碳化硅行业调研

（来源：纪要头等座）

1、碳化硅传统领域供需与价格

·传统领域需求现状：2025年底行业对2026年碳化硅需求预期悲观，客户下单谨慎，持观望态度等待价格进一步下跌。2026年以来碳化硅需求出现明显反转，核心驱动因素为行业库存水位过低，当前库存仅1个月，远低于3个月的正常库存水平。工业、汽车等传统非AI领域此前厂商备货意愿均极低，需求边际回暖叠加市场担忧后续价格上涨，集中补库下出现阶段性缺货感知。目前国产碳化硅价格已基本止跌，衬底、晶圆厂开工率均处于低位，后道封装环节也严重缺货，但整体市场尚未出现实质性需求高增亮点，当前出货向好本质是库存周期调整带动的短暂现象。

·价格走势与缺货原因：当前国产碳化硅价格已触底，厂商因盈利空间已被压缩至极限，普遍拒绝继续降价，采取"要货即按当前价、不接受议价"的销售策略。进口碳化硅虽出现涨价行情，但涨价存在造势成分，核心是利用客户"买涨不买跌"的心理刺激采购，并非需求端出现持续性高增。当前市场的高景气感知本质是客户的集中补库行为，若后续下游未出现持续性需求增长，仅靠补库带动的价格上涨不具备可持续性；若客户将库存从1个月的低位补至3-4个月的水平，将会提前透支后续采购需求，后续价格进一步上涨的支撑动力不足，当前热销本质是补库存带来的假象。

2、AI数据中心碳化硅需求与格局

·AI电源应用要求：不同功率的数据中心电源对碳化硅的应用需求差异明确：3000瓦以下普通电源中，碳化硅仅为可选项，甚至无需使用；5000瓦以上高功率电源（含未来规划的8000瓦、12千瓦、20千瓦级产品）对碳化硅需求刚性较强，渗透率极高。碳化硅核心应用场景集中在匹配大规模GPU算力的高功率AI电源领域，该领域头部电源供应商以台达、光宝等台系厂商为主，对器件效率要求严苛，当前多数方案均采用英飞凌产品，仅其碳化硅器件可满足相关效率测试要求，AI电源领域碳化硅需求目前基本被英飞凌独占。

·AI电源竞争格局：当前AI电源碳化硅市场基本由英飞凌垄断，其产品处于涨价缺货状态，为匹配AI业务的高毛利优势，英飞凌正战略性将原本规划用于汽车领域的碳化硅产能转向AI相关工业领域，但调整后产能仍无法满足台达、光宝及国内客户需求，外溢的AI电源碳化硅订单主要利好安森美、意法半导体（ST），沃斯比也有少量受益。目前国产碳化硅在电源领域认可度极低，电源厂商对其认知仍较为落后，尚未大规模导入；而国产碳化硅在汽车领域认知度更高，已获得汽车圈普遍认可。此外英飞凌在汽车碳化硅市场份额本身不高，其核心产品路线为碳化硅模块，而国内汽车市场主流采用裸带自行封装模式，因此英飞凌在国内汽车碳化硅市场竞争力有限，当前国内汽车碳化硅市场份额最高的厂商为安森美，英飞凌侧重AI业务的产能调整对汽车市场整体影响极小。

·英飞凌技术优势：碳化硅器件底层功能均为电能变换，在数据中心电源和汽车领域的应用原理一致，英飞凌能在AI电源市场占据垄断地位，核心源于其技术路线与AI电源的严苛效率要求高度适配。AI电源属于To B业务，24小时连续运转，需覆盖25%、50%、75%、100%全负载工况，效率的微小提升可在1年甚至更短时间内覆盖碳化硅器件的额外采购成本，长期电费节约效益显著，因此下游客户对器件的多工况效率要求极为苛刻。英飞凌采用第二代沟槽技术，芯片尺寸更小，开关损耗更低，尤其在25%、50%等轻负载场景下效率表现突出，可满足数据中心电源全负载工况测试要求，平均效率表现优异。而安森美等厂商虽在汽车碳化硅市场份额较高，但技术路线与英飞凌存在差距，对AI电源多工况尤其是轻负载场景的适配性不足，因此在AI电源领域的份额远低于英飞凌。

