩国KOSPI指数大涨4.02%。日本股市亦小幅反弹，日经225指数涨0.14%。

然而隔夜美股芯片全线重挫，费城半导体指数大跌超7%，成分股悉数收跌，美光科技暴跌超13%，安森美半导体暴跌超11%，Arm大跌超10%，应用材料、德州仪器、高通大跌超8%，阿斯麦ADR、恩智浦大跌超7%，台积电ADR、英特尔大跌超6%。

消息面上，据《韩国经济日报》报道，SK海力士周三或就其计划的美国存托凭证(ADR)上市向韩国金融监督院提交证券注册声明。SK海力士预计金融监督院最早将于7月3日完成文件审核；其ADR预计可能在7月完成上市。

另据韩国媒体最新报道，三星电子正在HBM4赛道上全力提速。据韩联社报道，三星电子HBM4营收已超过10亿美元，成为业内首个在量产后四个月内达到这一里程碑的公司，按6月底预测，这一数字有望进一步突破12亿美元。

TrendForce指出，三星电子在HBM4上的技术优势来自于底层芯片采用4nm FinFET制程节点，其认证时间线领先于竞争对手。受益于此，三星电子全年HBM4出货量预测已从3500亿Gb小幅上调至4000亿Gb。

报道称，相比之下，SK海力士则在放缓HBM4产能爬坡节奏，并削减部分原定从HBM3E升级至HBM4的产线转换计划。该公司认为，在HBM市场已占据强势地位的情况下，没有必要激进押注下一代产品扩产。

SK海力士放缓HBM4扩产的核心逻辑，在于对利润率的主动管理。据韩媒Chosun.biz报道，HBM业务目前已占该公司总营收逾40%，在现有市场地位稳固的前提下，继续大规模投入HBM4扩产的边际收益有限。

普通DRAM市场的盈利前景正变得愈发吸引人。分析师预计，DRAM运营利润率有望在年内接近90%的理论峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售价已环比上涨约60%，公司表示，将重点聚焦高密度服务器模组及移动端需求。此外，该公司与微软签订的三年期DDR5供应协议，也被市场普遍视为强化了其在普通DRAM领域的长期盈利能见度。

在产能规划层面，据TrendForce，SK海力士HBM4大规模量产时间节点已推迟，有效放量预计将延至2026年第三季度。受此影响，其全年HBM4出货量预测从4500亿Gb下调至4000亿Gb。

美银：大幅上调

美国银行在最新发布的报告中表示，大幅上调包括英特尔、美光科技等在内的多家半导体公司的目标股价，理由是人工智能相关支出的可见性已清晰延伸至2028年。

在报告中，美银还对晶圆制造设备(WFE)的支出预测做出了显著上调，将2029年、2030年的WFE预测分别上调至2680亿美元(+7%)、2920亿美元(+9%)。

美银在报告中给出了以下三大理由：

• 1.洁净室可用性提高。随着全球晶圆厂建设逐步推进，此前制约产能扩张的洁净室瓶颈正在缓解，为设备安装提供了更充裕的空间。
• 2.存储器长期协议(LTA)带来的高能见度。存储芯片厂商与下游客户签订的长期供应协议，为资本支出决策提供了前所未有的确定性，使得设备采购计划能够提前锁定。
• 3.关键技术转折点推高每片晶圆的WFE强度。 在存储器和逻辑器件的周期性升级中，先进制程对设备的需求密度持续攀升。

美银还指出，英特尔和三星在先进晶圆代工与逻辑器件产能上的进展，以及Terafab项目的潜在贡献，均为行业注入了强心针。

值得注意的是，美银并非唯一看好WFE前景的投行。摩根大通此前已将2026年全球WFE增长预测从21%上调至28%，预计2027年进一步增长29%，2028年仍将保持16%的增长。富国银行也同步上调了2027年和2028年的WFE预测。

美银在此次报告中还将半导体市场的总潜在规模(TAM)预期从此前的2.3万亿美元大幅上调至2.7万亿美元，意味着2025年至2030年间行业复合年增长率将达到28%。

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