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中微公司申请MOCVD设备相关专利,采集拼接图像判断自转,统一基片成膜速率

2026-06-23 09:12

6月23日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“一种MOCVD设备及卫星盘自转测量方法”的专利。申请公布号为CN122235676A,申请号为CN202411867389.X,申请公布日期为2026年6月19日,申请日期为2024年12月17日,发明人李肖辰、郭春磊,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师汤恩洋、张静洁,分类号C23C16/18、G01P3/38、C23C16/52、C23C16/458。

专利摘要显示,本发明公开了一种MOCVD设备及卫星盘自转测量方法,MOCVD设备包括内设有行星盘反应腔、图像采集装置、图像采集控制模块和图像处理模块,行星盘上设有卫星盘,卫星盘上设有至少一个标记;图像采集装置用于采集标记上的局部图像;图像采集控制模块控制图像采集装置采集图像;图像处理模块接收图像采集装置连续采集的多帧局部图像并拼接为连续图像以判断卫星盘的自转状态。本发明的MOCVD设备及卫星盘自转测量方法,通过设置图像采集装置连续采集局部图像,并对局部图像进行拼接以判断行星盘是否自转,并针对各行星盘的自转情况进行调整,实现对各行星盘自转速率的调整,使得各行星盘上承载的基片的自转速率的统一,提高各基片成膜的均一性。

天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期2004年5月31日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本62614.5307万人民币,实缴资本62691.781万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标项目87次,财产线索方面有商标信息114条,专利信息1708条,拥有行政许可88个。