3、Wolfspeed业务与市场逻辑

·公司业务基本面：Wolfspeed单季营收约1.5亿美金，其中1亿美金来自衬底业务，0.5亿美金来自器件业务，衬底是公司核心护城河。国内厂商天岳的8英寸碳化硅衬底技术与成本均优于Wolfspeed。Wolfspeed在中国市场份额已基本流失，一方面此前公司遭遇风波，产品性价比偏低，车规级器件表现不佳，原有核心布局为工业市场；另一方面近年英飞凌、安世美等厂商车规产能充足后切入工业领域，产品更具性价比，下游客户基本完成供应商替代，目前Wolfspeed仅靠海外订单维持经营。其核心客户意法半导体（ST）的三安工厂已开始采用三安的衬底，欧洲市场也有一半使用自有衬底，长期经营面临较大挑战。

·股价上涨核心逻辑：近期Wolfspeed股价上涨主要基于四大市场逻辑，需区分基本面支撑与概念炒作差异：

a. 碳化硅电源芯片受益AI需求爆发，市场认为AI服务器电源需求扩容将带动相关器件订单增长，Wolfspeed作为碳化硅厂商可享受行业红利；

b. CoWoS先进封装所需的碳化硅中介层概念，不过目前相关技术落地仍有较大变数，仅TV领域进展稍快，大规模上量尚不明确，更多属于绑定热点的概念炒作；

c. 1万伏碳化硅器件可应用于AC/DC场景的固态继电器，存在特定应用场景的需求预期；

d. 作为美国本土唯一衬底制造商，可获得相关政策扶持与订单倾斜，拿到部分定向份额。

这四大逻辑是当前资金关注的核心依据。

·AI碳化硅市场规模：当前AI领域碳化硅的实际市场规模较小，对衬底业务的拉动弹性有限。2026年全球AI电源碳化硅器件市场规模约3亿美金，按衬底成本占器件售价20%测算，对应衬底需求约0.6亿美金。头部厂商英飞凌2025年碳化硅整体营收约8-9亿美金，其中AI领域贡献约1亿美金，2026年预计增长至2.5亿美金，叠加其他厂商份额，全行业AI领域碳化硅器件总规模最多约3亿美金。即使按最乐观的全年10亿美金碳化硅器件规模测算，对应衬底需求仅约2亿美金，且不可能全部由Wolfspeed获取，实际对其营收拉动十分有限，当前股价涨幅已明显透支基本面利好。

·头部厂商衬底采购：头部碳化硅器件厂商的衬底采购呈现明显区域分化特征。英飞凌无自有衬底产能，采购策略灵活，海外市场主要向Wolfspeed、罗姆采购衬底，中国市场出于成本与供应稳定性需求，主要采购国内厂商天岳的高性价比衬底。在海外AI数据中心领域，英飞凌器件市占率较高，Wolfspeed作为其核心海外衬底供应商将直接受益于相关需求增长。国内市场中，天岳与下游厂商已有稳定合作，国产衬底凭借性价比优势采购比例逐步提升，意法半导体等头部厂商也在逐步提升国产衬底采购比例。

4、数据中心碳化硅渗透率与成本

·不同功率电源渗透率：当前数据中心碳化硅整体渗透率约5%，其在电源领域的应用从3000瓦功率段起步，覆盖AC到DC、DC到DC两个环节，3000瓦电源碳化硅配置较简单，用量约2颗。5.5千瓦电源前端碳化硅用量约2颗，后端可选择硅或碳化硅器件，整体用量约10颗，对应价值量约30美金；单台5.5千瓦电源售价约200多美金，碳化硅价值量占电源总成本的10%左右。

·与硅器件成本对比：目前碳化硅价格已明显下降，与硅器件成本逐步接近，碳化硅模组价格约为硅IGBT模组的1.5倍；800伏转换场景需使用1200伏器件，仅碳化硅可满足需求。低压MOS无碳化硅产品，与碳化硅不存在竞争关系。供应商格局方面，数据中心高压硅器件核心供应商为英飞凌、意法半导体，低压硅器件核心供应商为安世半导体。当前数据中心90%以上的5.5千瓦以下电源仍采用硅器件，碳化硅未来渗透率提升空间较大。

5、碳化硅行业产能供给情况

·海外厂商产能现状：全球碳化硅行业整体供给充足，仅存在结构性紧缺情况。当前除英飞凌产能偏紧外，Wolfspeed、安森美、意法半导体等海外头部厂商的碳化硅产能均较为充足，无供给缺口。单条8英寸碳化硅产线可对应500-600万台电动车的碳化硅需求，仅单个厂商的分厂产能理论上即可覆盖当前全球全部电动车的碳化硅需求。目前多数厂商并未开满全部产线，部分厂商理论可开设3条产线，当前仅开1条，存在大量闲置产能。

·产能通用性分析：碳化硅产线在不同下游领域间具备较强通用性，当前行业闲置产能多为前期针对汽车领域需求储备，仅需小幅调整即可适配AI电源等其他下游领域的产品生产，转产难度较低，调整周期最长约1年。由于行业整体闲置产能规模较大，且碳化硅在AI领域的应用需求规模相对较小，现有储备产能可充分支撑AI领域的碳化硅需求增长，不存在整体供给缺口。

6、国内应用与新兴技术趋势

·国内数据中心应用：国内数据中心功率器件的应用与国产化情况具体如下：

a. 功率规格与碳化硅应用情况：国内数据中心主流功率规格为3000瓦，该功率下硅器件即可充分满足使用需求，碳化硅应用必要性较低，国内碳化硅功率器件的应用以出口场景为主，涉及厂商包括欧陆通、高斯宝等，本土数据中心场景渗透率较低。

b. 国产化率情况：国内数据中心功率器件的国产化率约30%，华为等厂商已大规模导入斯达微等国产厂商的产品，长城、欧陆通、麦格米特等偏高端应用的市场主体仍倾向于使用进口功率器件。

·碳化硅中介层前景：碳化硅作为先进封装中介层的技术前景与落地进展具体如下：

a. 技术核心优势：碳化硅材料的导热性能为硅的3倍，且材料硬度较高不易出现翘曲问题，可有效解决先进封装（更多实时纪要加微信：jiyao19）的散热痛点，材料本身性能适配性较好。

b. 落地核心难点：碳化硅中介层应用于CoWoS等先进封装场景时，需要加工大量高密度微孔用于走线，由于碳化硅硬度极高，微孔加工需满足“细且深”的要求，工艺难度极大；当前硅中介层的加工工艺已非常成熟，行业内对碳化硅中介层的落地存在较大争议，部分观点认为该方向是伪概念。

c. 量产进度预判：目前台积电预计2027年年底可实现碳化硅中介层量产，整体进展处于可控范围内，只要存在明确的应用痛点与市场需求，工程层面的障碍均可逐步突破，对该技术的长期落地偏乐观。

·金刚石碳化硅散热方案：金刚石碳化硅散热方案的相关情况具体如下：

a. 应用场景与技术要求：相干（Coherent）推出的金刚石碳化硅散热方案主要应用于GPU等封装完成后的芯片顶部，仅承担物理散热功能，无需参与电气连接，不需要在内部刻蚀电路，对衬底的品质、一致性要求较低，落地难度远低于需要加工线路的碳化硅中介层，目前该方案的研发进展较为顺利。

b. 国内厂商竞争潜力：该领域的技术壁垒相对较低，国内厂商具备显著的成本优势，产品竞争力较强，当前限制国内厂商切入该领域的核心因素为海外客户的导入意愿，即海外厂商是否允许国内产品进入其供应链体系。