中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种射频功率供应系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511924458.0 2025-12-18 CN121879506A 2026-04-17 倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰
2 一种工艺顶盖及气相沉积设备 实用新型 授权 CN202521979639.9 2025-09-15 CN223458392U 2025-10-21 刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
3 晶圆托盘 外观专利 授权 CN202530511724.1 2025-08-28 CN309976984S 2026-05-12 代宇通、汪国元、黄稳、姜勇
4 聚焦环 外观专利 授权 CN202530468204.7 2025-08-08 CN310024085S 2026-06-09 范光伟、周艳
5 聚焦环 外观专利 授权 CN202530468218.9 2025-08-08 CN310024087S 2026-06-09 范光伟、周艳
6 聚焦环 外观专利 授权 CN202530468041.2 2025-08-08 CN310024084S 2026-06-09 范光伟、周艳
7 气体喷淋头 外观专利 授权 CN202530466397.2 2025-08-07 CN309910861S 2026-04-10 孟可、周艳、李开元
8 气体喷淋头 外观专利 授权 CN202530466450.9 2025-08-07 CN309910862S 2026-04-10 朱永成
9 气体喷淋头 外观专利 授权 CN202530466394.9 2025-08-07 CN309910860S 2026-04-10 周艳、李开元
10 接地环 外观专利 授权 CN202530466452.8 2025-08-07 CN310024083S 2026-06-09 周艳、李开元
11 一种气相沉积装置 实用新型 授权 CN202521091304.3 2025-05-29 CN224337694U 2026-06-09 何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊
12 一种聚焦环功率调节组件 实用新型 授权 CN202520964307.7 2025-05-15 CN224342273U 2026-06-09 田宁、叶如彬、范光伟
13 一种等离子体处理装置及其约束环组件 实用新型 授权 CN202520892625.7 2025-05-07 CN224342272U 2026-06-09 叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁
14 一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置 实用新型 授权 CN202520892567.8 2025-05-07 CN224350749U 2026-06-12 董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远
15 一种金属钛层的沉积工艺 发明专利 公布 CN202510559967.1 2025-04-29 CN122214841A 2026-06-16 沈成绪、许灿
16 反应腔、高深宽比结构及其形成方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510550377.2 2025-04-28 CN120072612B 2025-07-25 尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
17 基片托盘 外观专利 授权 CN202530230568.1 2025-04-25 CN309730273S 2026-01-09 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
18 基片托盘 外观专利 授权 CN202530230569.6 2025-04-25 CN309730274S 2026-01-09 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
19 环组件及外延生长设备 实用新型 授权 CN202520811017.9 2025-04-25 CN224337799U 2026-06-09 张辉、姜银鑫、陆顺开
20 一种下电极组件及等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202520786770.7 2025-04-23 CN224342271U 2026-06-09 叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可
21 一种半导体处理设备及其气体喷淋头 实用新型 授权 CN202520786902.6 2025-04-23 CN224343720U 2026-06-09 程程、李雪子
22 电磁线圈组件及半导体加工设备 实用新型 授权 CN202520763154.X 2025-04-21 CN224232426U 2026-05-12 王亚军、周国祥
23 一种磁控管组件及磁控溅射设备 实用新型 授权 CN202520736456.8 2025-04-17 CN224337693U 2026-06-09 刘畅、刘恺民、王能语
24 一种基片处理系统 实用新型 授权 CN202520716379.X 2025-04-15 CN224267209U 2026-05-22 徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星
25 一种气相沉积设备及半导体处理系统 发明专利 公布 CN202510444720.5 2025-04-09 CN120830094A 2025-10-24 尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
26 一种升降驱动组件和半导体工艺设备 实用新型 授权 CN202520618963.1 2025-04-02 CN224020732U 2026-03-20 李琳、王许、朱永成、周艳
27 下电极组件及等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202520539349.6 2025-03-25 CN224123342U 2026-04-14 田宁、叶如彬、范光伟
28 一种掩膜结构形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510293724.8 2025-03-12 CN121496378A 2026-02-10 罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
29 掩膜结构及其形成方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510293826.X 2025-03-12 CN121496322A 2026-02-10 罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
30 一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510293764.2 2025-03-12 CN121496321A 2026-02-10 尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
31 等离子体约束结构及等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202520402185.2 2025-03-07 CN224232637U 2026-05-12 叶如彬、马越、王洪青、范光伟
32 一种环组件及成膜装置 实用新型 授权 CN202520251908.3 2025-02-17 CN223780392U 2026-01-09 郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
33 一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510165658.6 2025-02-14 CN119673741B 2025-05-30 叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
34 一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备 实用新型 授权 CN202520210442.2 2025-02-10 CN222637222U 2025-03-18 卢明、李博睿、倪图强
35 一种半导体加工设备及其控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510147729.X 2025-02-10 CN119601451B 2025-05-09 李博睿、卢明、倪图强
36 一种化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520172387.2 2025-01-24 CN223780352U 2026-01-09 杜冰洁、路今、姜银鑫
37 一种基座及化学气相沉积设备 实用新型 授权 CN202520166280.7 2025-01-23 CN224001504U 2026-03-17 梁轩、徐立、吕术亮
38 一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202510098695.X 2025-01-21 CN119517722B 2025-05-13 田宁、叶如彬
39 一种隔离结构及化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520123428.9 2025-01-17 CN223780362U 2026-01-09 黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
40 缓冲装置 实用新型 授权 CN202520107111.6 2025-01-16 CN223780359U 2026-01-09 杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
41 一种化学气相沉积装置 发明专利 授权 CN202510073813.1 2025-01-16 CN119932527B 2026-04-10 张辉、姜银鑫、姜勇
42 一种化学气相沉积装置 实用新型 授权 CN202520086318.X 2025-01-14 CN223780351U 2026-01-09 陆顺开、周子琛、张辉
43 一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411976013.2 2024-12-31 CN119374033A 2025-01-28 徐志鹏、倪图强、连增迪
44 化学气相沉积设备 实用新型 授权 CN202423319091.3 2024-12-31 CN223780363U 2026-01-09 朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
45 一种晶圆承载组件及半导体处理设备 实用新型 授权 CN202423320135.4 2024-12-31 CN223899675U 2026-02-10 陈星棋
46 一种用于气柜可燃性测试的系统及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411980652.6 2024-12-30 CN119375415A 2025-01-28 王治平、宋飘、宋常征、权汉钊
47 一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202411969617.4 2024-12-30 CN119382671B 2025-09-12 徐志鹏、常健、王亚军
48 一种半导体工艺平台 实用新型 授权 CN202423296470.5 2024-12-30 CN223660196U 2025-12-12 陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊
49 一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法 发明专利 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 CN202411947571.6 2024-12-26 CN119372628B 2025-03-18 庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫
50 一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块 实用新型 授权 CN202423230256.X 2024-12-25 CN223524974U 2025-11-07 姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫

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责任编辑:小浪快报

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