·大厂布局信号解读：碳化硅行业大厂布局信号与核心商业模式具体如下：

a. 三星布局解读：三星近期宣布重启碳化硅代工业务，核心动因为其内部不同业务部门寻求新的盈利增长点，当前行业普遍对该业务的发展前景不看好。

b. 行业核心商业模式：当前碳化硅领域的核心厂商如ST、英飞凌、安森美等均采用IDM模式，代工模式的盈利难度较大；同时当前全球碳化硅产能尤其是衬底产能较为充足，国内前期已投放大量产能，行业尚未进入需要大规模扩产的高景气阶段。

7、传统领域价格走势预判

·价格现状与提价原因：碳化硅价格此前已经历深度下调，硅片价格从约4元/片降至1元/片，衬底价格从前期1万元/片降至当前2000元/片左右，目前价格基本见底，今年价格战不会大幅加剧，近期已出现小幅提价。本次提价核心驱动并非传统需求端高增长，一是供应链后道环节产能紧张，瓶颈或出在封装环节而非衬底或器件环节；二是海外大量砍掉8英寸产线，产能向AI、存储等领域倾斜，代工厂、封装厂供需缺口扩大，溢价传导至碳化硅领域。

·未来价格走势预判：当前碳化硅提价不具备可持续性，并非由真实供需关系改善驱动，仅为短期供应链波动导致，下半年价格大概率回落至提价前水平。行业整体不存在支撑长期涨价的供需基础，当前涨价已形成正向反馈的踩踏效应，即涨价带动缺货预期进而推升价格，但传统汽车、光伏、工业等领域未出现需求高景气支撑，叠加市场存在部分有失客观的声音，长期涨价逻辑无法成立。

Q&A

Q: 碳化硅行业在传统应用市场与新兴应用市场的最新需求情况如何？

A: 当前碳化硅行业需求呈现结构性分化。传统非AI市场因前期库存水位过低触发补库存行为，带动短期出货回升，但终端需求未显著增强；国产厂商已停止降价，进口厂商存在试探性涨价，市场活跃度部分源于客户备货心理。AI数据中心电源市场对碳化硅需求确有增长，但实际规模被高估，预计今年碳化硅器件在该领域销售额约3亿美金，目前由英飞凌主导供应，因其第二代沟槽技术在轻负载工况下效率优势显著，满足台达、光宝等电源厂商对多负载曲线效率的严苛要求。整体需警惕补库存透支后续需求的风险。

Q: 服务器电源等传统市场当前出货量提升是否主要源于低库存与价格策略，而非真实需求增长？后续价格走势如何？

A: 当前出货量提升主要源于客户低库存水平与厂商停止降价策略，客户因担忧涨价而集中备货，形成短期活跃假象。国产厂商明确表示价格已触底，进口厂商涨价存在造势成分。预计短期内价格跌幅收窄，但若终端需求无持续增长，补库存结束后价格可能回落，难以形成持续上涨趋势。

Q: AI数据中心电源市场中碳化硅的竞争格局、技术壁垒及国产厂商参与度如何？

A: 该市场目前由英飞凌主导，因其沟槽技术在25%至75%轻负载工况下开关损耗低，满足高功率电源对能效的严苛测试要求；安森美、意法半导体及沃斯比有参与但技术存在差距。国产碳化硅厂商在电源领域认可度较低，客户仍倾向进口品牌，主因电源属B2B场景，对可靠性与效率验证要求极高，而国产厂商在该领域积累不足；相比之下，汽车市场因B2C属性及国产厂商深度参与，认可度更高。

Q: 英飞凌将产能优先分配至AI电源市场，是否导致汽车碳化硅订单外溢？主要受益厂商有哪些？

A: 是的，英飞凌将部分原规划用于汽车的碳化硅产能转向高毛利AI电源市场，导致汽车领域出现订单外溢。主要受益厂商为安森美与意法半导体，二者在汽车碳化硅领域已有客户基础与技术积累。需注意，英飞凌在汽车市场本身影响力有限，因其主推模块方案，而汽车客户普遍采用裸芯片自封装模式，安森美目前在汽车碳化硅市场占据较大份额。

Q: 沃斯比近期经营表现与股价上涨逻辑是什么？其衬底业务在AI需求下的实际机会如何？

A: 沃斯比股价上涨主要源于四重市场逻辑：碳化硅器件受益AI电源需求、碳化硅中介层概念、1万伏固态继电器应用、作为美国本土唯一衬底制造商获政策倾斜。但基本面承压：衬底技术已被天岳等中国厂商超越，中国市场份额基本丢失，器件业务影响力有限。AI电源碳化硅衬底需求预计今年约1亿美金，英飞凌等海外厂商采购仍以沃斯比为主，但十二寸衬底短期无实质订单，且天岳凭借性价比优势在中国市场占据主导，沃斯比长期挑战显著。

Q: 碳化硅在数据中心电源中的当前渗透率、不同功率规格应用情况及与硅方案的成本对比如何？

A: 当前碳化硅在数据中心电源中渗透率约5%。3000瓦电源开始采用碳化硅，5500瓦以上电源用量增至约10颗。与硅方案相比，碳化硅模组化成本约高50%，但在24小时高负载运行场景下，效率提升可显著降低长期电费支出，经济性凸显。

Q: 除英飞凌外，全球主要碳化硅厂商的产能现状如何？行业是否存在实质性产能短缺？

A: 行业整体产能充足，不存在实质性短缺。英飞凌马来西亚等工厂产能原为汽车市场规划，当前利用率不足；沃斯比、安森美、意法半导体均面临订单不足问题。当前缺货为结构性现象，现有产线经微调即可满足增量需求。短期紧张环节集中于后道封装，叠加硅基器件产能向AI相关领域倾斜，引发供应链正反馈式涨价，但晶圆制造端产能充裕。

Q: 中国本土数据中心与北美在碳化硅应用上存在哪些差异？国内碳化硅器件的主要供应商构成如何？

A: 中国本土数据中心电源功率规格较低，多采用硅基方案，碳化硅应用较少；北美数据中心电源功率普遍（更多实时纪要加微信：jiyao19）较高，碳化硅渗透更积极。国内碳化硅器件供应呈双轨格局：高端项目倾向进口品牌，国产化率约30%；出口导向项目中碳化硅应用较多。

Q: 碳化硅在先进封装中介层与散热方案等新应用的技术可行性、进展及挑战如何？

A: 碳化硅中介层具备导热性优、抗翘曲等材料优势，可解决CoWoS封装散热痛点，但工艺难度高，目前台积电计划2027年底推进量产，技术路径存在争议但进展可控。散热方案作为非电气连接的顶部散热模块，技术门槛较低、进展顺利，对衬底纯度与一致性要求宽松，商业化路径更清晰。两类应用均需工程化突破，但需求驱动下具备落地潜力。

Q: 在传统应用领域，碳化硅价格是否有可持续提价预期？影响价格的核心因素是什么？

A: 碳化硅价格已触底，短期内因封装环节紧张及硅基器件涨价传导，可能出现微幅提价，但难以持续。核心影响因素包括：前期价格战导致衬底价格从万元级降至约2000元/片、当前降幅收窄至10%左右；封装产能紧张推升成本；终端需求未现强劲增长。若补库存行为结束且需求无新增，预计下半年价格将回落，行业仍处价格博弈阶段。

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